用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)陽(yáng)極與控制極之間、陽(yáng)極與陰極之間的電阻。如阻值很小，并用低阻檔再量阻值仍較小，表明可控硅已擊穿、管子是壞的。2導(dǎo)通試驗(yàn)。利用萬(wàn)用表的直流電流檔(100mA檔或更大些電流檔)，需外加6V直流電源。先不合開關(guān)，此時(shí)電流表指示應(yīng)很小(正向阻斷)，當(dāng)閉合時(shí)電流應(yīng)有100mA左右。電流若很小表明管子正向壓降太大或已損壞。再斷開，電表指示應(yīng)仍為100mA左右基本上無(wú)變化。切斷6V電源再一次重復(fù)上述過程，如一切同前表示管子導(dǎo)通性能是良好的。在沒有萬(wàn)用表時(shí)，用，導(dǎo)通時(shí)燈泡亮。以上就是正高小編對(duì)于用表測(cè)試可控硅好壞的方法，大家學(xué)會(huì)了嗎？晶閘管的選擇方法說起晶閘管，小編相信許多的人都會(huì)把晶閘管和可控硅給搞混，分不清誰(shuí)是誰(shuí)。在這里，小編要和大家說一下，可控硅和晶閘管是相同的產(chǎn)品，只是兩者的稱呼不太一樣。說到這，小編就給大家分享一下晶閘管的選取方法，供大家解決問題。話不多說，請(qǐng)往下看。1選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等，可選用普通晶閘管。淄博正高電氣推行現(xiàn)代化管理制度。天津可控硅移相觸發(fā)模塊

快速熔斷器可與交流側(cè)，直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián)，后者直接效果更好。通常來(lái)說快速熔斷器的額定電流（有效值IRD）應(yīng)小于保護(hù)可控硅模塊額定方均通態(tài)電流（即有效值）Itrms即，同時(shí)要大于流過可控硅的實(shí)際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。以上就是可控硅模塊裝置中有可能可以采用呢的四種過電流保護(hù)管理措施。希望通過這篇文章對(duì)您有所幫助。正高講：雙向可控硅模塊的工作象限雙向可控硅模塊作為日常生活中比較常用的電子元器件，它的工作能力以及優(yōu)勢(shì)是有目共睹的，那么您知道雙向可控硅模塊公國(guó)在哪幾象限嗎？下面正高就給大家講解一下。雙向可控硅模塊有四個(gè)工作象限，在實(shí)際工作時(shí)只有兩個(gè)象限組合成一個(gè)完整的工作周期。組合如下：Ⅰ-Ⅲ、Ⅱ-Ⅲ、Ⅰ-Ⅳ，沒有Ⅰ-Ⅱ、Ⅱ-Ⅳ、Ⅲ-Ⅳ組合同時(shí)根據(jù)G-T1和T2-T1的極性來(lái)判別工作象限。一般門極外接的電路是（1）RC+DB3此時(shí)雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限；（2）光電耦合器，此時(shí)雙向可控硅工作在Ⅰ-Ⅲ象限，特點(diǎn)：觸發(fā)信號(hào)的極性隨著主回路的交流電過零在變化。且極外接的是多腳集成塊（或再串小信號(hào)管），此時(shí)雙向可控硅模塊工作在Ⅰ-Ⅳ象限或者Ⅱ-Ⅲ象限，特點(diǎn)：觸發(fā)信號(hào)的極性不跟隨主回路的交流電過零而變化。湖北可控硅觸發(fā)板模塊哪家好淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。

因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。通態(tài)(峰值)電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。維持電流：IH是維持可控硅保持通態(tài)所必需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)雙向可控硅的關(guān)鍵參數(shù)。山藥說起可控硅模塊，相信大家都不陌生?？煽毓枘K是具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。它從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊這兩大部分。可控硅模塊控制器可控硅模塊具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展?？煽毓枘K控制器屬于一類將可控硅作為基礎(chǔ)，以智能數(shù)字控制電路做的電源功率控制電器，它的效率是很高的，沒有磨損，響應(yīng)速度比較快，沒有機(jī)械的噪聲，占地面積不是很大，同時(shí)重量也不是很大。接下來(lái)。

