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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-20

四、晶閘管模塊在電路中的主要用途是什么?普通晶閘管模塊基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路?,F(xiàn)在我畫(huà)一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?,F(xiàn)在,畫(huà)出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早,晶閘管模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180,稱(chēng)為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通。很明顯,都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角或?qū)ń?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。五、在橋式整流電路中。淄博正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣,產(chǎn)品規(guī)格齊全,歡迎咨詢(xún)。遼寧智能晶閘管模塊價(jià)格

而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下,如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓(∈=-Ldi/dt),假如電路上未有良好的吸收回路,此電壓將會(huì)損壞晶閘管模塊。因此,晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器(如電機(jī)車(chē))中工作時(shí),必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過(guò)電壓而不影響其工作,所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上,考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素,在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT,即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件,器件在阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波,導(dǎo)通角不少于l70℃的電路中,當(dāng)穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所答應(yīng)的通態(tài)均勻電流。而一般變流器工作時(shí),各臂的可控硅有不均流因素??煽毓柙诙鄶?shù)的情況也不可能在170℃導(dǎo)通角上工作,通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些,一般應(yīng)為其正常電流均勻值的。3.選擇關(guān)斷時(shí)間晶閘管模塊在陽(yáng)極電流減少為0以后,假如馬上就加上正朝陽(yáng)極電壓,即使無(wú)門(mén)極信號(hào),它也會(huì)再次導(dǎo)通。濟(jì)寧晶閘管智能控制模塊哪家好誠(chéng)信是企業(yè)生存和發(fā)展的根本。

使用晶閘管模塊的的八大常識(shí)晶閘管模塊是使用范圍非常廣,在使用的過(guò)程中需要注意很多細(xì)節(jié),還有一些使用常識(shí),下面正高電氣來(lái)介紹下使用晶閘管模塊的八大常識(shí)。1、模塊在手動(dòng)控制時(shí),對(duì)所用電位器有何要求?電位器的功率大于,阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么?當(dāng)模塊導(dǎo)通角大于100度時(shí),可以按如下原則選取電流:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)或:模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個(gè)+12V直流穩(wěn)壓電源(模塊內(nèi)部的工作電源);一個(gè)0~10V控制信號(hào)(0~5V、0~10mA、4~20mA均可,用于對(duì)輸出電壓進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào))。供電電源和負(fù)載(供電電源一般為電網(wǎng)或供電變壓器,接模塊輸入端子;負(fù)載為負(fù)載,接模塊輸出端子)4、+l2V穩(wěn)壓電源要求輸出電壓:+12V±,紋波電壓小于50mv;輸出電流:>;5、模塊是一個(gè)開(kāi)環(huán)控制系統(tǒng)還是閉環(huán)控制系統(tǒng)晶閘管智能模塊是開(kāi)環(huán)系統(tǒng);穩(wěn)流、穩(wěn)壓模塊是閉環(huán)系統(tǒng)。6、開(kāi)環(huán)控制與閉環(huán)控制用途有何區(qū)別?開(kāi)環(huán)控制隨負(fù)載和電網(wǎng)的變化而變化??刂菩盘?hào)與輸出電流、電壓不是線性關(guān)系;閉環(huán)控制在一定的負(fù)載和電網(wǎng)范圍內(nèi)能保持輸出電流或者電壓穩(wěn)定。

一個(gè)是晶閘管模塊電壓故障,也就是我們常說(shuō)的跌落。電壓故障分為早期故障、中期故障和晚期故障。二是線路情況,造成過(guò)電壓,對(duì)晶閘管模塊實(shí)行的安全措施失效。晶閘管模塊被電流燒壞時(shí),陰極表面通常會(huì)有較大的燒痕,甚至芯片、外殼等金屬大面積熔化。di/dt引起的晶閘管模塊燒損很容易判斷。一般在澆口或出料口附近會(huì)燒出一個(gè)小黑點(diǎn)。我們知道,晶閘管模塊的等效電路是由兩個(gè)晶閘管組成,用與門(mén)極對(duì)應(yīng)的晶閘管來(lái)觸發(fā)。目的是在觸發(fā)信號(hào)到來(lái)時(shí)放大,然后盡快接通主晶閘管。但是如果短時(shí)間內(nèi)電流過(guò)大,主晶閘管沒(méi)有完全導(dǎo)通,大電流主要流過(guò)相當(dāng)于門(mén)極的晶閘管,但是這個(gè)晶閘管的載流能力很小,導(dǎo)致這個(gè)晶閘管燒壞。表面上看,是在閘門(mén)或卸料閘門(mén)附近燒出的小黑點(diǎn)。對(duì)于Dv/dt,并不會(huì)燒毀晶閘管模塊,可是高Dv/dt會(huì)使晶閘管模塊誤導(dǎo)通,其表象類(lèi)似電流燒毀的狀況。請(qǐng)期待更多關(guān)于SCR的知識(shí)。晶閘管模塊的作用是什么?晶體閘流管又稱(chēng)晶閘管,又稱(chēng)晶閘管模塊,于1957年由美國(guó)通用電氣公司研制并于1958年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化;晶閘管模塊是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),由陽(yáng)、陰、門(mén)三極構(gòu)成;晶閘管模塊具有硅片的特點(diǎn),能在高電壓、大電流條件下工作,其工作過(guò)程可控制。淄博正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。

