長(zhǎng)期被國(guó)際巨頭壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)終于迎來(lái)了中國(guó)玩家。在面對(duì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)一起經(jīng)歷國(guó)產(chǎn)NANDFLASH從無(wú)到有的八家主要合作伙伴時(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧(Simon)說(shuō)道：“存儲(chǔ)不是一個(gè)好做的行業(yè),我可以很負(fù)責(zé)任跟大家說(shuō),比我在英特爾做CPU還要難?！倍L(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)、紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼CEO趙偉國(guó)在現(xiàn)場(chǎng)也坦言,從2016年7月成立到現(xiàn)在三年多,長(zhǎng)江存儲(chǔ)這一“中國(guó)半導(dǎo)體有史以來(lái)比較大的項(xiàng)目”,經(jīng)歷了從32層到64層研發(fā),過(guò)程非常不容易,“回想這三年多,真的是有一種雄關(guān)漫道真如鐵的感覺(jué)?！迸c此同時(shí),經(jīng)歷了一年多大蕭條的存儲(chǔ)器市場(chǎng)逐漸回暖,長(zhǎng)江存儲(chǔ)這一國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠商將迎來(lái)發(fā)展良機(jī)。“超出預(yù)期”存儲(chǔ)器約占全球半導(dǎo)體產(chǎn)值的三分之一,市場(chǎng)高度集中。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)信息顯示,2019年第三季度,三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾和SK海力士六家占據(jù)了全球Flash市場(chǎng)份額。趙偉國(guó)稱(chēng)其是一個(gè)“非常血性的行業(yè),非常慘烈”。不過(guò),被客戶(hù)評(píng)價(jià)“踏實(shí)、不虛浮”的楊士寧對(duì)自己的產(chǎn)品較為自信,“這是我們前列次全線推出Xtacking技術(shù),我們?cè)?4層這一代存儲(chǔ)密度達(dá)到了全球比較好,和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手96層的產(chǎn)品差距在10%之內(nèi)。所以只要我們有規(guī)模。深圳存儲(chǔ)器代理，全系列存儲(chǔ)器芯片IC，性?xún)r(jià)比高。廣州可讀可寫(xiě)可編程存儲(chǔ)器排行榜

    各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時(shí)。必須先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫(xiě)入信息需要相當(dāng)?shù)募记?因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫(xiě)入,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。Flash存儲(chǔ)器軟件支持當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫(xiě)/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤(pán)仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD),NAND和NOR器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要MTD。使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件,這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng)。存儲(chǔ)器發(fā)現(xiàn)者1957年,受雇于索尼公司的江崎玲於奈（LeoEsaki,1925～）在改良高頻晶體管2T7的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)增加PN結(jié)兩端的電壓時(shí)電流反而減少,江崎玲於奈將這種反常的負(fù)電阻現(xiàn)象解釋為隧道效應(yīng)。此后,江崎利用這一效應(yīng)制成了隧道二極管（也稱(chēng)江崎二極管）。1960年,美裔挪威籍科學(xué)家加埃沃（IvanGiaever,1929～）通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明了在超導(dǎo)體隧道結(jié)中存在單電子隧道效應(yīng)?；葜萸度胧娇刂拼鎯?chǔ)器應(yīng)用技術(shù)千百路電子存儲(chǔ)器芯片經(jīng)營(yíng)，多品牌原裝芯片，提供多種解決方案，優(yōu)化工業(yè)生產(chǎn)。

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中非常重要的組成部分，它是計(jì)算機(jī)中用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的設(shè)備。存儲(chǔ)器可以分為內(nèi)存和外存兩種類(lèi)型。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中的主要存儲(chǔ)器，它是計(jì)算機(jī)中用來(lái)存儲(chǔ)正在運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)的設(shè)備。內(nèi)存的速度非常快，可以快速地讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)，因此它是計(jì)算機(jī)中**重要的存儲(chǔ)器之一。內(nèi)存的容量通常比較小，但是它可以通過(guò)擴(kuò)展內(nèi)存條來(lái)增加容量。外存則是計(jì)算機(jī)中的輔助存儲(chǔ)器，它通常是硬盤(pán)、光盤(pán)、U盤(pán)等設(shè)備。外存的容量比較大，可以存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)和程序，但是讀取和寫(xiě)入速度比內(nèi)存慢。除了內(nèi)存和外存之外，還有一種叫做緩存的存儲(chǔ)器。緩存是一種高速緩存存儲(chǔ)器，它通常位于CPU和內(nèi)存之間，用來(lái)加速CPU對(duì)內(nèi)存的訪問(wèn)。緩存的容量比較小，但是讀取和寫(xiě)入速度非常快，可以**提高計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。緩存分為一級(jí)緩存和二級(jí)緩存，一級(jí)緩存通常位于CPU內(nèi)部，容量比較小，但是速度非?？欤欢?jí)緩存通常位于CPU外部，容量比一級(jí)緩存大，但是速度比一級(jí)緩存慢。總之，存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中非常重要的組成部分，它可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序，為計(jì)算機(jī)的運(yùn)行提供支持。內(nèi)存、外存和緩存是存儲(chǔ)器的三種類(lèi)型，它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇和使用。

