經常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降或線路問題會造成晶閘管模塊燒損，從表面看來每個參數(shù)所造成晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過解剖燒損的晶閘管模塊就可以判斷出是由哪個參數(shù)造成晶閘管模塊燒壞的。一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能，一是晶閘管模塊電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管模塊所采取的保護措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現(xiàn)象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構成，門極所對應的可控硅做觸發(fā)用，目的是當觸發(fā)信號到來時將其放大，然后盡快的將主可控硅導通，然而在短時間內如果電流過大，主可控硅還沒有完全導通，大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的。淄博正高電氣以滿足客戶要求為重點。河北晶閘管智能控制模塊
希望本文能對您有所幫助。可控硅模塊與固態(tài)繼電器很相似，說到它們倆很多人都分不清楚，就更不知道它們兩者有什么區(qū)別和作用，下面正高小編來教您如何區(qū)分一下，并看看他們有什么區(qū)別？所謂單相固態(tài)繼電器，它只相當于一個開關，不能起到任何調節(jié)電流的作用，而晶閘管模塊可以控制導通角，可以調節(jié)電流的大小，并且在一定程度上，單相固態(tài)繼電器可以用可控硅作主要元件。不同的是，固態(tài)繼電器的動作電壓和控制電壓通過電路的內部部分，如光耦分開，如果你不明白，相信你可以看看一個固定繼電器的內部。此外，晶閘管模塊可以是單向或雙向、過零觸發(fā)或移相觸發(fā)。當然，固態(tài)繼電器也是如此?？梢哉f，晶閘管模塊和單相固態(tài)繼電器的用途和形式都是同一類型的產品。從這一點上來說，可以說沒有區(qū)別。固定繼電器由可控硅制成?？赡苡泻芏嗳苏f，這兩者是沒有任何差異的，實際上，晶閘管模塊和單相固態(tài)繼電器是有區(qū)別的。主要區(qū)別在于晶閘管是可控硅模塊，而單相固定繼電器是可控硅+同步觸發(fā)驅動。固態(tài)繼電器是由雙向可控硅發(fā)展來的，可控硅的觸發(fā)端在實際使用時得隔離，固態(tài)繼電器則已經集成了隔離的觸發(fā)端，它們的用途、形式都是一樣類型產品，從這一點上。黑龍江晶閘管智能模塊哪家好淄博正高電氣以客戶永遠滿意為標準的一貫方針。
或在門極線路上串聯(lián)二極管，防止門極電流倒流。晶閘管串并聯(lián)使用晶閘管的串聯(lián)：晶閘串聯(lián)管應用時，要求其相互串聯(lián)的每個晶閘管應盡可能地一致開通。晶閘管的并聯(lián)：陡而強的門極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開通特性的不平衡降至小，從而使有佳的均流效果。正高晶閘管的檢測方法管腳的判別由于RAK，RKA，RGA，RAG，RKG均應很大，只有RGK較小，因此用指針式萬用表R伊10贅擋或R伊1贅擋（防止電壓過高控制極反向擊穿）測量管腳間的靜態(tài)電阻便可作出判斷：假設晶閘管的某一端為控制極，將其與黑表筆相接，然后用紅表筆分別接其他兩腳。當所測兩管腳間電阻較小時，假設正確，即黑表筆所接的是控制極，紅表筆所接的是陰極，剩下的一個是陽極。質量判別由圖1可知，在正常情況下，晶閘管的GK之間是一個PN結，具有PN結特性，而GA和AK之間存在反向串聯(lián)PN結，故其間電阻均為無窮大。如果GK之間的正反向電阻都很小，說明晶閘管內部擊穿。如果GK之間的正反向電阻都為無窮大，說明控制極與陰極斷路。觸發(fā)能力的判別萬用表置于R伊1贅擋，黑表筆接陽極，紅表筆接陰極，此時電阻應為無窮大，用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數(shù)為10贅左右。
把二極管都換成晶閘管模塊是不是就成了可控整流電路了呢?在橋式整流電路中，只需要把兩個二極管換成晶閘管模塊就能構成全波可控整流電路了。六、晶閘管模塊控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產生的呢?晶閘管觸發(fā)電路的形式很多，常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等。大家制作的調壓器，采用的是單結晶體管觸發(fā)電路。七、什么是單結晶體管模塊?它有什么特殊性能呢?單結晶體管模塊又叫雙基極二極管，是由一個PN結和三個電極構成的半導體器件(圖6)。