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采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。下面,對正高晶閘管的強(qiáng)觸發(fā)予以詳細(xì)介紹:一.觸發(fā)脈沖幅值對晶閘管開通的影響晶閘管的門極觸發(fā)電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響,高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時間。在觸發(fā)脈沖幅值為器件IGT時,器件雖可開通,但器件開通時間延遲明顯,會高達(dá)數(shù)十微妙,這對于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運(yùn)行是不利的。二.觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管開通的影響觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管的開通速度也有明顯的影響,觸發(fā)脈沖上升時間越長,效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時間越短的情況下,晶閘管的開通時間也越短。三.晶閘管可靠觸發(fā)對門極觸發(fā)源要求(1)一般要求:觸發(fā)脈沖電流幅值:IG=10IGT;脈沖上升時間:tr≤1μs;(2)高di/dt下運(yùn)用:器件在高di/dt下運(yùn)用時,特別是當(dāng)晶閘管的阻斷電壓很高時,在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會超過門極電壓,嚴(yán)重時,甚至?xí)归T極電流倒流。這種負(fù)的門極電流會引起開通損耗增加,可能會導(dǎo)致器件高di/dt損壞。因此,我們要求在高di/dt下運(yùn)用時,門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V。淄博正高電氣以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命,傾力為客戶創(chuàng)造更大利益!廣東晶閘管智能控制模塊
中頻電源啟動用晶閘管擊穿故障的維修方法正高客戶反映,車間內(nèi)感應(yīng)容量用晶閘管發(fā)生擊穿故障,影響到設(shè)備的正常使用。通過對客戶電路圖的分析,以及設(shè)備故障的排查發(fā)現(xiàn)故障原因如下:當(dāng)設(shè)備按下啟動按鈕之后,中頻電源逆變成功。但是,如果交流器線圈不失電,電路與諧振曹路間的觸點(diǎn)閉合的情況下,設(shè)備內(nèi)部電路回路相同。此時,如果回路直流電壓升高,則容易發(fā)生設(shè)備擊穿問題。此類故障主要發(fā)生于運(yùn)行時間比較長的設(shè)備,由于設(shè)備年限較長,設(shè)備內(nèi)部電路的元件容易出現(xiàn)老化的現(xiàn)象。在設(shè)備電路接通時,啟動電容電容量較小,電壓的急劇升高,就造成電壓疊加和迅速升高,繼而導(dǎo)致晶閘管擊穿問題的發(fā)生。中頻電源啟動用晶閘管擊穿問題的排除,可以增加電路中電容器電容量,并對擊穿晶閘管進(jìn)行更換,即可解除這一故障。談?wù)呔чl管的強(qiáng)觸發(fā)問題正高晶閘管以其良好的通斷性能,廣泛應(yīng)用于各類儀器設(shè)備當(dāng)中。作為一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件,晶閘管能夠向門極提供一個特別陡直的尖峰電流脈沖,以保證在任何時刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強(qiáng)烈的影響。煙臺晶閘管智能控制模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣積極推進(jìn)各項(xiàng)規(guī)則,提高企業(yè)素質(zhì)。
若測量結(jié)果有一次阻值為幾百歐姆,則可判定黑表筆接的是門極。在阻值為幾百歐姆的測量中,紅表筆接的是陰極,而在阻值為幾千歐姆的測量中,紅表筆接的是陽極,若兩次測出的阻值均很大,則說明黑表筆接的不是門極,應(yīng)用同樣的方法改測其他電極,直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間正反向電阻,若正反向電阻均接近無窮大,則兩極即為陽極和陰極,而另一腳為門極。普通晶閘管模塊也可能根據(jù)其封裝形式來判斷各電極。螺栓形普通晶閘管模塊的螺栓一端為陽極,較細(xì)的引線端為門極,較粗的引線端為陰極。平板型普通晶閘管模塊的引出線端為門極,平面端為陽極,另一端為陰極。塑封(TO-220)普通晶閘管的中間引腳為陽極,且多為自帶散熱片相連??煽毓枘K又被成為晶閘管模塊,目前多使用的是雙向可控硅模塊,它具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強(qiáng)、重量輕等優(yōu)點(diǎn),但是它也具有過載和抗干擾能力差,在控制大電感負(fù)載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn),下面正高來講解如何避免可控硅模塊的缺點(diǎn)。一、靈敏度雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通。
