大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計，寫入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm，平臺重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實(shí)時觀測與多層對準(zhǔn)功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復(fù)雜圖案設(shè)計，內(nèi)置高性能筆記本實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。Polos-BESM 光刻機(jī)：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)。上海POLOSBEAM-XL光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。遼寧POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米電子學(xué)應(yīng)用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。

在科研領(lǐng)域，設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機(jī) POLOS μ 帶來了革新之光。它們運(yùn)用無掩模激光光刻技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本。這些光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光，在微流體、電子學(xué)和納 / 微機(jī)械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò)，助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究。在電子學(xué)方面，可實(shí)現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對于空間有限的研究實(shí)驗(yàn)室來說堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團(tuán)隊(duì)取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。

在微流體研究領(lǐng)域，德國 Polos 光刻機(jī)系列憑借獨(dú)特優(yōu)勢脫穎而出。其無掩模激光光刻技術(shù)，打破傳統(tǒng)光刻的局限，無需掩模就能實(shí)現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡(luò)時，可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自由設(shè)計，快速完成從圖紙到實(shí)體的轉(zhuǎn)化。?以藥物傳輸研究為例，利用 Polos 光刻機(jī)，能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的微通道，模擬人體環(huán)境，讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動，much提升藥物傳輸效率研究的準(zhǔn)確性。同時，在細(xì)胞培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)中，該光刻機(jī)制作的微流體芯片，為細(xì)胞提供穩(wěn)定且適宜的生長環(huán)境，助力細(xì)胞生物學(xué)研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機(jī)，正推動微流體研究不斷向前。Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計降低設(shè)備投入成本，無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。緊湊桌面設(shè)計：Polos-BESM系統(tǒng)only占桌面空間，適合實(shí)驗(yàn)室高效原型開發(fā)。陜西BEAM-XL光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

POLOS μ 光刻機(jī)：微型化機(jī)身，納米級曝光精度，微流體芯片制備周期縮短 40%。上海POLOSBEAM-XL光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達(dá) 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn)，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。上海POLOSBEAM-XL光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米