晶閘管模塊在電加熱爐的作用晶閘管模塊在我們的生活是無處不在,它在電加熱爐中也發(fā)揮著重要的作用,通過電控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度,然后再由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓,形成一個溫度閉環(huán)系統(tǒng),來保持爐內(nèi)溫度恒定。下面正高電氣就來說說晶閘管模塊在電加熱爐中的作用,晶閘管模塊是電加熱爐控制裝置中關(guān)鍵的功率器件,整機裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管(可控硅)調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系。晶閘管模塊選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V,選擇工作電壓為460V的晶閘管模塊,其他電壓的晶閘管模塊需要訂做。對晶閘管模塊電流的選擇,必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的較大輸出電壓值,如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開機時溫度很低,額定電流會很大或加熱到較高溫度時,額定電流會很大或加熱到較高溫度時,額定電流會很大),必須考慮加熱絲整個工作狀態(tài)的較大電流值,作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規(guī)格大小。以上就是晶閘管模塊在電加熱爐的作用,想要了解更多關(guān)于晶閘管模塊的知識。淄博正高電氣以發(fā)展求壯大,就一定會贏得更好的明天。德州小功率可控硅調(diào)壓模塊型號
由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在關(guān)斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時,元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,這個電勢與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓(換相過電壓)。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍。保護措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級之間存在分布電容,初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,出現(xiàn)瞬時過電壓。措施:在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時,因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時,初級拉閘,因變壓器激磁電流的突變,在次級感生出很高的瞬時電壓,這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓,即偶發(fā)性浪涌電壓,都必須加阻容吸收路進行保護。直流側(cè)過電壓及保護當(dāng)負(fù)載斷開時或快熔斷時。濰坊雙向可控硅調(diào)壓模塊配件淄博正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。
可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流,還可以用作無觸點開關(guān)的快速接通或切斷;實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用??煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多??煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個極----陽極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié),與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。可控硅應(yīng)用時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。
可控硅模塊的控制方法我們都知道,可控硅模塊在電子電氣行業(yè)中非常受歡迎,它是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,可控硅模塊的的應(yīng)用范圍十分的廣大??煽毓枘K眾所周知,任何的設(shè)備只有正確操作才能發(fā)揮它應(yīng)有的作用,可控硅模塊在使用的時候一定要進行有效的控制才能發(fā)揮良好的運行性能。下面,就讓正高的小編來給您講講控制可控硅模塊的有效方法。1可控硅模塊控制方法:經(jīng)過輸入模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號,通過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié),實現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導(dǎo)通的過程,電壓或者是電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號采用0-5V,0-10V,4-20mA三大類十分常見的控制方式。2可控硅模塊控制端口和控制線:模塊控制端接口有5腳、9腳以及15腳三大類,對應(yīng)5芯、9芯以及15芯的控制線,使用電壓信號的產(chǎn)品只只使用前面五腳端口,別的是空腳,使用電流信號的9腳是信號輸入,控制線的屏蔽層銅線要焊接到直流電源地線上,連接的時候不能和別的端子短路,防止不可以正常工作或者是可能燒壞可控硅模塊。淄博正高電氣有著優(yōu)良的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。
設(shè)備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現(xiàn)。過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以。過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。3.電流上升率、電壓上升率的保護(1)電流上升率di/dt的可控硅初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密度很大,然后以μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面,若可控硅開通時電流上升率di/dt過大,會導(dǎo)致PN結(jié)擊穿,必須限制可控硅的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在可控硅的陽極回路串聯(lián)入電感。電壓上升率dv/dt的加在可控硅上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有所限制,如果dv/dt過大,由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實際上起到觸發(fā)電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴(yán)重時引起晶閘管誤導(dǎo)通。為dv/dt的作用,可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。如下圖:4.為什么要在可控硅兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)在實際可控硅電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路??煽毓栌幸粋€重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下。淄博正高電氣始終以適應(yīng)和促進工業(yè)發(fā)展為宗旨。廣東進口可控硅調(diào)壓模塊供應(yīng)商
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本公司技術(shù)力量雄厚,基礎(chǔ)設(shè)施齊全,新品開發(fā)能力強,本說明以外的相近產(chǎn)品能快速研制生產(chǎn),滿足您的要求。本說明如不能滿足您的要求,可來函索取更詳細(xì)資料,更歡迎您光臨本公司商榷、洽談、指導(dǎo)。使用條件:環(huán)境條件:1、自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃;2、空氣相對濕度≤85%;3、空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃;4、氣壓86—106Kpa;5、無劇烈震動或沖擊;6、若有特殊場合,應(yīng)進行相應(yīng)的試驗,證明工作可靠方可使用。冷卻條件:1、強迫風(fēng)冷:風(fēng)速≥6m/s,風(fēng)溫≤40℃;2、水冷:流量≥4L/mm,壓強±。水溫≤35℃.水電阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;3、其它冷卻方式應(yīng)進行相應(yīng)的試驗證明工作可靠方可使用。注意事項:1、選擇電流電壓時要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?、線路中須有過壓過流保護措施,串并聯(lián)使用時必須有均流措施。3、用萬用表簡單判斷器件是否損壞:門陰極間電阻,應(yīng)有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻,應(yīng)大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時表明器件已擊穿。經(jīng)我公司鑒定,確定質(zhì)量問題的產(chǎn)品,保退保換,退換時須攜帶原產(chǎn)品合格證。德州小功率可控硅調(diào)壓模塊型號