我們先畫出它的結構示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型硅片兩端，制作兩個電極，分別叫做基極B1和第二基極B2；硅片的另一側靠近B2處制作了一個PN結，相當于一只二極管，在P區(qū)引出的電極叫發(fā)射極E。為了分析方便，可以把B1、B2之間的N型區(qū)域等效為一個純電阻RBB，稱為基區(qū)電阻，并可看作是兩個電阻RB2、RB1的串聯(lián)〔圖7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值會隨發(fā)射極電流IE的變化而改變，具有可變電阻的特性。如果在兩個基極B2、B1之間加上一個直流電壓UBB，則A點的電壓UA為：若發(fā)射極電壓UE 控制信號與輸出電流、電壓是線性關系；模塊內有無保護功能智能模塊內部一般不帶保護，穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊帶有過流、缺相等保護功能。模塊內晶閘管觸發(fā)脈沖形式晶閘管觸發(fā)采用的是寬脈沖觸發(fā)，觸發(fā)脈沖寬度大于5ms（毫秒）。以上就是使用晶閘管模塊的八大常識，希望對您有所幫助。晶閘管模塊被燒壞的原因晶閘管模塊的應用非常廣，大到電氣行業(yè)設備中的應用，小到日常生活中的應用，但是如果有使用不當?shù)臅r候就會造成晶閘管模塊燒壞的情況，下面正高來介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些？晶閘管模塊燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結構特性決定的，因此保證晶閘管模塊在研制、生產過程中的質量應從三方面入手：電特性、熱特性、結構特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產晶閘管模塊時應充分考慮其電應力、熱應力、結構應力。燒壞晶閘管模塊的原因很多，總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的，某一單獨的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們在生產過程中可以充分利用這個特點，就是說如果其中的某個應力達不到要求時可以采取提高其他兩個應力的辦法來彌補。淄博正高電氣銳意進取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供服務。吉林晶閘管觸發(fā)模塊 淄博正高電氣不斷提高產品的質量。河北晶閘管智能控制模塊 以上就是晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網絡的作用，希望對您有所幫助。晶閘管模塊串聯(lián)時對于數(shù)量有什么要求以及注意事項晶閘管模塊經常會用到電壓設備中，有些設備是在高壓領域運行的，所以一個晶閘管模塊承受不住度的電壓，這時候就需要晶閘管模塊串聯(lián)，這樣可以達到一個良好的運行效果，下面正高電氣來講講晶閘管模塊串聯(lián)時對于數(shù)量有什么要求以及注意事項。舉例來說：加在一個高壓整流橋臂兩端的電壓為有效值10000伏，其電壓的較大值即峰值為14100伏，如選用正反向重復峰值電壓為4000伏的晶閘管模塊，則需幾只串聯(lián)?首先要解釋一下何為晶閘管模塊的正反向重復峰值電壓?所謂正反向重復峰值電壓即為該晶閘管模塊所能承擔的較高電壓。這是出廠時測試后定下的。我國標準規(guī)定其條件是：1，在結溫125℃時測得，2，測得PN結雪崩電壓值后減去100V，3，取正反向兩個方向上述值的較小值定為“重復峰值電壓”。由此可以看到出廠時留的余量只有100V，在電網中使用，往往高次諧波的峰值比基波峰值高許多，甚至幾倍。所以設計時除了留有足夠的的余量外，還要十分認真地采取均壓和過電壓保護措施，以免晶閘管模塊電壓擊穿現(xiàn)象發(fā)生。河北晶閘管智能控制模塊 淄博正高電氣有限公司專注技術創(chuàng)新和產品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大。一批專業(yè)的技術團隊，是實現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標的基礎，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動力。公司以誠信為本，業(yè)務領域涵蓋可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調整器，我們本著對客戶負責，對員工負責，更是對公司發(fā)展負責的態(tài)度，爭取做到讓每位客戶滿意。一直以來公司堅持以客戶為中心、可控硅模塊，晶閘管智能模塊，觸發(fā)板，電力調整器市場為導向，重信譽，保質量，想客戶之所想，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要。