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武漢射頻EMI分析整改屏蔽

來源: 發(fā)布時間:2021-11-22

訊號線和接地平面之間存在訊號,輻射可以由訊號走線或者接地平面的中斷所引起,所以要注意訊號走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧:因CMOS電路在時脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標準,而在時脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零,所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值,不是平均值。在時脈轉(zhuǎn)換過程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個主要的輻射源,近端位置增加旁路電容,那晶片所需的電流直接由該電容提供,避免了電流浪涌的產(chǎn)生,減少了雜訊。EMI是指電子產(chǎn)品工作會對周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾,與此關聯(lián)的還有EMC規(guī)范。武漢射頻EMI分析整改屏蔽

在開關電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的,理想的EMI及RFI會用一點點電路,加一點成本,重量,減一點點效率即可達到,理想的是一個方框或旁路掉干擾噪聲即可,這只對系統(tǒng)地和機框地距離很近時比較有效。對于AC線路,用一個有非常小的雜散電容的耦合電感,兩個安全的經(jīng)認證的電容(X電容)放在輸入線路間即可,并在每個線路到地放一個小的Y電容,則可以有效地壓制開關噪聲,令其達到可以接受的水平。這可以用插入一個對噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道,并將其通過低阻抗通道旁路到地。再一個方法就是在輸入輸出之間放一個濾波器。武漢射頻EMI分析整改屏蔽電磁干擾是指任何在傳導或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個裝置、設備或系統(tǒng)的性能。

對高頻信號回流的理解不能有一個思維定勢,認為回流必須完全存在于信號走線正下方的參考平面上。事實上,信號回流的途徑是多方面的:參考平面,相鄰的走線,介質(zhì),甚至空氣都可能成為它選擇的通道,究竟哪個占主要地位歸根結底看它們和信號走線的耦合程度,耦合強的將為信號提供主要的回流途徑。比如在多層PCB設計中,參考平面離信號層很近,耦合了絕大部分的電磁場,99%以上的信號能量將集中在近的參考平面回流,由于信號和地回流之間的環(huán)路面積很小,所以產(chǎn)生的EMI也很低。

有效降低電路EMI的技巧:出現(xiàn)在板級連接的場合。如智慧機上盒(STB)產(chǎn)品,在STB主機板和EOC主機板或者Wi-Fi模組連接時,會在GND鏈路形成一個板級環(huán)路,可以在GND中間串接一個電感或者鐵氧體磁珠進行隔離。透過雙絞線電纜傳輸訊號時,每對差分發(fā)射/接收都形成一個環(huán)路,因雙絞線緊密耦合,對于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合,減少環(huán)路面積。訊號線和接地平面之間存在訊號,輻射可以由訊號走線或者接地平面的中斷所引起,所以要注意訊號走線下方的接地平面是否完整。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理,電容要靠近接腳擺放。

有效降低電路EMI的技巧:當存在一個磁場時,一個由導電材料形成的環(huán)路充當了天線,并且把磁場轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動的電流。電流的強度與閉合環(huán)路的面積成正比。有效降低電路EMI的技巧:出現(xiàn)在板級連接的場合。如智慧機上盒(STB)產(chǎn)品,在STB主機板和EOC主機板或者Wi-Fi模組連接時,會在GND鏈路形成一個板級環(huán)路,可以在GND中間串接一個電感或者鐵氧體磁珠進行隔離。透過雙絞線電纜傳輸訊號時,每對差分發(fā)射/接收都形成一個環(huán)路,因雙絞線緊密耦合,對于鏈路的電纜部分而言環(huán)路面積很小。需要保持緊密耦合,減少環(huán)路面積。電源平面和地平面盡量完整。武漢射頻EMI分析整改屏蔽

電源DC-DC晶片的VIN接腳,合理配置電容,減少輸入電源的EMI。武漢射頻EMI分析整改屏蔽

整改方案:從傳導的曲線上1MHz前超標的情況可以看出差模電容X太小了,所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標,所以增加共模電感到50mH,這項頻率超標一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個屏蔽銅箔,并接入熱地。(同時做了別外一個變壓器,去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層,改變了變壓器的繞線方式,在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用)同時將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時將MOS管的D、S兩腳間增加了一個101/1KV的電容,做完以上的整改方案后做了一次測試。武漢射頻EMI分析整改屏蔽

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