SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點(diǎn)是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴?；咎攸c(diǎn)特點(diǎn)歸納：◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價(jià)格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。◎SRAM使用的系統(tǒng)：○CPU與主存之間的高速緩存?！餋PU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存?！餋PU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存。○CMOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。深圳存儲(chǔ)器芯片現(xiàn)貨，深圳千百路工業(yè)科技有限公司提供一站式服務(wù)，存儲(chǔ)器IC系列全型號(hào)選型。增城可編程存儲(chǔ)器全系列

據(jù)悉,國(guó)內(nèi)微電子集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)三年攻關(guān),成功制備國(guó)內(nèi)首例80納米自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲(chǔ)器器件,此項(xiàng)技術(shù)應(yīng)用后,電腦死機(jī)也會(huì)保留所有數(shù)據(jù),手機(jī)待機(jī)時(shí)間也有望大幅提高。存儲(chǔ)器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)均采用寄存、主存加硬盤(pán)的存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。與之相對(duì)應(yīng),靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）、閃存（Flash）或硬盤(pán)（HDD）成為實(shí)現(xiàn)這三種存儲(chǔ)體系的傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)。一臺(tái)電腦中,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)的是CPU內(nèi)的存儲(chǔ)器,其特點(diǎn)是速度快,但容量小；動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器對(duì)應(yīng)的是電腦主板上的內(nèi)存條；閃存或者硬盤(pán)對(duì)應(yīng)的就是電腦里的固態(tài)硬盤(pán)或者機(jī)械硬盤(pán),其特點(diǎn)是速度慢,但容量大。前兩者屬于易失性存儲(chǔ)器,斷電數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。而后者斷電數(shù)據(jù)不丟失。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)方式中,數(shù)據(jù)需要分級(jí)存儲(chǔ),同樣使用時(shí)也要分級(jí)調(diào)取。隨著信息和納米加工技術(shù)高速發(fā)展,基于傳統(tǒng)存儲(chǔ)體系構(gòu)建的電子系統(tǒng)正面臨著巨大的挑戰(zhàn)。一方面新興的移動(dòng)計(jì)算、云計(jì)算等和大型數(shù)據(jù)中心對(duì)數(shù)據(jù)提出極高要求,傳統(tǒng)的緩存及主存一旦斷電,關(guān)鍵數(shù)據(jù)就會(huì)發(fā)生丟失。因此,數(shù)據(jù)必須不斷備份到閃存或硬盤(pán)上,該過(guò)程嚴(yán)重影響了數(shù)據(jù)的訪存性能,我們打開(kāi)頁(yè)面時(shí),就會(huì)遭遇“卡頓”。此外。廣東高速緩沖存儲(chǔ)器電話咨詢深圳原裝存儲(chǔ)器芯片，深圳電子元器件供應(yīng)商。

    但是寫(xiě)操作仍要保留一個(gè)"預(yù)充"時(shí)間,所以總的時(shí)間與讀操作相同。FRAM的寫(xiě)操作與其它非易失性存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個(gè)"預(yù)充電"過(guò)程,來(lái)恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時(shí)間后FRAM一個(gè)完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時(shí)序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號(hào)產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價(jià)格較高但速度快,由于存在"預(yù)充"問(wèn)題,在時(shí)序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點(diǎn),讀寫(xiě)速度快并可以像非易失性存儲(chǔ)器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點(diǎn),訪問(wèn)次數(shù)是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問(wèn)次數(shù)是100萬(wàn)次,比f(wàn)lash壽命長(zhǎng)10倍,但是并不是說(shuō)在超過(guò)這個(gè)次數(shù)之后,FRAM就會(huì)報(bào)廢,而是它只只沒(méi)有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問(wèn)速度要快得多。

