每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲(chǔ)器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn),NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃浴lash存儲(chǔ)器壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,根本不劃算。NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。Flash存儲(chǔ)器易于使用可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多?！盖О俾贰挂患覍?zhuān)注電子科技服務(wù)，專(zhuān)業(yè)存儲(chǔ)器IC芯片的電子企業(yè)。中山高速緩沖存儲(chǔ)器價(jià)格

    MCU具有什么功能?MCU即微控制器，又稱(chēng)單片機(jī)，把CPU的頻率與規(guī)格縮減，將內(nèi)存、計(jì)數(shù)器、USB、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等整合在一個(gè)芯片上，形成芯片級(jí)的計(jì)算機(jī)。MCU應(yīng)用廣。很常見(jiàn)的是消費(fèi)類(lèi)電子、工業(yè)領(lǐng)域、汽車(chē)電子。MCU的分類(lèi)：按用途分，可分為通用型和特用型。按總線寬度分：可分為1、4、8、16、32、64位。按照存儲(chǔ)器類(lèi)型：可分為無(wú)片內(nèi)ROM型、帶片內(nèi)ROM型。按存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)分：哈佛結(jié)構(gòu)、馮諾依曼結(jié)構(gòu)。一款好的MCU具有的特點(diǎn)：抗干擾能力強(qiáng)，指令總數(shù)少，速度快，有的可在線編程。程序存儲(chǔ)器使用效率高，可靠性高。不發(fā)生多字節(jié)指令系統(tǒng)錯(cuò)誤。國(guó)產(chǎn)單片機(jī)MCU系列代理，為用戶提供原廠產(chǎn)品和技術(shù)支持。應(yīng)用于保健器材、小家電、安防、通信、燈飾、玩具、工控等領(lǐng)域。 易失性存儲(chǔ)器全系列專(zhuān)業(yè)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，產(chǎn)品系列完整。

    再加上NAND閃存的邏輯為電子盤(pán)模塊結(jié)構(gòu)。內(nèi)部不存在專(zhuān)門(mén)的存儲(chǔ)控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無(wú)法修,可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣為應(yīng)用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng),NAND閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng).NOR和NAND是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼,這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫(xiě)入和擦除速度很大地影響了它的性能。

SRAM的類(lèi)型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標(biāo)準(zhǔn)功能，但在失去電源供電時(shí)可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場(chǎng)合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（AsynchronousSRAM）的容量從4Kb到64Mb。SRAM的快速訪問(wèn)使得異步SRAM適用于小型的cache很小的嵌入式處理器的主內(nèi)存，這種處理器廣用于工業(yè)電子設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、硬盤(pán)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等等。根據(jù)晶體管類(lèi)型分類(lèi)---雙極性結(jié)型晶體管（用于TTL與ECL）—非?？焖俚枪木薮?。AI的應(yīng)用，會(huì)喚醒存儲(chǔ)技術(shù)的更多的進(jìn)步，也需要增加更多的品類(lèi)，以適應(yīng)人工智能市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲(chǔ)容量小。2、主存儲(chǔ)器內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲(chǔ)容量不大。3、外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)容量大，位成本低。4、內(nèi)存又稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器或者主存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。一般常用的微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器有磁芯存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，目前微型機(jī)的內(nèi)存都采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。在計(jì)算機(jī)中，存儲(chǔ)器被分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器兩種類(lèi)型。上海雙端口存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)品牌推薦

存儲(chǔ)器常見(jiàn)的應(yīng)用場(chǎng)景有哪些？中山高速緩沖存儲(chǔ)器價(jià)格

而負(fù)電流將該位單元的狀態(tài)改變?yōu)樨?fù)偏置。鐵電位單元使用晶體進(jìn)行存儲(chǔ),中心有一個(gè)原子。該原子位于晶體的頂部或底部。位存儲(chǔ)是該原子位置的函數(shù)。FRAM一個(gè)不幸的事實(shí)是其讀取是破壞性的,每次讀取后必須通過(guò)后續(xù)寫(xiě)入來(lái)抵消,以將該位的內(nèi)容恢復(fù)到其原始狀態(tài)。這不但耗費(fèi)時(shí)間,而且還使讀取周期消耗的功率加倍,這對(duì)那些對(duì)功耗敏感的應(yīng)用是一個(gè)潛在問(wèn)題。然而FRAM獨(dú)特的低寫(xiě)入耗電是其賣(mài)點(diǎn)。目前的FRAM存儲(chǔ)單元是基于雙晶體管,雙電阻器單元(2T2R),造成其尺寸至少是DRAM位單元的兩倍。1T1R存儲(chǔ)單元正在開(kāi)發(fā)中,只有在開(kāi)發(fā)完后,才能使FRAM成本接近DRAM的成本。磁性存儲(chǔ)器RAM或MRAM是磁記錄技術(shù)的自然結(jié)果。事實(shí)上,MRAM是早期計(jì)算機(jī)的主核存儲(chǔ)器,它被SRAM取代,然后在1970年代再被DRAM所取代。原始的MRAM它通過(guò)磁化和消磁位單元,強(qiáng)制它們進(jìn)入不同的狀態(tài)來(lái)讀取它們。這樣做所需的電流原本是可控制的,但到了大約75nm工藝節(jié)點(diǎn),電流變得無(wú)法控制的高,因?yàn)殡娏鞅３植蛔?但導(dǎo)體隨工藝縮小,導(dǎo)致電流密度高到無(wú)法接受。因此研究人員開(kāi)始嘗試新的方法,從STT開(kāi)始,到pSTT,現(xiàn)在大家所談?wù)摰腟TT-MRAM都是pSTT-MRAM。MRAM技術(shù)還有SOT(旋轉(zhuǎn)軌道隧道),它采用三端式MTJ結(jié)構(gòu),將讀取和寫(xiě)入路徑分開(kāi)。中山高速緩沖存儲(chǔ)器價(jià)格