但是寫操作仍要保留一個(gè)"預(yù)充"時(shí)間,所以總的時(shí)間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲(chǔ)器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個(gè)"預(yù)充電"過(guò)程,來(lái)恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時(shí)間后FRAM一個(gè)完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時(shí)序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號(hào)產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價(jià)格較高但速度快,由于存在"預(yù)充"問(wèn)題,在時(shí)序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點(diǎn),讀寫速度快并可以像非易失性存儲(chǔ)器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點(diǎn),訪問(wèn)次數(shù)是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問(wèn)次數(shù)是100萬(wàn)次,比f(wàn)lash壽命長(zhǎng)10倍,但是并不是說(shuō)在超過(guò)這個(gè)次數(shù)之后,FRAM就會(huì)報(bào)廢,而是它只只沒(méi)有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問(wèn)速度要快得多。microchip存儲(chǔ)器芯片全系列。廣州嵌入式控制存儲(chǔ)器價(jià)格

    每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲(chǔ)器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn),NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃?。Flash存儲(chǔ)器壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,根本不劃算。NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。Flash存儲(chǔ)器易于使用可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。江蘇存儲(chǔ)器方案支持存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，它用于存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)和指令。

    FLASH閃存的英文名稱是"FlashMemory",一般簡(jiǎn)稱為"Flash",它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性（Non-Volatile）內(nèi)存。閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存有根本性的差異：目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬于揮發(fā)性內(nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無(wú)法保持,因此每次電腦開(kāi)機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存；閃存在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤,這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。閃存是一種非易失性（Non-Volatile）內(nèi)存,在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤,這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。NAND閃存的存儲(chǔ)單元?jiǎng)t采用串行結(jié)構(gòu),存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁(yè)和塊為單位來(lái)進(jìn)行（一頁(yè)包含若干字節(jié),若干頁(yè)則組成儲(chǔ)存塊,NAND的存儲(chǔ)塊大小為8到32KB）,這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于容量可以做得很大,超過(guò)512MB容量的NAND產(chǎn)品相當(dāng)普遍,NAND閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。NAND閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢,它的I/O端口只有8個(gè),比NOR要少多了。這區(qū)區(qū)8個(gè)I/O端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比NOR閃存的并行傳輸模式慢得多。

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)正面臨產(chǎn)能爬坡的挑戰(zhàn)。根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售經(jīng)驗(yàn)豐富副總裁龔翊介紹,目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)有一座12英寸晶圓廠,規(guī)劃滿產(chǎn)的產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月,預(yù)計(jì)2020年底前產(chǎn)能將達(dá)5萬(wàn)~10萬(wàn)片/月,后續(xù)將根據(jù)市場(chǎng)情況進(jìn)一步擴(kuò)大。據(jù)前列財(cái)經(jīng)了解,目前產(chǎn)能約為2萬(wàn)片/月。據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)副董事長(zhǎng)楊道虹日前表示,將盡早達(dá)成64層3D閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片,并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能。龔翊披露,按計(jì)劃今年年底前集成長(zhǎng)江存儲(chǔ)3DNAND閃存的產(chǎn)品將逐步面市。首先是針對(duì)電子消費(fèi)產(chǎn)品和手機(jī)的市場(chǎng),隨后將會(huì)針對(duì)PC和服務(wù)器提供SSD產(chǎn)品。其中,在固態(tài)閃存市場(chǎng)將會(huì)根據(jù)客戶需求,先后推出面向PC、服務(wù)器以及大數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)未披露目前的良率,不過(guò)楊士寧確認(rèn),下一代產(chǎn)品規(guī)劃將跳過(guò)96層,直接進(jìn)入128層3DNAND閃存研發(fā)。雖然完成了萬(wàn)里長(zhǎng)征前列步,但長(zhǎng)江存儲(chǔ)的擔(dān)子依舊不輕。2020年,三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等國(guó)際主流廠商將更全進(jìn)入128層3DNAND,長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍需奮力追趕。外存儲(chǔ)器要求計(jì)算機(jī)從一個(gè)外貯藏裝置例如磁帶或磁盤中讀取信息。

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，它用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行所需的數(shù)據(jù)和程序。存儲(chǔ)器的種類有很多，包括內(nèi)存、硬盤、固態(tài)硬盤等。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中**常用的存儲(chǔ)器，它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù)，是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的關(guān)鍵。硬盤則是計(jì)算機(jī)中的主要存儲(chǔ)設(shè)備，它可以長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)和程序，并且容量較大，適合存儲(chǔ)大量的文件和數(shù)據(jù)。固態(tài)硬盤則是一種新型的存儲(chǔ)器，它具有讀寫速度快、耐用、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，逐漸成為計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的主流。無(wú)論是哪種存儲(chǔ)器，都需要注意保護(hù)和維護(hù)，避免數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此，我們應(yīng)該定期備份數(shù)據(jù)，避免存儲(chǔ)器過(guò)度使用，以保證計(jì)算機(jī)的正常運(yùn)行。存儲(chǔ)器IC系列全型號(hào)選型。深圳存儲(chǔ)器芯片現(xiàn)貨，深圳千百路工電子提供一站式服務(wù)。東莞新型存儲(chǔ)器技術(shù)資料

專業(yè)存儲(chǔ)芯片，選千百路科技，提供樣品和小批量，真誠(chéng)服務(wù)。廣州嵌入式控制存儲(chǔ)器價(jià)格

    同樣的,容量越大,速度也就越慢,速度和容量不可兼得,速度高必然貴并且容量小。鐵電存儲(chǔ)器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中很常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器（FRAM,ferroelectricRAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中很常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來(lái)。由于鐵電存儲(chǔ)器不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）一樣密集（即在同樣的空間中不能存儲(chǔ)像它們一樣多的數(shù)據(jù)）,它很可能不能取代這些技術(shù)。然而,由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲(chǔ),它有望在消費(fèi)者的小型設(shè)備中得到廣為地應(yīng)用,比如個(gè)人數(shù)字助理（PDA）、手機(jī)、功率表、智能卡以及安全系統(tǒng)。鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）比閃存更快。在一些應(yīng)用上,它也有可能替代電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）,并成為未來(lái)的無(wú)線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。廣州嵌入式控制存儲(chǔ)器價(jià)格