但是寫操作仍要保留一個(gè)"預(yù)充"時(shí)間,所以總的時(shí)間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲(chǔ)器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個(gè)"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時(shí)間后FRAM一個(gè)完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時(shí)序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號(hào)產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價(jià)格較高但速度快,由于存在"預(yù)充"問題,在時(shí)序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點(diǎn),讀寫速度快并可以像非易失性存儲(chǔ)器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點(diǎn),訪問次數(shù)是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問次數(shù)是100萬次,比flash壽命長10倍,但是并不是說在超過這個(gè)次數(shù)之后,FRAM就會(huì)報(bào)廢,而是它只只沒有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問速度要快得多。缺芯雖有負(fù)面影響，但也為國產(chǎn)芯片得發(fā)展提供了更多的機(jī)會(huì)，國產(chǎn)替換呼聲日高。上海隨機(jī)存儲(chǔ)器國產(chǎn)品牌推薦

    標(biāo)準(zhǔn)8051核的一個(gè)機(jī)器周期包括12個(gè)時(shí)鐘周期,ALE信號(hào)在每個(gè)機(jī)器周期中兩次有效,除了對(duì)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器訪問時(shí)只有效一次。8051對(duì)外部存儲(chǔ)器的讀或?qū)懖僮餍枰獌蓚€(gè)機(jī)器周期?？焖傩?051如DS87C520或W77E58的一個(gè)機(jī)器周期只需4個(gè)時(shí)鐘周期,而在一些新的如PHILIPS的8051中一個(gè)機(jī)器周期為6個(gè)時(shí)鐘周期,而在任何一個(gè)機(jī)器周期中ALE信號(hào)都兩次有效。盡管有這些不同,仍可以用ALE信號(hào)和地址片選來產(chǎn)生可用作FRAM訪問CE的信號(hào)。要保證對(duì)FM1808的正確訪問,必須注意兩點(diǎn)：較早,訪問時(shí)間必須大于70ns（即FRAM的訪問時(shí)間）；第二,ALE的高電平寬度必須大于60ns。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的8051/52ALE信號(hào)的寬度因不同廠家略有不同,一些快速的8051/52系列如DALLAS的DS87C520,WINBOND的W77E58則更窄一些。要實(shí)現(xiàn)對(duì)FM1808的正常操作,對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)8051/52來說主頻不能高于20MHZ,而對(duì)于高速型的8051/52主頻不應(yīng)高于23MHz。FM1808與8051接口電路使用8051的ALE信號(hào)和由地址產(chǎn)生的片選信號(hào)相“或”來產(chǎn)生CE的正跳變。兩片32K8的FRAM存儲(chǔ)器,A15與ALE通過74FC32相"或"作為U2的片選,取反后作為U3的片選。所以,U2的地址為0~7FFFH,U3的地址為8000H~FFFFH。8051的RD信號(hào)與PSEN信號(hào)相“與”后作為U3的輸出允許。中山嵌入式存儲(chǔ)器多少錢儲(chǔ)器是許多存儲(chǔ)單元的總和，按單元號(hào)順序排列。

    但是決定使用FRAM之前,必須確定系統(tǒng)中一旦超出對(duì)FRAM的100萬次訪問之后很不會(huì)有危險(xiǎn)。FRAM與SRAM：從速度、價(jià)格及使用方便來看SRAM優(yōu)于FRAM,但是從整個(gè)設(shè)計(jì)來看,FRAM還有一定的優(yōu)勢。假設(shè)設(shè)計(jì)中需要大約3K字節(jié)的SRAM,還要幾百個(gè)字節(jié)用來保存啟動(dòng)代碼的E2PROM配置。非易失性的FRAM可以保存啟動(dòng)程序和配置信息。如果應(yīng)用中所有存儲(chǔ)器的很大訪問速度是70ns,那么可以使用一片F(xiàn)RAM完成這個(gè)系統(tǒng),使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加簡單。FRAM與DRAM：DRAM適用于那些密度和價(jià)格比速度更重要的場合。例如DRAM是圖形顯示存儲(chǔ)器的很佳選擇,有大量的像素需要存儲(chǔ),而恢復(fù)時(shí)間并不是很重要。如果不需要下次開機(jī)時(shí)保存上次內(nèi)容,使用易失性的DRAM存儲(chǔ)器就可以。DRAM的作用與成本是FRAM無法比擬的,事實(shí)證明,DRAM不是FRAM所能取代的。FRAM與Flash：很常用的程序存儲(chǔ)器是Flash,它使用十分方便而且越來越便宜。程序存儲(chǔ)器必須是非易失性的并且要相對(duì)低廉,且比較容易改寫,而使用FRAM會(huì)受訪問次數(shù)的限制,多次讀取之后會(huì)失去其非易失性。在大多數(shù)的8051系統(tǒng)中,對(duì)存儲(chǔ)器的片選信號(hào)通常允許在多個(gè)讀寫訪問操作時(shí)保持為低。但這對(duì)FM1808不適用,必須在每次訪問時(shí)由硬件產(chǎn)生一個(gè)正跳變。

