AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系統(tǒng)可編程Flash存儲器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲器在系統(tǒng)內(nèi)編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52在眾多嵌入式控制應用系統(tǒng)中得到廣泛應用。主要性能1、與MCS-51單片機產(chǎn)品兼容;2、8K字節(jié)在系統(tǒng)可編程Flash存儲器;3、1000次擦寫周期;4、全靜態(tài)操作:0Hz-33MHz;5、三級加密程序存儲器;6、32個可編程I/O口線;7、三個16位定時器/計數(shù)器;8、6個中斷源;9、全雙工UART串行通道;10、低功耗空閑和掉電模式;11、掉電后中斷可喚醒;12、看門狗定時器;13、雙數(shù)據(jù)指針;14、掉電標識符。14、掉電標識符。存儲器芯片IC哪家好？選擇千百路科技，服務好，價格實惠，現(xiàn)貨庫存。福州高速緩沖存儲器代理商

sram-靜態(tài)隨機存取存儲器靜態(tài)隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。特點一、隨機存取所謂"隨機存取"，指的是當存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(SequentialAccess)存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系(如磁帶)。特點二、易失性。當電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比，兩者的比較大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會。海珠掩膜只讀存儲器專賣專業(yè)提供進口原裝存儲器芯片、國產(chǎn)原裝大品牌電源管理芯片。

動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DRAM則主要用于計算機的內(nèi)存條等領域。

ATMEL的質(zhì)量體系一：ATMEL在各個層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點都經(jīng)過ISO9001認證，大多數(shù)經(jīng)過QS9000認證，有一些還通過了旨在保護環(huán)境的ISO14001認證。所有ATMEL的運作都受公司內(nèi)部詳細的質(zhì)量規(guī)范所控制，并定期進行回顧和更新。其目的就是進行持續(xù)不斷的改進，提高客戶的總體滿意度。ATMDL的質(zhì)量體系二：ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進行質(zhì)量審計，以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項目獲得的經(jīng)驗將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實行的研究和開發(fā)的合作。研發(fā)項目與主要客戶和大學合作進行，從而獲得先進的功能模塊，以及工藝技術(shù)的改進。深圳存儲器**，提供系列存儲器芯片IC，性價比高。

當需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應用可編程定時器8253的計數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。找存儲器IC芯片，選擇千百路工業(yè)科技，提供樣品，現(xiàn)貨質(zhì)量保證，為制造企業(yè)優(yōu)化成本。大連隨機存儲器技術(shù)服務

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ATMEL對質(zhì)量的承諾ATMEL在各個層次都對質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點都經(jīng)過ISO9001認證，大多數(shù)經(jīng)過QS9000認證，有一些還通過了旨在保護環(huán)境的ISO14001認證。所有ATMEL的運做都受公司內(nèi)部詳細的質(zhì)量規(guī)范所控制，并定期進行回顧和更新。其目的就是進行持續(xù)不斷的改進，提高客戶的總體滿意度。ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進行質(zhì)量審計，以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項目獲得的經(jīng)驗將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實行的研究和開發(fā)的合作。研發(fā)項目與主要客戶和大學合作進行，從而獲得先進的功能模塊，以及工藝技術(shù)的改進。ATMEL在全球擁有40個設計中心，分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應用開發(fā)。為了開發(fā)復雜的SoC產(chǎn)品，ATMEL設立了先進的基于平臺的設計流程，在投片之前大量使用仿真平臺進行軟硬件驗證。這種方法大幅度減少了設計周期并消除了許多錯誤。為了支持這些高附加值的產(chǎn)品，ATMEL建立了一個豐富的IP庫。庫里包括先進的RISC微控制器和外設，DSP核，嵌入式存儲器，工業(yè)標準的接口，高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器，RF電路和電源管理宏單元。福州高速緩沖存儲器代理商

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