可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫(xiě)操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。Flash存儲(chǔ)器容量和成本NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。NORflash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分,而NANDflash只是用在8MB～128GB的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額大。Flash存儲(chǔ)器可靠性采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),Flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。Flash存儲(chǔ)器耐用性在NAND閃存中每個(gè)塊的極限擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而NOR的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì),典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍。深圳專業(yè)老牌電子公司，多品牌原裝芯片代理經(jīng)銷，滿足不同電子廠家生產(chǎn)需要。嵌入式存儲(chǔ)器哪家好

    NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度。并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash存儲(chǔ)器性能比較flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為0。由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5ms,與此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作至多只需要4ms。執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統(tǒng)計(jì)表明,對(duì)于給定的一套寫(xiě)入操作(尤其是更新小文件時(shí)),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí),設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。●NOR的讀速度比NAND稍快一些?！馧AND的寫(xiě)入速度比NOR快很多。●NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5ms快?！翊蠖鄶?shù)寫(xiě)入操作需要先進(jìn)行擦除操作?！馧AND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。Flash存儲(chǔ)器接口差別NORflash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址。嵌入式存儲(chǔ)器哪家好microchip存儲(chǔ)器芯片全系列。

    所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證,有一些還通過(guò)了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)作都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn),提高客戶的總體滿意度。ATMDL的質(zhì)量體系二：ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì),以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開(kāi)發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶和大學(xué)合作進(jìn)行,從而獲得先進(jìn)的功能模塊,以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。存儲(chǔ)器的工作原理：對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí),行地址首先將RAS鎖存于芯片中,然后列地址將CAS鎖存于芯片中,WE有效,寫(xiě)入數(shù)據(jù),則寫(xiě)入的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)于指定的單元中。對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出操作時(shí),CPU首先輸出RAS鎖存信號(hào),獲得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的行地址,然后輸出CAS鎖存信號(hào),獲得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的列地址,保持WE=1,便可將已知行列地址的存儲(chǔ)單元中數(shù)據(jù)讀取出來(lái)。作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的創(chuàng)建之父,ATMEL將繼續(xù)把這個(gè)重要能力集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品(比如PC,存儲(chǔ)產(chǎn)品,DVD,娛樂(lè)平臺(tái),游戲和玩具)服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中。

    而是由存儲(chǔ)單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進(jìn)行記錄。直接對(duì)中心原子的位置進(jìn)行檢測(cè)是不能實(shí)現(xiàn)的,實(shí)際的讀操作過(guò)程是：在存儲(chǔ)單元電容上施加一已知電場(chǎng)（即對(duì)電容充電）,如果原來(lái)晶體的中心原子的位置與所施加的電場(chǎng)方向使中心原子要達(dá)到的位置相同,則中心原子不會(huì)移動(dòng)；若相反,則中心原子將越過(guò)晶體中間層的高能階到達(dá)另一位置,則在充電波形上就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)尖峰,即產(chǎn)生原子移動(dòng)的比沒(méi)有產(chǎn)生移動(dòng)的多了一個(gè)尖峰,把這個(gè)充電波形同參考位（確定且已知）的充電波形進(jìn)行比較,便可以判斷檢測(cè)的存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容是“1”或“0”。無(wú)論是2T2C還是1T1C的FRAM,對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作時(shí),數(shù)據(jù)位狀態(tài)可能改變而參考位則不會(huì)改變（這是因?yàn)樽x操作施加的電場(chǎng)方向與原參考位中原子的位置相同）。由于讀操作可能導(dǎo)致存儲(chǔ)單元狀態(tài)的改變,需要電路自動(dòng)恢復(fù)其內(nèi)容,所以每個(gè)讀操作后面還伴隨一個(gè)"預(yù)充"（precharge）過(guò)程來(lái)對(duì)數(shù)據(jù)位恢復(fù),而參考位則不用恢復(fù)。晶體原子狀態(tài)的切換時(shí)間小于1ns,讀操作的時(shí)間小于70ns,加上"預(yù)充"時(shí)間60ns,一個(gè)完整的讀操作時(shí)間約為130ns。寫(xiě)操作和讀操作十分類似,只要施加所要方向的電場(chǎng)改變鐵電晶體的狀態(tài)就可以了,而無(wú)需進(jìn)行恢復(fù)。選擇存儲(chǔ)器一定要選千百路科技。

