再加上NAND閃存的邏輯為電子盤(pán)模塊結(jié)構(gòu)。內(nèi)部不存在專(zhuān)門(mén)的存儲(chǔ)控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無(wú)法修,可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣為應(yīng)用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng),NAND閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng).NOR和NAND是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼,這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫(xiě)入和擦除速度很大地影響了它的性能。microchip存儲(chǔ)器芯片全系列?；葜菘刹量删幊檀鎯?chǔ)器

    所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證,有一些還通過(guò)了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)作都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn),提高客戶的總體滿意度。ATMDL的質(zhì)量體系二：ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì),以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開(kāi)發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶和大學(xué)合作進(jìn)行,從而獲得先進(jìn)的功能模塊,以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。存儲(chǔ)器的工作原理：對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí),行地址首先將RAS鎖存于芯片中,然后列地址將CAS鎖存于芯片中,WE有效,寫(xiě)入數(shù)據(jù),則寫(xiě)入的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)于指定的單元中。對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出操作時(shí),CPU首先輸出RAS鎖存信號(hào),獲得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的行地址,然后輸出CAS鎖存信號(hào),獲得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的列地址,保持WE=1,便可將已知行列地址的存儲(chǔ)單元中數(shù)據(jù)讀取出來(lái)。作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的創(chuàng)建之父,ATMEL將繼續(xù)把這個(gè)重要能力集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品(比如PC,存儲(chǔ)產(chǎn)品,DVD,娛樂(lè)平臺(tái),游戲和玩具)服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中。浙江程序存儲(chǔ)器全型號(hào)深圳千百路工業(yè)科技公司提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器。

而負(fù)電流將該位單元的狀態(tài)改變?yōu)樨?fù)偏置。鐵電位單元使用晶體進(jìn)行存儲(chǔ),中心有一個(gè)原子。該原子位于晶體的頂部或底部。位存儲(chǔ)是該原子位置的函數(shù)。FRAM一個(gè)不幸的事實(shí)是其讀取是破壞性的,每次讀取后必須通過(guò)后續(xù)寫(xiě)入來(lái)抵消,以將該位的內(nèi)容恢復(fù)到其原始狀態(tài)。這不但耗費(fèi)時(shí)間,而且還使讀取周期消耗的功率加倍,這對(duì)那些對(duì)功耗敏感的應(yīng)用是一個(gè)潛在問(wèn)題。然而FRAM獨(dú)特的低寫(xiě)入耗電是其賣(mài)點(diǎn)。目前的FRAM存儲(chǔ)單元是基于雙晶體管,雙電阻器單元(2T2R),造成其尺寸至少是DRAM位單元的兩倍。1T1R存儲(chǔ)單元正在開(kāi)發(fā)中,只有在開(kāi)發(fā)完后,才能使FRAM成本接近DRAM的成本。磁性存儲(chǔ)器RAM或MRAM是磁記錄技術(shù)的自然結(jié)果。事實(shí)上,MRAM是早期計(jì)算機(jī)的主核存儲(chǔ)器,它被SRAM取代,然后在1970年代再被DRAM所取代。原始的MRAM它通過(guò)磁化和消磁位單元,強(qiáng)制它們進(jìn)入不同的狀態(tài)來(lái)讀取它們。這樣做所需的電流原本是可控制的,但到了大約75nm工藝節(jié)點(diǎn),電流變得無(wú)法控制的高,因?yàn)殡娏鞅３植蛔?但導(dǎo)體隨工藝縮小,導(dǎo)致電流密度高到無(wú)法接受。因此研究人員開(kāi)始嘗試新的方法,從STT開(kāi)始,到pSTT,現(xiàn)在大家所談?wù)摰腟TT-MRAM都是pSTT-MRAM。MRAM技術(shù)還有SOT(旋轉(zhuǎn)軌道隧道),它采用三端式MTJ結(jié)構(gòu),將讀取和寫(xiě)入路徑分開(kāi)。

    存儲(chǔ)器分為內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)主存或內(nèi)存)和外存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱(chēng)輔存或外存)。內(nèi)存儲(chǔ)器：內(nèi)存儲(chǔ)器是一個(gè)廣為的統(tǒng)稱(chēng),它包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器以及主存儲(chǔ)器。它用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)開(kāi)始運(yùn)行,操作系統(tǒng)就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進(jìn)行運(yùn)算。當(dāng)運(yùn)算完成,CPU將結(jié)果傳送出來(lái)。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM）,“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容,并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給DRAM的電容充電,故DRAM速度比SRAM慢。內(nèi)存包括ram和rom。rom一般都很小,主要用來(lái)存儲(chǔ)bios以及一些信息(比方內(nèi)存條上除了ram還有一些rom用于存儲(chǔ)ram的信息）,只不過(guò)rom的大小一般都很小往往被忽略,所以有時(shí)候我們說(shuō)到內(nèi)存也特指是ram,即是運(yùn)存。另一方面,這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM,一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容,而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件,故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。大容量存儲(chǔ)器芯片現(xiàn)貨庫(kù)存。

它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。根據(jù)存儲(chǔ)材料的性能及使用方法的不同,存儲(chǔ)器有幾種不同的分類(lèi)方法。如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。按存儲(chǔ)方式分為隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取,且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無(wú)關(guān)。順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來(lái)存取,存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。按存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)功能分類(lèi)：為只讀存儲(chǔ)器(ROM)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫(xiě)入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分類(lèi)非長(zhǎng)憶存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。長(zhǎng)憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。按在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分類(lèi)主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）：用于存放活動(dòng)的程序和數(shù)據(jù),其速度高、容量較小、每位價(jià)位高。輔助存儲(chǔ)器（外存）：主要用于存放當(dāng)前不活躍的程序和數(shù)據(jù),其速度慢、容量大、每位價(jià)位低。緩沖存儲(chǔ)器：主要在兩個(gè)不同工作速度的部件起緩沖作用。存儲(chǔ)系統(tǒng)的分級(jí)結(jié)構(gòu)：在MCS-51系列單片機(jī)中,程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器互相自成一體,物理結(jié)構(gòu)也不相同。專(zhuān)業(yè)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，產(chǎn)品系列完整。浙江程序存儲(chǔ)器全型號(hào)

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    同樣的,容量越大,速度也就越慢,速度和容量不可兼得,速度高必然貴并且容量小。鐵電存儲(chǔ)器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中很常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中很常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。由于鐵電存儲(chǔ)器不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）一樣密集（即在同樣的空間中不能存儲(chǔ)像它們一樣多的數(shù)據(jù)）,它很可能不能取代這些技術(shù)。然而,由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲(chǔ),它有望在消費(fèi)者的小型設(shè)備中得到廣為地應(yīng)用,比如個(gè)人數(shù)字助理（PDA）、手機(jī)、功率表、智能卡以及安全系統(tǒng)。鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）比閃存更快。在一些應(yīng)用上,它也有可能替代電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）,并成為未來(lái)的無(wú)線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。惠州可擦可編程存儲(chǔ)器