納米銀膏是一種具有優(yōu)異性能的導(dǎo)熱導(dǎo)電材料，近年來(lái)在IGBT領(lǐng)域逐步應(yīng)用，納米銀膏具有以下幾個(gè)的優(yōu)勢(shì)： 1、高導(dǎo)電性：納米銀膏由納米級(jí)別的銀顆粒組成，其表面積大，能夠提供更高的導(dǎo)電性能。這使得納米銀膏在IBGT中能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的電流傳輸和更低的電阻，從而提高了器件的整體性能。 2、高導(dǎo)熱性：納米銀膏熱導(dǎo)率>200W，能夠迅速將熱量從IBGT芯片傳導(dǎo)到散熱器或散熱片上。這有助于降低器件的工作溫度，提高其穩(wěn)定性和壽命。 3、高粘接強(qiáng)度：納米銀膏具有出色的附著力，有壓納米銀膏粘接強(qiáng)度>70MPa，確保器件的可靠性和穩(wěn)定性。 4、良好的施工性能：納米銀膏具有良好的可加工性，可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷、點(diǎn)膠等工藝方法進(jìn)行涂覆。 5、環(huán)保安全：納米銀膏不含鉛，符合國(guó)際環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。 綜上所述，納米銀膏在IBGT上的應(yīng)用具有高導(dǎo)電性、優(yōu)異的導(dǎo)熱性、強(qiáng)附著力、良好的可加工性和環(huán)保安全等優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)使得納米銀膏成為IBGT制造和應(yīng)用的理想選擇，為IGBT行業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了新的機(jī)遇納米銀膏具有更低的電阻率，能夠有效降低器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提高器件的效率和壽命。浙江納米銀膏封裝材料

納米銀膏燒結(jié)中工藝條件對(duì)燒結(jié)質(zhì)量的影響 影響納米銀膏燒結(jié)的工藝參數(shù)主要包括燒結(jié)壓力、燒結(jié)溫度、燒結(jié)時(shí)間、升溫速率和燒結(jié)氣氛；燒結(jié)壓力可以為燒結(jié)提供驅(qū)動(dòng)力，促進(jìn)銀顆粒間的機(jī)械接觸、頸生長(zhǎng)和銀漿料與金屬層間的相互 擴(kuò)散反應(yīng)，有助于消耗有機(jī)物排出氣體，使互連層孔隙更少，從而形成穩(wěn)定致密的銀燒結(jié)接頭，適當(dāng)提高燒結(jié)溫度、高溫下的保溫時(shí)間和升溫速率可以獲得更度的燒結(jié)接頭；納米銀顆粒的燒結(jié)是由焊膏中有機(jī)物的蒸發(fā)控制的，更高的溫度、保溫時(shí)間和升溫速率可以讓有機(jī)物蒸發(fā)更快， 獲得更好的燒結(jié)接頭。但過(guò)高的溫度、升溫速率和過(guò)長(zhǎng)的保溫時(shí)間會(huì)導(dǎo)致晶粒粗化，過(guò)大的升溫速率 會(huì)導(dǎo)致焊膏中有機(jī)物迅速蒸發(fā)，從而產(chǎn)生空洞和裂紋等缺陷，影響連接強(qiáng)度和服役可靠性；納米銀焊膏常用的燒結(jié)氣氛為空氣、氮?dú)?，Cu基板表面易生成氧化物，燒結(jié)時(shí)需在氮?dú)夥諊Ｗo(hù)下進(jìn)行燒結(jié)，避免氧化物的產(chǎn)生，從而影響燒結(jié)質(zhì)量山西低溫固化納米銀膏價(jià)格納米銀膏不含助焊劑，焊接后無(wú)需清洗，避免污染的同時(shí)提升生產(chǎn)效率。

