原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測(cè)試可以通過(guò)不過(guò)余量很小只有1dB。顯然來(lái)能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過(guò)的改變了繞線(xiàn)方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線(xiàn)不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對(duì)MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個(gè)通用的插件磁珠。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問(wèn)題。干擾種類(lèi)有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。浙江射頻EMI分析整改

產(chǎn)品EMI問(wèn)題定位與整改：產(chǎn)品由于測(cè)試不能滿(mǎn)足電磁兼容項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順利通過(guò)認(rèn)證，從而影響產(chǎn)品的上市與銷(xiāo)售。在諸多的電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目中，不容易解決的是產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）問(wèn)題。由于對(duì)電磁兼容測(cè)試項(xiàng)目原理不清楚，對(duì)EMI問(wèn)題的定位思路、解決對(duì)策、以及診斷工具沒(méi)有掌握，導(dǎo)致企業(yè)往往花費(fèi)大量的精力以及昂貴的測(cè)試費(fèi)用，還是不能解決產(chǎn)品的問(wèn)題。為幫助企業(yè)以及研發(fā)人員解決在實(shí)際產(chǎn)品測(cè)試與認(rèn)證過(guò)程中遇到問(wèn)題與困惑，培訓(xùn)通過(guò)對(duì)產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射（CE）以及輻射發(fā)射（RE）的測(cè)試原理分析，定位思路分析，各種解決對(duì)策講解，同時(shí)結(jié)合各類(lèi)產(chǎn)品實(shí)際問(wèn)題解決案例講解，使得參與培訓(xùn)的工程師可以在較短時(shí)間內(nèi)掌握產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射以及輻射發(fā)射等EMI問(wèn)題的解決思路與對(duì)策，快速解決產(chǎn)品的問(wèn)題，同時(shí)借助一定輔助EMI診斷工具，降低產(chǎn)品在測(cè)試過(guò)程中的實(shí)驗(yàn)室定位費(fèi)用，對(duì)企業(yè)縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品研發(fā)與物料成本具有重要意義！天津充電樁EMI分析整改設(shè)備在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取。

有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開(kāi)關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。

介紹俺的EMI整改經(jīng)驗(yàn)：關(guān)于晶體部份：1、晶體到MCU的兩條線(xiàn)不要太細(xì)，盡量短直，且這兩條線(xiàn)與兩個(gè)負(fù)載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，好單獨(dú)用較寬的走線(xiàn)單獨(dú)引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連；2、晶體背面好是整片的地銅箔，不要走其它線(xiàn)，也不要在晶體正面上方走別的線(xiàn)；3、有的MCU與不適合的晶體配合，振幅過(guò)高，產(chǎn)生截頂失真，便會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的基波及強(qiáng)烈的諧波輻射，這種情況需在Xout上造近MCU一端串幾十至幾百歐電阻，讓振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3為宜。電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。

差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線(xiàn)一根地線(xiàn)的單端信號(hào)傳輸，差分傳輸在這兩根線(xiàn)上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同，相位相反。在這兩根線(xiàn)上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。信號(hào)接收端比較這兩個(gè)電壓的差值來(lái)判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。在電路板上，差分走線(xiàn)必須是等長(zhǎng)、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線(xiàn)。在EMI測(cè)試中，信號(hào)線(xiàn)對(duì)于電磁噪聲來(lái)說(shuō)是一個(gè)很好的耦合傳播途徑，無(wú)論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過(guò)信號(hào)線(xiàn)傳導(dǎo)至其他設(shè)備，因此信號(hào)端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標(biāo)的一個(gè)重要因素。EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。GJB151BEMI分析整改走線(xiàn)布線(xiàn)

信號(hào)端口濾波需要考慮的問(wèn)題點(diǎn)：l端口傳輸信號(hào)不能由于任何原因信號(hào)不完整的問(wèn)題。浙江射頻EMI分析整改

在EMI測(cè)試中，信號(hào)線(xiàn)對(duì)于電磁噪聲來(lái)說(shuō)是一個(gè)很好的耦合傳播途徑，無(wú)論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過(guò)信號(hào)線(xiàn)傳導(dǎo)至其他設(shè)備，因此信號(hào)端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標(biāo)的一個(gè)重要因素。差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線(xiàn)一根地線(xiàn)的單端信號(hào)傳輸，差分傳輸在這兩根線(xiàn)上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同，相位相反。在這兩根線(xiàn)上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。信號(hào)接收端比較這兩個(gè)電壓的差值來(lái)判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。在電路板上，差分走線(xiàn)必須是等長(zhǎng)、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線(xiàn)。浙江射頻EMI分析整改