對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來決定，信號(hào)上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問題。EMI 整改：對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量。武漢射頻EMI分析整改元器件

信號(hào)端口濾波需要考慮的問題點(diǎn)：l端口傳輸信號(hào)不能由于任何原因信號(hào)不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會(huì)對(duì)差分信號(hào)產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號(hào)時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號(hào)不對(duì)稱。（共模濾波器可以使差分信號(hào)順利通過，而對(duì)共模的干擾信號(hào)呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號(hào)線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號(hào)是時(shí)鐘串?dāng)_到信號(hào)線上的信號(hào)，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號(hào)，不能有所破壞。武漢射頻EMI分析整改元器件在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取。

EMI（ElectromagneticInterference）直譯是“電磁干擾”。EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。電磁發(fā)射（EMI）的檢驗(yàn)項(xiàng)目有：連續(xù)干擾電壓（150kHz～30MHz）;干擾功率（30MHz～300MHz）諧波電流（2～40次諧波）。EMC（ElectroMagneticCompatibility）直譯是“電磁兼容性”。是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力。到目前為止，經(jīng)過整改的產(chǎn)品涉及的行業(yè)有IT信息類產(chǎn)品、AV音視頻類產(chǎn)品、通訊設(shè)備、汽車電子、家電電器、工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備等。整改過的EMC項(xiàng)目有：CE.RE、RS、CS、ESD、EFT、SURGE等多個(gè)項(xiàng)目的EMC問題整改，受到客戶的一致好評(píng)。

不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗?，空間的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。有時(shí)電源不能加Y電容等。EMI整改：1、對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2、對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制；3、也可改變整流二極管特性來處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。5M以上，以共摸干擾為主，采用壓制共摸的方法（整改建議）對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。開關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。

在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號(hào)線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。信號(hào)接收端比較兩個(gè)電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。廣州芯片EMI分析整改元器件

接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。武漢射頻EMI分析整改元器件

產(chǎn)品EMI問題定位與整改：產(chǎn)品由于測(cè)試不能滿足電磁兼容項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順利通過認(rèn)證，從而影響產(chǎn)品的上市與銷售。在諸多的電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目中，不容易解決的是產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）問題。由于對(duì)電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目原理不清楚，對(duì)EMI問題的定位思路、解決對(duì)策、以及診斷工具沒有掌握，導(dǎo)致企業(yè)往往花費(fèi)大量的精力以及昂貴的測(cè)試費(fèi)用，還是不能解決產(chǎn)品的問題。為幫助企業(yè)以及研發(fā)人員解決在實(shí)際產(chǎn)品測(cè)試與認(rèn)證過程中遇到問題與困惑，培訓(xùn)通過對(duì)產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）的測(cè)試原理分析，定位思路分析，各種解決對(duì)策講解，同時(shí)結(jié)合各類產(chǎn)品實(shí)際問題解決案例講解，使得參與培訓(xùn)的工程師可以在較短時(shí)間內(nèi)掌握產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射以及輻射發(fā)射等EMI問題的解決思路與對(duì)策，快速解決產(chǎn)品的問題，同時(shí)借助一定輔助EMI診斷工具，降低產(chǎn)品在測(cè)試過程中的實(shí)驗(yàn)室定位費(fèi)用，對(duì)企業(yè)縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品研發(fā)與物料成本具有重要意義！武漢射頻EMI分析整改元器件