sram-靜態(tài)隨機存取存儲器靜態(tài)隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。特點一、隨機存取所謂"隨機存取"，指的是當(dāng)存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問(SequentialAccess)存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系(如磁帶)。特點二、易失性。當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個長期的存儲設(shè)備中(例如硬盤)。RAM和ROM相比，兩者的比較大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會。深圳存儲器芯片現(xiàn)貨，深圳千百路工業(yè)科技有限公司提供一站式服務(wù)，存儲器IC系列全型號選型?；ǘ即鎯ζ鞔砩?/p>

ATMEL非易失性存儲器：ATMEL是非易失性存儲器NVM(掉電時數(shù)據(jù)仍然保持而不丟失)的先驅(qū)。非易失的特性使得這些存儲器非常適合于小體積的便攜產(chǎn)品以及電池供電的設(shè)備，因為它們不需要耗電的轉(zhuǎn)動式磁盤或CDROM。ATMEL具有廣闊的NVM產(chǎn)品線:EEPROM，一次更新一個字，適合做數(shù)據(jù)存儲;高密度FLASH存儲器，一次更新一個存儲塊，適合于存儲程序或者是象圖形一類的大數(shù)據(jù)對象。此外，ATMEL還提供各種不同的配置和接口方式以匹配各種應(yīng)用的確切需要。ATMEL是世界上串行和并行FLASH存儲器的先導(dǎo)者，其產(chǎn)品可以滿足計算、汽車、電信、消費產(chǎn)品應(yīng)用市場的程序和數(shù)據(jù)存儲的需要。ATMEL近期另一個創(chuàng)新的產(chǎn)品線是融合了FLASH和EEPROM優(yōu)點的DataFlash(r)。它利用片內(nèi)的RAM做緩存，實現(xiàn)了一次只讀/寫一位的特殊功能。而所有這些都只需要很少的連線就可以完成。此外，ATMEL還繼續(xù)生產(chǎn)EPROM以滿足以往項目的需要。番禺可擦可編程只讀存儲器分類找原裝存儲器芯片就找千百路科技。

存儲器的概念：存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器，如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和比較終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器(內(nèi)存)和輔助存儲器(外存),也有分為外部存儲器和內(nèi)部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當(dāng)前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。

SRAM的主要用途---主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（corecellsarray），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(SenseAmplifier），控制電路（controlcircuit），緩沖/驅(qū)動電路（FFIO）。SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。找存儲器IC芯片，選擇千百路工業(yè)科技，提供樣品，現(xiàn)貨質(zhì)量保證，為制造企業(yè)優(yōu)化成本。

推進存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，不僅是因為其處于集成電路產(chǎn)業(yè)的重要地位，更是基于信息安全的考量，只有在存儲器、CPU等芯片領(lǐng)域具備自主可控能力，才能確保信息安全。當(dāng)前從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應(yīng)用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導(dǎo)體等數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑存儲領(lǐng)域發(fā)展長板。當(dāng)前我國在電存儲和磁存儲領(lǐng)域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲市場被壟斷。當(dāng)前全球光存儲技術(shù)及產(chǎn)業(yè)尚未進入成熟期，我國企業(yè)與研發(fā)機構(gòu)有望與國際水平同步創(chuàng)新，甚至引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展方向。從技術(shù)路線來看，全息光存儲被視為下一代光存儲技術(shù)。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術(shù)，采用與傳統(tǒng)二維存儲完全不同的機理。與目前存儲方式相比，全息光存儲技術(shù)將提供超過TB(太字節(jié))級的存儲容量，能夠滿足更大數(shù)據(jù)量的存儲需求，為數(shù)據(jù)的讀取提供更快的速度。芯片存儲器IC現(xiàn)貨在線咨詢-存儲器芯片供應(yīng)商代理商。深圳動態(tài)存儲器怎么樣

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半導(dǎo)體存儲器從使用功能上分，有隨機存儲器（RandomAccessMemory，簡稱RAM），又稱讀寫存儲器；只讀存儲器（ReadOnlyMemory，簡稱為ROM）。一種內(nèi)存儲器1.隨機存儲器（RandomAccessMemory）RAM有以下特點：可以讀出，也可以寫入。讀出時并不損壞原來存儲的內(nèi)容，只有寫入時才修改原來所存儲的內(nèi)容。斷電后，存儲內(nèi)容立即消失，即具有易失性。RAM可分為動態(tài)（DynamicRAM）和靜態(tài)（StaticRAM）兩大類。DRAM的特點是集成度高，主要用于大容量內(nèi)存儲器；SRAM的特點是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲器?；ǘ即鎯ζ鞔砩?/p>

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