    鐵電存儲(chǔ)技術(shù)早在1921年提出,直到1993年美國(guó)Ramtron國(guó)際公司成功開(kāi)發(fā)出較早個(gè)4K位的鐵電存儲(chǔ)器FRAM產(chǎn)品,所有的FRAM產(chǎn)品均由Ramtron公司制造或授權(quán)。FRAM有新的發(fā)展,采用了um工藝,推出了3V產(chǎn)品,開(kāi)發(fā)出“單管單容”存儲(chǔ)單元的FRAM,很大密度可達(dá)256K位。首先要說(shuō)明的是鐵電存儲(chǔ)器和浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)器的技術(shù)差異?，F(xiàn)有閃存和EEPROM都是采用浮動(dòng)?xùn)偶夹g(shù),浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)單元包含一個(gè)電隔離門,浮動(dòng)?xùn)盼挥跇?biāo)準(zhǔn)控制柵的下面及通道層的上面。浮動(dòng)?xùn)攀怯梢粋€(gè)導(dǎo)電材料,通常是多芯片硅層形成的(如圖2所示)。浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)單元的信息存儲(chǔ)是通過(guò)保存浮動(dòng)?xùn)艃?nèi)的電荷而完成的。利用改變浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)單元的電壓就能達(dá)到電荷添加或擦除的動(dòng)作,從而確定存儲(chǔ)單元是在”1”或“0”的狀態(tài)。但是浮動(dòng)?xùn)偶夹g(shù)需使用電荷泵來(lái)產(chǎn)生高電壓,迫使電流通過(guò)柵氧化層而達(dá)到擦除的功能,因此需要5-10ms的擦寫(xiě)延遲。高寫(xiě)入功率和長(zhǎng)期的寫(xiě)操作會(huì)破壞浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)單元,從而造成有限的擦寫(xiě)存儲(chǔ)次數(shù)（例如：閃存約十萬(wàn)次,而EEPROM則約1百萬(wàn)次)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT)材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體,如圖3所示。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被施加到鐵晶體管時(shí)。專業(yè)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，產(chǎn)品系列完整。深圳程序存儲(chǔ)器價(jià)格

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    FLASH閃存的英文名稱是"FlashMemory",一般簡(jiǎn)稱為"Flash",它屬于內(nèi)存器件的一種,是一種非易失性（Non-Volatile）內(nèi)存。閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存有根本性的差異：目前各類DDR、SDRAM或者RDRAM都屬于揮發(fā)性內(nèi)存,只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無(wú)法保持,因此每次電腦開(kāi)機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存；閃存在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤,這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。閃存是一種非易失性（Non-Volatile）內(nèi)存,在沒(méi)有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù),其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤,這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。NAND閃存的存儲(chǔ)單元?jiǎng)t采用串行結(jié)構(gòu),存儲(chǔ)單元的讀寫(xiě)是以頁(yè)和塊為單位來(lái)進(jìn)行（一頁(yè)包含若干字節(jié),若干頁(yè)則組成儲(chǔ)存塊,NAND的存儲(chǔ)塊大小為8到32KB）,這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于容量可以做得很大,超過(guò)512MB容量的NAND產(chǎn)品相當(dāng)普遍,NAND閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。NAND閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢,它的I/O端口只有8個(gè),比NOR要少多了。這區(qū)區(qū)8個(gè)I/O端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比NOR閃存的并行傳輸模式慢得多。嵌入式存儲(chǔ)器哪家好

深圳市千百路工業(yè)科技有限公司主營(yíng)品牌有MICROCHIP,美國(guó)微芯,微盟電子,三星,AT愛(ài)特梅爾,旺詮,厚聲,三星,TDK,國(guó)巨,京瓷，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大，該公司貿(mào)易型的公司。公司是一家私營(yíng)有限責(zé)任公司企業(yè)，以誠(chéng)信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團(tuán)隊(duì)、踏實(shí)的職工隊(duì)伍，努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司業(yè)務(wù)涵蓋電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證，深受廣大客戶的歡迎。千百路工業(yè)科技自成立以來(lái)，一直堅(jiān)持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。