因此可以節(jié)省閃存所需的高擦除能耗,以及慢擦除周期引起的延遲(該屬性稱為原位編程)。與閃存相比,這些新技術(shù)的寫入過程能量要求非常低,減少或消除了對(duì)低效電荷泵的需求。所有這些新技術(shù)都提供隨機(jī)數(shù)據(jù)訪問,減少了保留兩個(gè)副本：一個(gè)在閃存,一個(gè)在DRAM的需求。不用說,無論何時(shí)使用任何新型的存儲(chǔ)器技術(shù)來取代當(dāng)今的傳統(tǒng)DRAM+NAND閃存架構(gòu),所有這些屬性都將帶來明顯的功率節(jié)省以及性能提升。新型存儲(chǔ)器類型包含下列幾種。大多數(shù)新型存儲(chǔ)器技術(shù)擁有下列屬性：所有這些都是非易失性或持久性的,對(duì)比于需要定期刷新、高耗電量需求的DRAM具有明顯的優(yōu)勢。它們都不需要閃存所需的高電荷泵擦除/寫入電壓。它們都沒有使用閃存(NAND和NOR)所需的笨拙的塊擦除/頁寫入方法,從而明顯降低了寫入耗電需求,同時(shí)提高了寫入速度。其中一些可以通過工藝來縮小尺寸進(jìn)而降低成本,超越了當(dāng)今根深蒂固的存儲(chǔ)器技術(shù)：DRAM和閃存。選擇器裝置：許多這些存儲(chǔ)器類型之間的一個(gè)重要差別是它們是如何被尋址的,這是通過位選擇器進(jìn)行的。有些選擇器元件是晶體管,這會(huì)限縮存儲(chǔ)器單元尺寸的微小程度。其他的使用二極管(Diode)或其他雙端選擇器元件,這能縮小存儲(chǔ)器單元的大小,并有助于將存儲(chǔ)器位堆疊成3D陣列。深圳存儲(chǔ)器代理，全系列存儲(chǔ)器芯片IC，性價(jià)比高。

怎樣對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行分類：一、按存儲(chǔ)介質(zhì)分：1、磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料制作而成的存儲(chǔ)器。2、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：即是用半導(dǎo)體元器件組成的存儲(chǔ)器。二、按存儲(chǔ)方式分：1、順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。2、隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容，都可被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。三、按存儲(chǔ)器的讀寫功能分：1、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫入，屬半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。2、只讀存儲(chǔ)器(ROM)：存儲(chǔ)內(nèi)容固定不變，只能讀出而不能寫入，屬半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。原裝系列存儲(chǔ)器現(xiàn)貨輔助存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的長期存儲(chǔ)器，它通常由硬盤驅(qū)動(dòng)器或固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器組成。深圳大容量存儲(chǔ)器原廠方案

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    存儲(chǔ)器分為內(nèi)存儲(chǔ)器(簡稱主存或內(nèi)存)和外存儲(chǔ)器(簡稱輔存或外存)。內(nèi)存儲(chǔ)器：內(nèi)存儲(chǔ)器是一個(gè)廣為的統(tǒng)稱,它包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器以及主存儲(chǔ)器。它用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)開始運(yùn)行,操作系統(tǒng)就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進(jìn)行運(yùn)算。當(dāng)運(yùn)算完成,CPU將結(jié)果傳送出來。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM）,“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容,并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給DRAM的電容充電,故DRAM速度比SRAM慢。內(nèi)存包括ram和rom。rom一般都很小,主要用來存儲(chǔ)bios以及一些信息(比方內(nèi)存條上除了ram還有一些rom用于存儲(chǔ)ram的信息）,只不過rom的大小一般都很小往往被忽略,所以有時(shí)候我們說到內(nèi)存也特指是ram,即是運(yùn)存。另一方面,這種簡單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM,一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容,而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件,故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢。上海隨機(jī)存儲(chǔ)器國產(chǎn)品牌推薦