在近60代以來(lái)得到了迅速發(fā)展，并形成了一門的學(xué)科。隨著可控硅的發(fā)展，技術(shù)已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量越來(lái)越好，產(chǎn)量也有了很大的提高，正向著高壓大電流方向發(fā)展。晶閘管在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：可控整流器：作為二極管整流器，將交流整流器轉(zhuǎn)換為直流，在交流電壓恒定的情況下，通過有效控制直流輸出電壓的大小來(lái)控制整流器，實(shí)現(xiàn)從交流到可變直流的轉(zhuǎn)換；無(wú)觸點(diǎn)電源靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）：作為一種功率開關(guān)元件，可以代替接觸器和繼電器，提高開關(guān)頻率。所以可控硅模塊一般是可以用在各種的電子器件和電子產(chǎn)品中，晶閘管器件廣泛應(yīng)用于調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)機(jī)、空調(diào)、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、攝像頭、音響組合、語(yǔ)音控制電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品等家用電器，無(wú)線遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域可控硅模塊的加熱控制方式根據(jù)可控硅的工作方式，可控硅模塊的加熱控制一般分為兩種：1.加熱相移觸發(fā)器。2.過零觸發(fā)加熱。1.調(diào)節(jié)晶閘管模塊的導(dǎo)通角，改變電壓，以調(diào)節(jié)加熱功率；2.過零觸發(fā)加熱,也就是說，固態(tài)繼電器在加熱時(shí)，電壓不發(fā)生變化，實(shí)際上是一個(gè)脈沖開關(guān)信號(hào)。通常稱為固態(tài)繼電器。加熱時(shí)，電壓不變。淄博正高電氣誠(chéng)信、盡責(zé)、堅(jiān)韌。

小編給大家?guī)?lái)的是：怎樣用表來(lái)測(cè)試可控硅的好壞。希望對(duì)大家有所幫助。我們都知道：可控硅是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，從而在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了普遍的應(yīng)用。怎么判斷判定可控硅的電極小功率可控硅的電極從外形上可以差別，一般陽(yáng)極為外殼，陰極線比控制極引線長(zhǎng)。如果其它型式的封裝，不知電極引線時(shí)可以用萬(wàn)用表的電阻檔進(jìn)行判別。方法是將負(fù)表筆試接某一電極，正表筆依次碰觸另外兩個(gè)電極，假如有一次阻值很小(約幾百歐姆)，另一次阻值很大(約幾千歐姆)，說明負(fù)表筆接的正是控制極(G)。在阻值小的那次測(cè)量中，接正表筆的一端是陰極(C或K)，阻值大的那次，接正表筆的是陽(yáng)極(A)；若兩次測(cè)出的阻值均很大，說明負(fù)表筆接的不是控制極，應(yīng)更換另外一個(gè)電極，重復(fù)上述判別．怎么檢查可控硅的好壞對(duì)于一個(gè)良好的可控硅應(yīng)包括以下內(nèi)容：1.三個(gè)PN結(jié)均是良好的。2.可控硅反向電壓時(shí)能夠阻斷，不導(dǎo)通3可控硅正向在控制極開路時(shí)能夠阻斷4如果控制極加了正向電流，而陽(yáng)極加正向電壓時(shí)可控硅可以導(dǎo)通，且撤去控制極電流后仍能維持導(dǎo)通。檢查好壞的方法：測(cè)極電阻。淄博正高電氣會(huì)為您提供技術(shù)培訓(xùn)，科學(xué)管理與運(yùn)營(yíng)。湖北可控硅集成模塊價(jià)格

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可控硅模塊的五種主要參數(shù)體積小、重量輕、可靠性高、價(jià)格低，這是人們對(duì)可控硅模塊的定義?？煽毓枘K憑借著上述的優(yōu)點(diǎn)，一經(jīng)誕生就受到了廣大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，可謂是供不應(yīng)求。可控硅模塊通常被稱為功率半導(dǎo)體模塊。它是由三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)組成的大功率半導(dǎo)體器件。，正高的小編就和大家聊聊可控硅模塊的五種主要參數(shù)：1.額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2.正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3.反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4.控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的極小控制極電流和電壓。5.維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅模塊導(dǎo)通所必需的極小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅。天津可控硅移相觸發(fā)模塊

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