動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM）介紹：“動態(tài)”兩字，指的是每隔一定的時間，就需要刷新充電一次，否則存儲器內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會被去除。這是因為存儲器DRAM的每個基本單元，是由一個晶體管加一個電容所構(gòu)成，故存儲器的基本工作邏輯為二進(jìn)制。以電容中有無電荷來表示數(shù)字信號0或1。由于電容漏電快，存儲器為防止因電容漏電而致信息讀取出錯，需周期性地給DRAM電容進(jìn)行充電，故DRAM速度會比SRAM慢。同時，這種簡潔的存儲模式也使DRAM集成度遠(yuǎn)比SRAM要高。一個DRAM存儲單元只需要一個電容加一個晶體管，而每個SRAM單元則需要4-6個晶體管和其他元件，故DRAM在高密度/大容量及成本方面，均比SRAM更加占優(yōu)。電子工程師針對不同的使用領(lǐng)域，選型不同的存儲器。在對性能要求極高的地方（如CPU的一二級緩沖）多用SRAM，在計算機內(nèi)存條等場景則多用到DRAM。原裝系列存儲器現(xiàn)貨美國微芯存儲器系列現(xiàn)貨。中山隨機存儲器排行榜

    但是寫操作仍要保留一個"預(yù)充"時間,所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時間后FRAM一個完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號產(chǎn)品,但各項性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價格較高但速度快,由于存在"預(yù)充"問題,在時序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點,讀寫速度快并可以像非易失性存儲器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點,訪問次數(shù)是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問次數(shù)是100萬次,比flash壽命長10倍,但是并不是說在超過這個次數(shù)之后,FRAM就會報廢,而是它只只沒有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問速度要快得多。廣州嵌入式控制存儲器專賣microchip存儲器芯片全系列。

大型數(shù)據(jù)中心的能耗不斷攀升,基于電池技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)及移動設(shè)備也因功耗問題被人詬病。手機待機功耗中,存儲是用電“大戶”。正因為數(shù)據(jù)需要分級存儲、分級調(diào)取,速度較慢,為讓用戶體驗較快的響應(yīng)速度,數(shù)據(jù)一般存儲在靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器上,斷電數(shù)據(jù)就會丟失,因此需要一直耗電。改變這些,就需要新一代存儲器件,既具有接近靜態(tài)存儲器的納秒級讀寫速度,又具有閃存級別的容量和類似Flash的數(shù)據(jù)斷電不丟失存儲特性。自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機存儲器（STT-MRAM）就是一種接近“萬用存儲器”要求的極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。STT-MRAM由于其數(shù)據(jù)以磁狀態(tài)存儲,具有天然的抗輻照、高可靠性以及幾乎無限次的讀寫次數(shù),已被多個國度列為極具應(yīng)用前景的下一代存儲器之一?？紤]到STT-MRAM采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝,加工制備難度極大,現(xiàn)階段其基本原理還不夠完善,正是國內(nèi)發(fā)展該項技術(shù)的很好時機。國內(nèi)微電子研發(fā)團隊經(jīng)過科研攻關(guān),在STT-MRAM關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實現(xiàn)了重要突破,在國內(nèi)率先成功制備出直徑為80納米的“萬用存儲器”主核器件,器件性能良好,相關(guān)關(guān)鍵參數(shù)達(dá)到國際水平。該技術(shù)有望應(yīng)用于大型數(shù)據(jù)中心,用于降低功耗,還可用于各類移動設(shè)備,提高待機時間。

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。特點：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在關(guān)閉電源的情況下，數(shù)據(jù)也能得以保存而不丟失。相對而言，傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲器如eSRAM需要依賴持續(xù)供電以保存數(shù)據(jù)（易失性）。另外，相比于同樣是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作電壓與邏輯電壓一致（1.1V），而不像eFlash那樣需要高電壓（8-12V），且其寫入過程不需要先進(jìn)行擦寫操作。2.速度快、耐久力強：相較eFlash微秒級的擦寫速度，eMRAM可達(dá)到納秒量級，接近eSRAM。耐久力強，指的是eMRAM可反復(fù)擦寫的次數(shù)幾乎接近于無限次,高于eFlash。存儲器全系列，全新庫存，誠信經(jīng)營。

ATMEL的非易失性存儲技術(shù)：作為非易失性存儲器技術(shù)元老,ATMEL將把非易失性這個重要技術(shù)集成到為計算和消費產(chǎn)品服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中,例如PC,存儲產(chǎn)品,DVD,娛樂平臺,游戲產(chǎn)品和玩具等。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系外,ATMEL的高密度存儲器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工控、圖像處理和汽車設(shè)備上。ATMEL公司是是世界上高級半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計、制造和行銷的先導(dǎo)者,產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲器、安全芯片、混合信號及RF射頻集成電路。通過這些重要技術(shù)的組合,ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級芯片,以滿足當(dāng)今電子工程師不斷增長和演進(jìn)的需求。輔助存儲器的訪問速度相對較慢，但它具有非常重要的作用?；葜荽笕萘看鎯ζ鲗Ｙu

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ATMEL對質(zhì)量有哪些承諾？ATMEL在全球擁有40個設(shè)計中心,分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開發(fā)。為了開發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺的設(shè)計流程,在投片之前大量使用仿真平臺進(jìn)行軟硬件驗證。這種方法大幅度減少了設(shè)計周期并消除了很多錯誤。為了支持高附加值的產(chǎn)品,ATMEL建立了一個豐富的IP庫。庫里包括RISC微控制器和外設(shè),DSP核,嵌入式存儲器,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口,高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器,RF電路和電源管理宏單元。ATMEL在各個層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點都經(jīng)過ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過QS9000認(rèn)證,有一些還通過了ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運做都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn),提高客戶的總體滿意度。ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計,以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項目獲得的經(jīng)驗將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法,是已經(jīng)在實行的研發(fā)合作。研發(fā)項目與主要客戶、大學(xué)合作進(jìn)行,從而獲得更進(jìn)一步的功能模塊,以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。中山隨機存儲器排行榜