ATMEL對(duì)質(zhì)量有哪些承諾？ATMEL在全球擁有40個(gè)設(shè)計(jì)中心,分別專(zhuān)注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。為了開(kāi)發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)流程,在投片之前大量使用仿真平臺(tái)進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計(jì)周期并消除了很多錯(cuò)誤。為了支持高附加值的產(chǎn)品,ATMEL建立了一個(gè)豐富的IP庫(kù)。庫(kù)里包括RISC微控制器和外設(shè),DSP核,嵌入式存儲(chǔ)器,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口,高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器,RF電路和電源管理宏單元。ATMEL在各個(gè)層次都對(duì)質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證,有一些還通過(guò)了ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)做都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn),提高客戶(hù)的總體滿意度。ATMEL的質(zhì)量小組與客戶(hù)合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì),以保證ATMEL符合客戶(hù)的質(zhì)量要求。從客戶(hù)項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法,是已經(jīng)在實(shí)行的研發(fā)合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶(hù)、大學(xué)合作進(jìn)行,從而獲得更進(jìn)一步的功能模塊,以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。深圳千百路工業(yè)科技公司提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器。

    每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲(chǔ)器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn),NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見(jiàn)于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃?。Flash存儲(chǔ)器壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,根本不劃算。NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。Flash存儲(chǔ)器易于使用可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。外存儲(chǔ)器要求計(jì)算機(jī)從一個(gè)外貯藏裝置例如磁帶或磁盤(pán)中讀取信息。廣東AT愛(ài)特梅爾存儲(chǔ)器排行榜

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因此可以節(jié)省閃存所需的高擦除能耗,以及慢擦除周期引起的延遲(該屬性稱(chēng)為原位編程)。與閃存相比,這些新技術(shù)的寫(xiě)入過(guò)程能量要求非常低,減少或消除了對(duì)低效電荷泵的需求。所有這些新技術(shù)都提供隨機(jī)數(shù)據(jù)訪問(wèn),減少了保留兩個(gè)副本：一個(gè)在閃存,一個(gè)在DRAM的需求。不用說(shuō),無(wú)論何時(shí)使用任何新型的存儲(chǔ)器技術(shù)來(lái)取代當(dāng)今的傳統(tǒng)DRAM+NAND閃存架構(gòu),所有這些屬性都將帶來(lái)明顯的功率節(jié)省以及性能提升。新型存儲(chǔ)器類(lèi)型包含下列幾種。大多數(shù)新型存儲(chǔ)器技術(shù)擁有下列屬性：所有這些都是非易失性或持久性的,對(duì)比于需要定期刷新、高耗電量需求的DRAM具有明顯的優(yōu)勢(shì)。它們都不需要閃存所需的高電荷泵擦除/寫(xiě)入電壓。它們都沒(méi)有使用閃存(NAND和NOR)所需的笨拙的塊擦除/頁(yè)寫(xiě)入方法,從而明顯降低了寫(xiě)入耗電需求,同時(shí)提高了寫(xiě)入速度。其中一些可以通過(guò)工藝來(lái)縮小尺寸進(jìn)而降低成本,超越了當(dāng)今根深蒂固的存儲(chǔ)器技術(shù)：DRAM和閃存。選擇器裝置：許多這些存儲(chǔ)器類(lèi)型之間的一個(gè)重要差別是它們是如何被尋址的,這是通過(guò)位選擇器進(jìn)行的。有些選擇器元件是晶體管,這會(huì)限縮存儲(chǔ)器單元尺寸的微小程度。其他的使用二極管(Diode)或其他雙端選擇器元件,這能縮小存儲(chǔ)器單元的大小,并有助于將存儲(chǔ)器位堆疊成3D陣列。廣州可讀可寫(xiě)可編程存儲(chǔ)器排行榜