散射近場(chǎng)測(cè)量：當(dāng)輻射體變?yōu)樯⑸潴w時(shí)，輻射近場(chǎng)測(cè)量轉(zhuǎn)換為散射近場(chǎng)測(cè)量。由于散射體是無(wú)源的，因此需要一個(gè)照射源對(duì)其進(jìn)行照射，同輻射近場(chǎng)測(cè)量一樣，散射近場(chǎng)測(cè)量也有3種取樣方式，分別稱為平面散射近場(chǎng)測(cè)量和柱面散射近場(chǎng)測(cè)量以及球面散射近場(chǎng)測(cè)量。平面散射近場(chǎng)已取得了許多研究成果，柱面、球面散射近場(chǎng)測(cè)量的研究成果公開(kāi)報(bào)道的文獻(xiàn)很少。散射體的散射特性通常用雷達(dá)散射截面（RadarCrossSection，簡(jiǎn)寫(xiě)為RCS）來(lái)衡量，有一定量和相對(duì)量之分，一定量一般是以一個(gè)已知散射體的RCS為標(biāo)準(zhǔn)來(lái)標(biāo)定待測(cè)散射體的RCS，標(biāo)準(zhǔn)值來(lái)自理論計(jì)算和測(cè)量值；相對(duì)量用散射方向圖來(lái)表示。虛數(shù)是指相位差為1/4周期的兩個(gè)組件之間的相位差。深圳消費(fèi)電子近場(chǎng)輻射抑制方式

低副瓣或很低副瓣天線的測(cè)量，天線方向圖副瓣電平在-28～-35dB之間的天線稱為低副瓣天線；副瓣電平小于-40dB的天線稱為很低副瓣天線。對(duì)它們的測(cè)量要用到“零探頭”技術(shù)，據(jù)文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)，副瓣電平在-40dB以上時(shí)，測(cè)量精度為±3dB，副瓣電平為-55dB時(shí)，測(cè)量精度為±5dB。天線口徑場(chǎng)分布診斷是通過(guò)測(cè)量天線近區(qū)場(chǎng)的分布逆推出天線口徑場(chǎng)分布，從而判斷出口徑場(chǎng)畸變處所對(duì)應(yīng)的輻射單元，這就是天線口徑分布診斷的基本原理。該方法對(duì)具有一維圓對(duì)稱天線口徑分布的分析是可靠的，尤其對(duì)相控陣天線的分析與測(cè)量已有了充分的可信度。深圳消費(fèi)電子近場(chǎng)輻射抑制方式其中的電場(chǎng)與磁場(chǎng)的轉(zhuǎn)換類似于變壓器中的電場(chǎng)、磁場(chǎng)之間的轉(zhuǎn)換，是一種感應(yīng)場(chǎng)。

在近場(chǎng)工作區(qū)內(nèi)針對(duì)主反射墻的吸波材料進(jìn)行特定頻段吸收特性的測(cè)試。測(cè)試近場(chǎng)工作區(qū)反射電平時(shí)，發(fā)射天線先置于暗室中心軸線上，接收天線置于正對(duì)被測(cè)墻壁的一個(gè)合理位置，并沿兩天線軸線移動(dòng)一段距離進(jìn)行反射電平的測(cè)試。測(cè)試步驟：連接好測(cè)試系統(tǒng)，按置發(fā)射天線及接收天線于測(cè)試位置Ⅰ；設(shè)置信號(hào)源頻率為1GHz，輸出功率調(diào)至合適大小使發(fā)射天線輻射信號(hào)，接收天線在正對(duì)發(fā)射天線方向，沿待測(cè)行程線移動(dòng)，并記錄接收信號(hào)曲線，測(cè)試曲線作為這條行程線的參考電平線；將接收天線方向朝向被測(cè)墻壁吸波材料方向，接收天線沿這條測(cè)量行程線移動(dòng)，并記錄空間駐波曲線。