其可擴(kuò)展性使STT-MRAM可能在未來(lái)幾年成為低密度和中密度應(yīng)用之DRAM和閃存的替代方案。阻變存儲(chǔ)器,稱為ReRAM或RRAM,包括許多不同的技術(shù)類別,其中包括氧空缺存儲(chǔ)器、導(dǎo)電橋存儲(chǔ)器、金屬離子存儲(chǔ)器、憶阻器、以及,納米碳管,有些人甚至認(rèn)為相變存儲(chǔ)器也應(yīng)該包括在這一類中。所有這些技術(shù)的共同之處在于存儲(chǔ)器機(jī)制是由電阻器組成,依該電阻器處于高電阻或低電阻狀態(tài)以表示“1”或“0”。電流流過(guò)電阻器讀取它,并使用更高的電流來(lái)覆蓋它。ReRAM都承諾簡(jiǎn)化和縮小存儲(chǔ)器單元,因?yàn)樗鼈儾灰欢ㄊ褂镁w管作為選擇器,而是使用在位單元上方或下方構(gòu)建的雙端選擇器。這不當(dāng)應(yīng)該將存儲(chǔ)單元低降到其理論微小尺寸4f2,而且還允許存儲(chǔ)單元垂直堆疊,增加芯片密度,并可降低成本。Crossbar的ReRAM中在兩個(gè)電極間夾著一種金屬氧化物材料,未編程的單元其納米導(dǎo)電金屬細(xì)絲(小于5納米寬的納米導(dǎo)電金屬細(xì)絲是由離子原子組成)沒(méi)有形成,所以不會(huì)傳導(dǎo)電流。通過(guò)在正確方向上傳遞更高的電流,納米導(dǎo)電金屬細(xì)絲會(huì)形成,金屬細(xì)絲幾乎,但不完全,橋接兩個(gè)電極。當(dāng)一個(gè)小的讀取電流以相同的方向通過(guò)單元時(shí),之后間隙會(huì)被橋接,此時(shí)該位單元變?yōu)橥耆珜?dǎo)通。一個(gè)小的反向讀取電流會(huì)造成間隙無(wú)法密合。深圳進(jìn)口芯片代理，電子元器件配套服務(wù)，專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)。

只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲(chǔ)器。顧名思義，它的特點(diǎn)是只能讀出原有的內(nèi)容，不能由用戶再寫(xiě)入新內(nèi)容。原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容是采用掩膜技術(shù)由廠家一次性寫(xiě)入的，并長(zhǎng)久保存下來(lái)。它一般用來(lái)存放專門(mén)用的固定的程序和數(shù)據(jù)。不會(huì)因斷電而丟失。CMOS存儲(chǔ)器（ComplementaryMetalOxideSemiconductorMemory，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體內(nèi)存)COMS內(nèi)存是一種只需要極少電量就能存放數(shù)據(jù)的芯片。由于耗能極低，CMOS內(nèi)存可以由集成到主板上的一個(gè)小電池供電，這種電池在計(jì)算機(jī)通電時(shí)還能自動(dòng)充電。因?yàn)镃MOS芯片可以持續(xù)獲得電量，所以即使在關(guān)機(jī)后，他也能保存有關(guān)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)配置的重要數(shù)據(jù)。專業(yè)存儲(chǔ)器代理經(jīng)銷(xiāo)，提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器芯片IC-千百路工業(yè)科技。肇慶可擦可編程只讀存儲(chǔ)器技術(shù)服務(wù)

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    除了與不斷涌現(xiàn)的電子設(shè)備制造商建立合作關(guān)系之外,ATMEL的高密度存儲(chǔ)器產(chǎn)品、微控制器和ASIC同樣可以應(yīng)用到工業(yè)控制、圖像處理和汽車(chē)設(shè)備ATMEL公司是是世界上高級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和行銷(xiāo)的先導(dǎo)者,產(chǎn)品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲(chǔ)器、安全芯片、混合信號(hào)及RF射頻集成電路。通過(guò)這些重要技術(shù)的組合,ATMEL生產(chǎn)出了各種通用目的及特定應(yīng)用的系統(tǒng)級(jí)芯片,以滿足當(dāng)今電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不斷增長(zhǎng)和演進(jìn)的需求。外存儲(chǔ)器：外存儲(chǔ)器是一種單獨(dú)于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存以及CPU的緩存之外的存儲(chǔ)器。哪怕是在沒(méi)有電的情況下,也能夠?qū)?shù)據(jù)保存。外存儲(chǔ)器的很大優(yōu)點(diǎn)就是可以流動(dòng)性。通過(guò)外存儲(chǔ)器,我們可以非常方便地將其中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到另一個(gè)設(shè)備中。這對(duì)我們的工作生活都提供了非常大的便利。存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介：存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器；在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電儲(chǔ)器中。存儲(chǔ)器的主要指標(biāo)：存儲(chǔ)器的主要三個(gè)性能指標(biāo)是速度,容量和每位價(jià)格。每位的價(jià)格一般來(lái)講,必然隨著速度的增高而增高,反正,位價(jià)必然隨著容量的增大而減少。增城可編程存儲(chǔ)器全系列

深圳市千百路工業(yè)科技有限公司位于深圳市寶安區(qū)石巖街道石龍社區(qū)德政路9號(hào)利興公寓1505，交通便利，環(huán)境優(yōu)美，是一家貿(mào)易型企業(yè)。公司是一家私營(yíng)有限責(zé)任公司企業(yè)，以誠(chéng)信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團(tuán)隊(duì)、踏實(shí)的職工隊(duì)伍，努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片等多項(xiàng)業(yè)務(wù)。千百路工業(yè)科技將以真誠(chéng)的服務(wù)、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來(lái)！