電子產(chǎn)品要通過(guò)電源線(xiàn)傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線(xiàn)抗擾度試驗(yàn)，必須在電源線(xiàn)上使用干擾濾波器，靜電放電對(duì)設(shè)備電路的影響很大程度上是由于靜電放電電流周?chē)母哳l電磁場(chǎng)，這些電磁場(chǎng)由于頻率很高，因此很容易被導(dǎo)線(xiàn)所接收，對(duì)電路形成干擾凈，某設(shè)備在做靜電放電試驗(yàn)時(shí)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)在活動(dòng)面板上進(jìn)行放電時(shí)，電路出現(xiàn)故障。經(jīng)檢查，發(fā)現(xiàn)面板后面是一束電纜，面板上的靜電放電電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)在電纜束上感應(yīng)出了噪聲電流，形成干擾。在電纜的端口處安裝濾波器后，問(wèn)題解決。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。重慶 可視化EMI分析整改原理

介紹俺的EMI整改經(jīng)驗(yàn)：關(guān)于晶體部份：1、晶體到MCU的兩條線(xiàn)不要太細(xì)，盡量短直，且這兩條線(xiàn)與兩個(gè)負(fù)載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，好單獨(dú)用較寬的走線(xiàn)單獨(dú)引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連；2、晶體背面好是整片的地銅箔，不要走其它線(xiàn)，也不要在晶體正面上方走別的線(xiàn)；3、有的MCU與不適合的晶體配合，振幅過(guò)高，產(chǎn)生截頂失真，便會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的基波及強(qiáng)烈的諧波輻射，這種情況需在Xout上造近MCU一端串幾十至幾百歐電阻，讓振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3為宜。安徽多媒體EMI分析整改走線(xiàn)布線(xiàn)電磁干擾就像傳染病般地透過(guò)電源線(xiàn)傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。

有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級(jí)連接的場(chǎng)合。如智慧機(jī)上盒(STB)產(chǎn)品，在STB主機(jī)板和EOC主機(jī)板或者Wi-Fi模組連接時(shí)，會(huì)在GND鏈路形成一個(gè)板級(jí)環(huán)路，可以在GND中間串接一個(gè)電感或者鐵氧體磁珠進(jìn)行隔離。透過(guò)雙絞線(xiàn)電纜傳輸訊號(hào)時(shí)，每對(duì)差分發(fā)射/接收都形成一個(gè)環(huán)路，因雙絞線(xiàn)緊密耦合，對(duì)于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合，減少環(huán)路面積。訊號(hào)線(xiàn)和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線(xiàn)或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線(xiàn)下方的接地平面是否完整。

20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ?，以非常快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上，開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對(duì)其有很大的影響的！

經(jīng)過(guò)兩次的修改該產(chǎn)品順利的符合了客戶(hù)要求的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。終的整改方案為：1．將MOS管，雙向二極管的散熱片面接入電源的熱地。2．將X電容改為0.22uF。3．將共模電感改為50mH.4．在MOS管的D線(xiàn)電路的正面串入一個(gè)插件的磁珠。去消在D、S間并接的101電容。5．將變壓器的繞線(xiàn)方式改變了一下，取消內(nèi)部的屏蔽，而在外部加了一個(gè)屏蔽層。并接入熱地。其實(shí)EMC的整改主要是電源的整改因?yàn)槿魏萎a(chǎn)品都要有電源來(lái)供電，此處沒(méi)有處理好一定會(huì)影響到其它的地方。不論是什么產(chǎn)品它的輻射或傳導(dǎo)主要有這個(gè)產(chǎn)品內(nèi)部的敏感元器件造成的。對(duì)于電源產(chǎn)品主要有的敏感元器件就是變壓器、MOS管、二極管。所以只要解決好這三個(gè)方面的協(xié)調(diào)問(wèn)題EMC就不難搞定。而解決EMC的方法概括來(lái)說(shuō)就是：消除干擾源、切除干優(yōu)傳導(dǎo)的途徑、疏導(dǎo)干擾源。EMI 整改：對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)壓制。長(zhǎng)沙藍(lán)牙耳機(jī)EMI分析整改方式

不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的。重慶 可視化EMI分析整改原理

EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ?，以非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)時(shí)間變化。開(kāi)關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器，將其插在線(xiàn)路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。具體情況具體分析，其實(shí)EMI就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以，真正的想要去計(jì)算出來(lái)很難的，到了整改現(xiàn)場(chǎng)也沒(méi)有那么多時(shí)間給你去計(jì)算吧，只有就地取材了，有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對(duì)其有很大的影響的！不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗?，空間的限制，EMI線(xiàn)路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。有時(shí)電源不能加Y電容等。重慶 可視化EMI分析整改原理

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