輻射近場(chǎng)測(cè)量的研究起始于50年代，70年代中期處于推廣應(yīng)用階段（商品化階段）。目前，分布在世界各地的近場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)已有100多套。該技術(shù)的基本理論已基本成熟，這種測(cè)量方法的電參數(shù)測(cè)量精度比常規(guī)遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量方法的測(cè)量精度要高得多，而且可全天候工作，并具有較高的保密性，因此，在民用中都顯示出了它獨(dú)特的優(yōu)越性。輻射近場(chǎng)測(cè)量研究的主要成果，幾十年來(lái)，輻射近場(chǎng)測(cè)量的研究在以下4個(gè)方面取得了突破性的進(jìn)展：常規(guī)天線電參數(shù)的測(cè)量，天線近場(chǎng)測(cè)量可以給出天線各個(gè)截面的方向圖以及立體方向圖，可以分析出方向圖上的所有電參數(shù)（波束寬度、副瓣電平、零值深度、零深位置等）和天線的極化參數(shù)（軸比、傾角和旋向）以及天線的增益。電場(chǎng)與磁場(chǎng)的運(yùn)行方向互相垂直，并都垂直于電磁波的傳播方向。

目標(biāo)成像的研究已有幾十年的歷史了，其研究成果早已用于醫(yī)學(xué)的X光診斷及雷達(dá)的目標(biāo)識(shí)別。用近場(chǎng)研究目標(biāo)的像是80年代末才開(kāi)始的，它是在已知目標(biāo)散射近場(chǎng)和入射場(chǎng)情況下，利用微波分集技術(shù)，逆推或反演表征目標(biāo)幾何特征的目標(biāo)函數(shù)，由目標(biāo)函數(shù)給出目標(biāo)的幾何形狀，這一過(guò)程稱為目標(biāo)的近場(chǎng)成像。這種測(cè)量方法的另一致命弱點(diǎn)是測(cè)量時(shí)間很長(zhǎng)，測(cè)量時(shí)間與取樣點(diǎn)數(shù)幾乎成四次方的關(guān)系，實(shí)用目標(biāo)的測(cè)量時(shí)間達(dá)到了不可容忍的程度。測(cè)量環(huán)境對(duì)散射近場(chǎng)測(cè)量散射體電特性也有很大的影響，除了在測(cè)量區(qū)域附加吸收材料外，還需要用到“背景對(duì)消技術(shù)”，其基本原理為：在無(wú)散射體的情況下，先用收、發(fā)探頭對(duì)測(cè)量區(qū)域空間掃描一次，并記錄采樣數(shù)據(jù)；在有散射體的情況下，記錄這時(shí)掃描測(cè)量的采樣數(shù)據(jù)，在保證一維掃描器（取樣架）定位精度的條件下，利用計(jì)算機(jī)軟件對(duì)兩次對(duì)應(yīng)位置的測(cè)量數(shù)據(jù)逐點(diǎn)進(jìn)行矢量相減（復(fù)數(shù)相減），這樣就消除了環(huán)境對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)的影響。電場(chǎng)要比磁場(chǎng)強(qiáng)得多，對(duì)于電壓低電流大的場(chǎng)源(如某些感應(yīng)加熱設(shè)備的模具)，磁場(chǎng)要比電場(chǎng)大得多。天津干擾源近場(chǎng)輻射儀器

電磁防護(hù)的重點(diǎn)應(yīng)該在近區(qū)場(chǎng)。深圳消費(fèi)電子近場(chǎng)輻射抑制方式

近場(chǎng)成像實(shí)驗(yàn)與常規(guī)的近場(chǎng)散射實(shí)驗(yàn)相比，其明顯差別就在于成像實(shí)驗(yàn)要進(jìn)行掃頻測(cè)量，這是理論所要求的。這樣，測(cè)量系統(tǒng)就必須具備寬頻帶特性。發(fā)射、接收系統(tǒng)儀器的系統(tǒng)誤差可以通過(guò)儀器自行校準(zhǔn)進(jìn)行消除，寬帶發(fā)射、接收探頭（天線）由于口徑尺寸較大以及與目標(biāo)之間的電磁耦合，所以對(duì)其發(fā)射、接收的電磁場(chǎng)必須進(jìn)行修正，修正的方法是在它們發(fā)射、接收的電磁場(chǎng)中乘以復(fù)系數(shù)，系數(shù)的量值由理論值與測(cè)量值的比值來(lái)定。在此修正理論下，對(duì)金屬長(zhǎng)方體、圓柱體以及四尾翼導(dǎo)彈模型進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)量，其成像結(jié)果是令人滿意的。深圳消費(fèi)電子近場(chǎng)輻射抑制方式

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