性能可靠;帶測溫功能的萬用表,測溫頭緊貼在管芯陶瓷外殼上;注意:采用該方法時,需由專業(yè)維修人員進(jìn)行操作,并注意安全。用上述方法經(jīng)常檢查管芯陶瓷外殼上的溫度,通過相對比較,判斷散熱器的散熱效果,及時更換達(dá)不到散熱效果的散熱器,可以有效地提高晶閘管的工作電流,減少晶閘管的損壞,從而降低設(shè)備的維修費(fèi)用。晶閘管模塊在正常工作時,自身會產(chǎn)生大量的熱量,所以良好的散熱(冷卻)是晶閘管正常工作的必要條件之一。高質(zhì)量的晶閘管,配上合格的散熱器,加上正確合理的裝配,可以明顯地減少晶閘管的損壞,延長其使用壽命。晶閘管模塊在電路中具有不可或缺的作用,您也許聽過晶閘管模塊的作用、優(yōu)勢、應(yīng)用范圍等等,您聽過晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)的作用是什么嗎?接下來正高電氣就來為您介紹為何要晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)?它的作用是什么呢?在實(shí)際晶閘管模塊電路中,常在其兩端并聯(lián)rc串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為rc阻容吸收電路。我們知道,晶閘管模塊有一個重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結(jié)溫和門極斷路條件下,使晶閘管模塊從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的較低電壓上升率。若電壓上升率過大,超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值。淄博正高電氣敢于承擔(dān)、克難攻堅(jiān)。
這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。以上,是正高對晶閘管損壞原因診斷說明,希望對于晶閘管故障排除起到一定的借鑒。場效應(yīng)管和晶閘管有什么區(qū)別和聯(lián)系關(guān)鍵是場效應(yīng)管可以工作在開關(guān)狀態(tài),更可以工作在放大狀態(tài)。而晶閘管只能工作在開關(guān)狀態(tài),而且一般的晶閘管不能工作在直流電路,因?yàn)椴荒茏孕嘘P(guān)斷(gto是例外)。場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極性晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。場效應(yīng)管的外形與普通晶閘管一樣,但工作原理不同。普通晶體管是電流控制器件,通過控制積極電流達(dá)到控制集電極電流或發(fā)射級電流。場效應(yīng)管是電壓控制器件,其輸出電流決定于輸入信號電壓的大小,即管子的電流受控于柵極電壓。二次擊穿:對于集電極電壓超過VCEO而引起的擊穿,只要外電路限制擊穿后的電流,管子就不會損壞,如果此時電流繼續(xù)增大,引發(fā)的不可逆的擊穿,稱為二次擊穿。按照種類和結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為兩類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管。淄博正高電氣是您可信賴的合作伙伴!北京晶閘管功率模塊價格
淄博正高電氣為實(shí)現(xiàn)企業(yè)的宏偉目標(biāo),將以超人的膽略,再創(chuàng)新的輝煌。廣東晶閘管智能控制模塊
但應(yīng)注意以下問題:1.模塊的交流輸入端采用整流變壓器與電網(wǎng)進(jìn)行隔離,以減少模塊與電網(wǎng)的相互干擾。2.和普通電力半導(dǎo)體器件一樣,晶閘管智能模塊承受過電壓和電流的性能較差,短時間的過電壓和過電流都會使模塊損壞。正高帶你了解快速晶閘管模塊的特點(diǎn)。普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因?yàn)槠骷膶?dǎo)通或關(guān)斷需要一定時間,同時陽極電壓上升速度太快時,會使元件誤導(dǎo)通;陽極電流上升速度太快時,會燒毀元件。人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管模塊,我們將它稱為快速晶閘管模塊。它具有以下幾個特點(diǎn)。一、關(guān)斷時間(toff)短導(dǎo)通的晶閘管模塊,當(dāng)切斷正向電流時。并不能馬上"關(guān)斷",這時如立即加上正向電壓,它還會繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時間,叫做關(guān)斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程,實(shí)際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程,制造快速晶閘管時采用了摻金工藝,把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多,t0仟越小,但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管模塊。廣東晶閘管智能控制模塊