SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點(diǎn)是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴?；咎攸c(diǎn)特點(diǎn)歸納：◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價(jià)格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。◎SRAM使用的系統(tǒng)：○CPU與主存之間的高速緩存?！餋PU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存?！餋PU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存?！餋MOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。深圳千百路工業(yè)科技公司提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器?；葜菸⑿緈icrochip存儲(chǔ)器多少錢

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM，一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。SRAM多用于對(duì)性能要求極高的地方（如CPU的一級(jí)二級(jí)緩沖），而DRAM則主要用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條等領(lǐng)域。中國(guó)聯(lián)保網(wǎng)記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。日常使用的十進(jìn)制數(shù)必須轉(zhuǎn)換成等值的二進(jìn)制數(shù)才能存入存儲(chǔ)器中。計(jì)算機(jī)中處理的各種字符，例如英文字母、運(yùn)算符號(hào)等，也要轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制代碼才能存儲(chǔ)和操作。江蘇掩膜只讀存儲(chǔ)器方案支持存儲(chǔ)器常見的應(yīng)用場(chǎng)景有哪些？

ATMEL的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)：作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)元老,ATMEL將把非易失性這個(gè)重要技術(shù)集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中,例如PC,存儲(chǔ)產(chǎn)品,DVD,娛樂平臺(tái),游戲產(chǎn)品和玩具等。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系外,ATMEL的高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工控、圖像處理和汽車設(shè)備上。ATMEL公司是是世界上高級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和行銷的先導(dǎo)者,產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲(chǔ)器、安全芯片、混合信號(hào)及RF射頻集成電路。通過這些重要技術(shù)的組合,ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片,以滿足當(dāng)今電子工程師不斷增長(zhǎng)和演進(jìn)的需求。

它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。根據(jù)存儲(chǔ)材料的性能及使用方法的不同,存儲(chǔ)器有幾種不同的分類方法。如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用半導(dǎo)體器件組成的存儲(chǔ)器。磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料做成的存儲(chǔ)器。按存儲(chǔ)方式分為隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都能被隨機(jī)存取,且存取時(shí)間和存儲(chǔ)單元的物理位置無(wú)關(guān)。順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來(lái)存取,存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。按存儲(chǔ)器的讀寫功能分類：為只讀存儲(chǔ)器(ROM)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的,只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分類非長(zhǎng)憶存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。長(zhǎng)憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。按在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分類主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）：用于存放活動(dòng)的程序和數(shù)據(jù),其速度高、容量較小、每位價(jià)位高。輔助存儲(chǔ)器（外存）：主要用于存放當(dāng)前不活躍的程序和數(shù)據(jù),其速度慢、容量大、每位價(jià)位低。緩沖存儲(chǔ)器：主要在兩個(gè)不同工作速度的部件起緩沖作用。存儲(chǔ)系統(tǒng)的分級(jí)結(jié)構(gòu)：在MCS-51系列單片機(jī)中,程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器互相自成一體,物理結(jié)構(gòu)也不相同。在計(jì)算機(jī)中，存儲(chǔ)器被分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器兩種類型。

    存儲(chǔ)器分為內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存)和外存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱輔存或外存)。內(nèi)存儲(chǔ)器：內(nèi)存儲(chǔ)器是一個(gè)廣為的統(tǒng)稱,它包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器以及主存儲(chǔ)器。它用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)開始運(yùn)行,操作系統(tǒng)就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進(jìn)行運(yùn)算。當(dāng)運(yùn)算完成,CPU將結(jié)果傳送出來(lái)。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM）,“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容,并用電容有無(wú)電荷來(lái)表示數(shù)字信息0和1,電容漏電很快,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給DRAM的電容充電,故DRAM速度比SRAM慢。內(nèi)存包括ram和rom。rom一般都很小,主要用來(lái)存儲(chǔ)bios以及一些信息(比方內(nèi)存條上除了ram還有一些rom用于存儲(chǔ)ram的信息）,只不過rom的大小一般都很小往往被忽略,所以有時(shí)候我們說(shuō)到內(nèi)存也特指是ram,即是運(yùn)存。另一方面,這種簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)模式也使得DRAM的集成度遠(yuǎn)高于SRAM,一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元只需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容,而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管和其他零件,故DRAM在高密度（大容量）以及價(jià)格方面均比SRAM有優(yōu)勢(shì)。計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器可分成內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器。珠?？刹量删幊檀鎯?chǔ)器哪家便宜

專業(yè)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，產(chǎn)品系列完整。惠州微芯microchip存儲(chǔ)器多少錢

    但是寫操作仍要保留一個(gè)"預(yù)充"時(shí)間,所以總的時(shí)間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲(chǔ)器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個(gè)"預(yù)充電"過程,來(lái)恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時(shí)間后FRAM一個(gè)完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時(shí)序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號(hào)產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價(jià)格較高但速度快,由于存在"預(yù)充"問題,在時(shí)序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點(diǎn),讀寫速度快并可以像非易失性存儲(chǔ)器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點(diǎn),訪問次數(shù)是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問次數(shù)是100萬(wàn)次,比f(wàn)lash壽命長(zhǎng)10倍,但是并不是說(shuō)在超過這個(gè)次數(shù)之后,FRAM就會(huì)報(bào)廢,而是它只只沒有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問速度要快得多?；葜菸⑿緈icrochip存儲(chǔ)器多少錢