晶閘管的狀態(tài)怎么改變,它有一個(gè)控制極,又叫觸發(fā)極,給觸發(fā)極加控制電壓,就可使晶閘管的狀態(tài)反轉(zhuǎn);不同材料、不同結(jié)構(gòu)的晶閘管,控制極的控制電壓的性質(zhì)、幅度、寬度、作用都不一樣。只有晶閘管陽(yáng)極和門(mén)極同時(shí)承受正向電壓時(shí),晶閘管才能導(dǎo)通,兩者缺一不可。晶閘管一旦導(dǎo)通后,門(mén)極將失去控制作用,門(mén)極電壓對(duì)管子以后的導(dǎo)通與關(guān)斷均不起作用,故門(mén)極控制電壓只要是有一定寬度的正向脈沖電壓即可,這個(gè)脈沖稱(chēng)為觸發(fā)脈沖。要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,必須使陽(yáng)極電流降低到某一個(gè)數(shù)值以下。這可通過(guò)增加負(fù)載電阻降低陽(yáng)極電流,使其接近于0。IGBT模塊是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT管是靠的是它的柵源極的電壓變換來(lái)完成工作的,當(dāng)柵源極加+12V(大于6V,一般取12V到15V)時(shí)IGBT導(dǎo)通,柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時(shí),IGBT關(guān)斷,加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷是由柵極電壓來(lái)控制的。當(dāng)柵極加正電壓時(shí),MOSFET內(nèi)形成溝道,并為PNP晶體管提供基極電流,從而使IGBT導(dǎo)通,此時(shí),從P+區(qū)注到N一區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制。淄博正高電氣公司管理嚴(yán)格,服務(wù)超值。江西晶閘管功率模塊生產(chǎn)廠家

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努力降低使用晶閘管模塊技術(shù)后產(chǎn)生的干擾。晶閘管模塊在大功率變頻器中應(yīng)用是什么?晶閘管模塊在大功率變頻技術(shù)中的應(yīng)用非常廣,主要是進(jìn)行電力變換及控制,按其功能有以下幾種類(lèi)型:(1)可控整流利用晶閘管模塊單向?qū)щ姷目煽毓?,把交流電整流成電壓可調(diào)的直流電。這種可調(diào)的直流電源,應(yīng)用于電解、電鍍、充電、勵(lì)磁、及合閘操作電源等領(lǐng)域。另一個(gè)主要用這是做成直流拖動(dòng)的調(diào)速裝置。以往對(duì)于要求調(diào)速或起制動(dòng)性能較高的拖動(dòng)裝置,一般均采用電動(dòng)機(jī)——發(fā)電機(jī)變流機(jī)組來(lái)得到可控直流電壓,以實(shí)現(xiàn)控制要求。晶閘管問(wèn)世以后,靜止的可控整流裝置,以它一系列的優(yōu)點(diǎn)代替了機(jī)組,并得到更佳的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)指標(biāo)。目前從電動(dòng)機(jī),到各中小型輔助機(jī)械的直流電動(dòng)機(jī)中,均采用晶閘管供電或勵(lì)磁的調(diào)速裝置。(2)逆變與變頻利用晶閘管模塊的特性,相宜流變換成交流的過(guò)程稱(chēng)為逆變,將某一頻率的交流變換成其它各種領(lǐng)率的交流的過(guò)程稱(chēng)為變頻。整流、逆變、變頻常常是結(jié)合在一起,或者聯(lián)合遠(yuǎn)用的。電流、電壓通過(guò)這些變換,常做成中頻(400-8000Hz)加熱電源,用于熔煉、透熱、淬火、焊接?,F(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的長(zhǎng)途高壓直流輸電,就是將交流整流成直流輸送,然后,再將直流逆變成交流供人使用。遼寧智能晶閘管模塊價(jià)格

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