此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明這件單向可控硅模塊已擊穿損壞。2雙向可控硅模塊用萬(wàn)用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為陽(yáng)極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽(yáng)極A2。確定A1、G極后，再仔細(xì)測(cè)量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為陽(yáng)極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽(yáng)極A2，紅表筆接陽(yáng)極A1，此時(shí)萬(wàn)用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽(yáng)極A2，黑表筆接陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓。淄博正高電氣公司秉承著“標(biāo)準(zhǔn)、精細(xì)、超越、求精”的質(zhì)量方針。東營(yíng)可控硅智能模塊生產(chǎn)廠家

金屬材料：可控硅模塊中的金屬材料主要用于導(dǎo)電和散熱，通常使用銅(Cu)、鋁(Al)等材料。絕緣材料：可控硅模塊中的絕緣材料主要用于隔離不同電路之間，通常使用氧化鋁(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)等材料。封裝材料：可控硅模塊中的封裝材料主要用于保護(hù)芯片和電路，防止外界環(huán)境對(duì)其產(chǎn)生影響，通常使用環(huán)氧樹(shù)脂、塑料等材料。以上是可控硅模塊主要的構(gòu)成材料，不同型號(hào)的可控硅模塊材料組成可能會(huì)有所差異?？煽毓枘K按照不同分類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)可以分為多種類(lèi)型，以下是常見(jiàn)的幾種類(lèi)型。單向可控硅模塊價(jià)格淄博正高電氣信任是合作的基石。

拿固態(tài)繼電器模塊器來(lái)說(shuō)，固態(tài)繼電器由輸入電路、隔離（耦合）電路和輸出電路三部分組成。根據(jù)輸入電壓的不同類(lèi)型，輸入電路可分為三種類(lèi)型：直流輸入電路、交流輸入電路和直流輸入電路。一些輸入控制電路還具有TTL/CMOS兼容、正負(fù)邏輯控制和逆相等功能。固態(tài)繼電器輸入和輸出電路的隔離和耦合方式包括光電耦合和變壓器耦合。固態(tài)繼電器的輸出電路也可分為直流輸出電路、交流輸出電路和直流輸出電路。交流輸出通常使用兩個(gè)晶閘管或一個(gè)三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)，直流輸出通常使用雙極器件或功率FET。

可控硅模塊的不足之處應(yīng)該怎么避免？晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)是眾所周知的，但它也有缺點(diǎn)，如：過(guò)載和抗干擾能力差，在控制大電感負(fù)載時(shí)，會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾，如何避免這些缺點(diǎn)？以下是一個(gè)很好的解釋。1、靈敏度雙向的是一個(gè)三端元件，但我們不再稱(chēng)其兩極為陽(yáng)極和陰極，而是稱(chēng)為T(mén)1和T2極。G是控制極。施加在控制極上的電壓，無(wú)論是正觸發(fā)脈沖還是負(fù)觸發(fā)脈沖，都能使控制電極接通。在圖1所示的四種情況下，雙向晶閘管都可以觸發(fā)，但觸發(fā)靈敏度不同，即保證雙觸發(fā)時(shí)，可以進(jìn)入晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)的門(mén)極電流IGT不同，其中（a）觸發(fā)靈敏度較高，觸發(fā)靈敏度較低。為了保證觸發(fā)和盡可能地限制柵電流，應(yīng)選擇（c）或（d）的觸發(fā)模式。2、過(guò)載保護(hù)有許多優(yōu)點(diǎn)，但過(guò)載能力差。短時(shí)過(guò)電流和過(guò)電壓會(huì)損壞部件。因此，為了保證元件的正常工作，必須具備以下條件：（1）在外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)向電壓，否則控制極將不工作；（2）晶閘管的平均通態(tài)電流一般取自安全角度；（3）為了保證控制極的可靠觸發(fā)，加到控制極上的觸發(fā)電流一般大于其額定值。此外，必須采取保護(hù)措施。過(guò)流保護(hù)措施一般為：在電路中串聯(lián)一個(gè)快速熔斷器，其額定電流約為晶閘管電流平均值的。淄博正高電氣將“素質(zhì)化、人性化、制度化”作為公司管理理念。

中高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜產(chǎn)品簡(jiǎn)介：主斷路器、控制變壓器、控制模塊、可控硅模塊、電動(dòng)機(jī)保護(hù)模塊、高壓真空旁路接觸器。軟起動(dòng)包括：控制模塊、可控硅模塊、高壓真空旁路接觸器。詳細(xì)介紹產(chǎn)品采購(gòu)在線教程維護(hù)維修品牌售后產(chǎn)品應(yīng)用于火力發(fā)電、水電、輸配電設(shè)備、冶金、化工、礦山、礦山、建筑等諸多領(lǐng)域。高壓固態(tài)軟起動(dòng)柜是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的電機(jī)起動(dòng)控制器，用來(lái)保護(hù)和控制中、高壓交流電機(jī)。完整包括：隔離開(kāi)關(guān)、保險(xiǎn)絲、主真空接觸器、控制變壓器、控制模塊、可控硅模塊、高壓真空旁路接觸器。軟起動(dòng)部分只包括：控制模塊、可控硅模塊、高壓真空旁路接觸器。淄博正高電氣一站式多方位貼心服務(wù)。威?？煽毓璁愊嘤|發(fā)器模塊廠家

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三相220V電壓等級(jí)的軟起動(dòng)器是傳統(tǒng)的Y-△起動(dòng)，自耦降壓起動(dòng)理想的更新?lián)Q代產(chǎn)品。軟起動(dòng)控制柜是以軟起動(dòng)器為控制主體，并配以相應(yīng)規(guī)格的接觸器組裝成控制。電壓的隔離變換，電路的比例常數(shù)、積分常數(shù)和微分常數(shù)用PID適配器調(diào)整。具有體積小、重量輕等特點(diǎn)，可單獨(dú)使用也可鐘安裝在直流電機(jī)上構(gòu)成一體化直流調(diào)速電機(jī)，可具有調(diào)速器所應(yīng)有的一切功能。升降爐采用閉環(huán)技術(shù)可控硅模塊觸發(fā)控制，移相觸發(fā)控制方式，輸出電壓、電流或功率連續(xù)可調(diào)，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。東營(yíng)可控硅智能模塊生產(chǎn)廠家

淄博正高電氣有限公司是以提供可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器內(nèi)的多項(xiàng)綜合服務(wù)，為消費(fèi)者多方位提供可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調(diào)整器，山東正高電氣供應(yīng)是我國(guó)電子元器件技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者。公司主要提供可控硅模塊,晶閘管模塊,晶閘管智能模塊,可控硅集成模塊,晶閘管集成模塊,可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,固態(tài)繼電器,智能可控硅調(diào)壓模塊,晶閘管調(diào)壓模塊,可控硅模塊廠家,可控硅智能調(diào)壓模塊,移相觸發(fā)板,調(diào)壓模塊,晶閘管智能調(diào)壓模塊,單相觸發(fā)板等領(lǐng)域內(nèi)的業(yè)務(wù)，產(chǎn)品滿(mǎn)意，服務(wù)可高，能夠滿(mǎn)足多方位人群或公司的需要。多年來(lái)，已經(jīng)為我國(guó)電子元器件行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟(jì)等的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。