每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上,這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個位真的改變了,就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時候,同時使用EDC/ECC算法。這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時,必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃?。Flash存儲器壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價太高,根本不劃算。NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。Flash存儲器易于使用可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。千百路科技是一家專注存儲器經(jīng)營的公司。廣州可讀可寫可編程存儲器怎么樣

    再加上NAND閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)。內(nèi)部不存在專門的存儲控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣為應(yīng)用于移動存儲、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動,NAND閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級的超高速增長.NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼,這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度很大地影響了它的性能。上海順序存儲器原理和電路圖選型存儲器芯片，選擇千百路電子，一家專注存儲器的公司。

存儲器的簡稱和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲容量小。2、主存儲器內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲容量不大。3、外存儲器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫存儲容量大，位成本低。4、內(nèi)存又稱為內(nèi)存儲器或者主存儲器，是計(jì)算機(jī)中的主要部件，它是相對于外存而言的。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。一般常用的微型計(jì)算機(jī)的存儲器有磁芯存儲器和半導(dǎo)體存儲器，目前微型機(jī)的內(nèi)存都采用半導(dǎo)體存儲器。

    但是寫操作仍要保留一個"預(yù)充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價格較高但速度快,由于存在"預(yù)充"問題,在時序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點(diǎn),讀寫速度快并可以像非易失性存儲器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點(diǎn),訪問次數(shù)是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問次數(shù)是100萬次,比flash壽命長10倍,但是并不是說在超過這個次數(shù)之后,FRAM就會報廢,而是它只只沒有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問速度要快得多。原廠存儲器芯片IC系列報價-現(xiàn)貨庫存服務(wù)。

而負(fù)電流將該位單元的狀態(tài)改變?yōu)樨?fù)偏置。鐵電位單元使用晶體進(jìn)行存儲,中心有一個原子。該原子位于晶體的頂部或底部。位存儲是該原子位置的函數(shù)。FRAM一個不幸的事實(shí)是其讀取是破壞性的,每次讀取后必須通過后續(xù)寫入來抵消,以將該位的內(nèi)容恢復(fù)到其原始狀態(tài)。這不但耗費(fèi)時間,而且還使讀取周期消耗的功率加倍,這對那些對功耗敏感的應(yīng)用是一個潛在問題。然而FRAM獨(dú)特的低寫入耗電是其賣點(diǎn)。目前的FRAM存儲單元是基于雙晶體管,雙電阻器單元(2T2R),造成其尺寸至少是DRAM位單元的兩倍。1T1R存儲單元正在開發(fā)中,只有在開發(fā)完后,才能使FRAM成本接近DRAM的成本。磁性存儲器RAM或MRAM是磁記錄技術(shù)的自然結(jié)果。事實(shí)上,MRAM是早期計(jì)算機(jī)的主核存儲器,它被SRAM取代,然后在1970年代再被DRAM所取代。原始的MRAM它通過磁化和消磁位單元,強(qiáng)制它們進(jìn)入不同的狀態(tài)來讀取它們。這樣做所需的電流原本是可控制的,但到了大約75nm工藝節(jié)點(diǎn),電流變得無法控制的高,因?yàn)殡娏鞅３植蛔?但導(dǎo)體隨工藝縮小,導(dǎo)致電流密度高到無法接受。因此研究人員開始嘗試新的方法,從STT開始,到pSTT,現(xiàn)在大家所談?wù)摰腟TT-MRAM都是pSTT-MRAM。MRAM技術(shù)還有SOT(旋轉(zhuǎn)軌道隧道),它采用三端式MTJ結(jié)構(gòu),將讀取和寫入路徑分開。國產(chǎn)存儲器品類和質(zhì)量都在不斷提高，越來越多的電子產(chǎn)品選型國產(chǎn)存儲器。中山單片機(jī)存儲器國產(chǎn)品牌推薦

輔助存儲器是計(jì)算機(jī)中的長期存儲器，它通常由硬盤驅(qū)動器或固態(tài)硬盤驅(qū)動器組成。廣州可讀可寫可編程存儲器怎么樣

之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計(jì)算機(jī)掉電數(shù)據(jù)丟失問題，但是閃存有擦寫次數(shù)有限，隨機(jī)寫性能較差，寫延遲較大等的缺點(diǎn)，而采用相變存儲器或者基于相變存儲器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問題；②相變存儲器的隨機(jī)讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算中小粒度隨機(jī)I/O對磁盤訪問所造成的I/O瓶頸，用相變存儲器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬盤具有很大的優(yōu)勢；③閃存和相變存儲器都是新型非易失性存儲器，沒有機(jī)械裝置并且可隨機(jī)讀寫，但是和相變存儲器相比，閃存的讀寫性能略顯不足，特別是寫入前需要整塊擦除的缺陷，導(dǎo)致閃存只能通過一系列更加復(fù)雜的技術(shù)化才能替代存儲系統(tǒng)的部分功能。廣州可讀可寫可編程存儲器怎么樣