存儲器的簡稱和用途特點1、高速緩沖存儲器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲容量小。2、主存儲器內存存放計算機運行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲容量不大。3、外存儲器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫存儲容量大，位成本低。4、內存又稱為內存儲器或者主存儲器，是計算機中的主要部件，它是相對于外存而言的。內存的質量好壞與容量大小會影響計算機的運行速度。一般常用的微型計算機的存儲器有磁芯存儲器和半導體存儲器，目前微型機的內存都采用半導體存儲器。國產(chǎn)存儲器品類和質量都在不斷提高，越來越多的電子產(chǎn)品選型國產(chǎn)存儲器。程序存儲器原廠方案

動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DRAM則主要用于計算機的內存條等領域。中國聯(lián)保網(wǎng)記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。日常使用的十進制數(shù)必須轉換成等值的二進制數(shù)才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字符，例如英文字母、運算符號等，也要轉換成二進制代碼才能存儲和操作。上海嵌入式控制存儲器哪家便宜在計算機中，存儲器被分為主存儲器和輔助存儲器兩種類型。

之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計算機掉電數(shù)據(jù)丟失問題，但是閃存有擦寫次數(shù)有限，隨機寫性能較差，寫延遲較大等的缺點，而采用相變存儲器或者基于相變存儲器的異構主存方法可以更好地解決上述問題；②相變存儲器的隨機讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)?？茖W計算中小粒度隨機I/O對磁盤訪問所造成的I/O瓶頸，用相變存儲器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬盤具有很大的優(yōu)勢；③閃存和相變存儲器都是新型非易失性存儲器，沒有機械裝置并且可隨機讀寫，但是和相變存儲器相比，閃存的讀寫性能略顯不足，特別是寫入前需要整塊擦除的缺陷，導致閃存只能通過一系列更加復雜的技術化才能替代存儲系統(tǒng)的部分功能。

因此DRAM不適合作為啟動、應用程序、操作系統(tǒng)等等代碼(Code)存儲使用,系統(tǒng)須搭配其他非易失性存儲器來執(zhí)行代碼存儲功能。另外,由于其多路尋址技術,DRAM也相對較慢。DRAM行地址選擇和列行地址選擇讓隨機讀取需花費25到300奈秒(ns)的時間,而這個延長的時間導致更高的總能量消耗。閃存存儲的數(shù)據(jù)不會衰減,斷電后可以保持其內容多年,但NOR閃存比DRAM貴很多,而NAND閃存是順序讀取而且無法存取至特定的字節(jié)。這與計算機運算隨機尋址讀取的需求并不匹配。所以NAND閃存必須與DRAM配對才能用于代碼存儲使用。與DRAM一樣,NAND閃存也具有某些特性導致其消耗的功率超出預期。首先,它需要使用片上(On-Chip)電荷泵產(chǎn)生高內部電壓。其次NAND閃存的寫入速度也很慢。麻煩的是,NAND閃存在寫入時不能直接覆蓋舊數(shù)據(jù),在將新數(shù)據(jù)寫入閃存之前須先擦除(Erase)原有存儲的數(shù)據(jù),并且必須一次寫入整個頁面(Page,通常為8,096字節(jié)),無法只寫入單一特定的字節(jié)。閃存技術不使用相同的機制來編程或擦除內容,不能只擦除單位(bit)、字節(jié)(byte)或頁面,而是必須整塊(Block),個塊通常包含數(shù)十萬個頁面。頁面寫入是一個緩慢且耗能的過程,通常需要300微秒(μs)時間并消耗80微焦耳(與讀取時的2微焦耳相比)能量。輔助存儲器的訪問速度相對較慢，但它具有非常重要的作用。

據(jù)悉,國內微電子集成電路先導工藝研發(fā)團隊經(jīng)過三年攻關,成功制備國內首例80納米自旋轉移矩-磁隨機存儲器器件,此項技術應用后,電腦死機也會保留所有數(shù)據(jù),手機待機時間也有望大幅提高。存儲器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)均采用寄存、主存加硬盤的存儲體系結構。與之相對應,靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存儲器（DRAM）、閃存（Flash）或硬盤（HDD）成為實現(xiàn)這三種存儲體系的傳統(tǒng)存儲技術。一臺電腦中,靜態(tài)隨機存儲器對應的是CPU內的存儲器,其特點是速度快,但容量小；動態(tài)隨機存儲器對應的是電腦主板上的內存條；閃存或者硬盤對應的就是電腦里的固態(tài)硬盤或者機械硬盤,其特點是速度慢,但容量大。前兩者屬于易失性存儲器,斷電數(shù)據(jù)就會丟失。而后者斷電數(shù)據(jù)不丟失。傳統(tǒng)的存儲方式中,數(shù)據(jù)需要分級存儲,同樣使用時也要分級調取。隨著信息和納米加工技術高速發(fā)展,基于傳統(tǒng)存儲體系構建的電子系統(tǒng)正面臨著巨大的挑戰(zhàn)。一方面新興的移動計算、云計算等和大型數(shù)據(jù)中心對數(shù)據(jù)提出極高要求,傳統(tǒng)的緩存及主存一旦斷電,關鍵數(shù)據(jù)就會發(fā)生丟失。因此,數(shù)據(jù)必須不斷備份到閃存或硬盤上,該過程嚴重影響了數(shù)據(jù)的訪存性能,我們打開頁面時,就會遭遇“卡頓”。此外。存儲器的應用場景有哪些？廣東大容量存儲器全系列

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SRAM的主要用途---主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（corecellsarray），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(SenseAmplifier），控制電路（controlcircuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。程序存儲器原廠方案