納米銀膏燒結(jié)中貼片工藝對(duì)燒結(jié)質(zhì)量的影響 在40~175 ℃、500 h的熱循環(huán)試驗(yàn)中測(cè)試了不同芯片貼裝速度和深度銀燒結(jié)接頭的高溫可靠性。當(dāng)芯片貼裝速度較慢時(shí)，經(jīng)過(guò)熱循環(huán)后芯片邊緣區(qū)域出現(xiàn)裂紋擴(kuò)展，導(dǎo)致剪切強(qiáng)度迅速下降。當(dāng)芯片貼裝速度較快時(shí)，燒結(jié)接頭表現(xiàn)出良好的高溫可靠性。 由此可得，盡管不同樣品的燒結(jié)工藝相同，但芯片貼裝條件不同，燒結(jié)接頭可靠性存在差異，選取合適工藝條件與參數(shù)是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量銀燒結(jié)接頭的關(guān)鍵，所以在使用納米銀膏時(shí)應(yīng)嚴(yán)格按照產(chǎn)品工藝規(guī)格書上的貼片工藝參數(shù)設(shè)置好貼片機(jī)的參數(shù)，已獲得良好的燒結(jié)效果

納米銀膏在光耦器件中的應(yīng)用越來(lái)越比較廣。相比于傳統(tǒng)的有機(jī)銀焊料，納米銀膏具有更高的導(dǎo)熱性導(dǎo)電性能，長(zhǎng)期服役低電阻及高粘接強(qiáng)度及可靠性。這些優(yōu)勢(shì)使得納米銀膏能夠提高光耦器件的工作效率和穩(wěn)定性，延長(zhǎng)其使用壽命。 此外，納米銀膏還具有更好的附著力和潤(rùn)濕性，能夠更好地與基板材料結(jié)合，減少焊接過(guò)程中的缺陷和空洞。同時(shí)，納米銀膏的熱膨脹系數(shù)較低，可以有效降低光耦器件在固化/燒結(jié)中的應(yīng)力集中現(xiàn)象，提高其可靠性。 總之，納米銀膏在光耦器件中的應(yīng)用具有很大的潛力和優(yōu)勢(shì)，有望成為未來(lái)光耦器件制造中的重要材料之一。納米銀膏的表面張力較小，有利于形成均勻的焊接接頭，減少了空洞和裂紋。

納米銀膏是一種高性能的封裝材料，比較廣應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件。根據(jù)配方的不同具體分為有壓銀膏和無(wú)壓銀膏，下面介紹下無(wú)壓納米銀膏的施工工藝： 第一步，清洗：施工前需要清洗器件表面，確保器件干凈 第二步，印刷/點(diǎn)膠：根據(jù)工藝要求將納米銀膏均勻涂覆在基板表面，可使用絲網(wǎng)印刷或點(diǎn)膠 第三步：貼片：將涂覆銀膏的基板放入貼片機(jī)，進(jìn)行貼片，根據(jù)工藝要求設(shè)置好貼片壓力、溫度和時(shí)間 第四步：烘烤：將貼片好的器件放入烘箱進(jìn)行烘烤，根據(jù)工藝要求設(shè)置好溫度和時(shí)間 無(wú)壓納米銀膏可兼容錫膏的點(diǎn)膠、印刷工藝和設(shè)備，同時(shí)由于低溫?zé)Y(jié)，高溫服役，高導(dǎo)熱導(dǎo)電的特性，正逐步應(yīng)用在大功率LED、半導(dǎo)體激光器，光電耦合器，泵浦源等功率器件上納米銀膏都能夠?yàn)樾履芷囯娫茨K、大功率LED器等功率器件提供更高效、穩(wěn)定的熱管理解決方案。山西高導(dǎo)熱納米銀膏封裝材料

納米銀膏施工窗口期長(zhǎng)達(dá)12小時(shí)，可滿足連續(xù)作業(yè)需求。浙江納米銀膏封裝材料

納米銀膏：是一款高導(dǎo)熱導(dǎo)電，高粘接強(qiáng)度，環(huán)境友好型電子封裝材料 隨著航空航天和雷達(dá)的微波射頻器件、通信網(wǎng)絡(luò)基站、大型服務(wù)器以及新能源汽車電源模塊為的半導(dǎo)體器件功率密度逐步增大，從而引起器件工作時(shí)的熱通量也越來(lái)越大。若高熱量無(wú)法快速排出，會(huì)造成功率半導(dǎo)體器件性能下降、連接可靠性下降的風(fēng)險(xiǎn)。 因此半導(dǎo)體器件連接對(duì)釬料的導(dǎo)熱性能和可靠性提出了更高的要求。為了滿足這一需求，我們推出了全新的納米銀膏。 納米銀膏的主要成分是納米級(jí)的銀顆粒，這些顆粒經(jīng)過(guò)特殊工藝處理后，具有極高的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。這使得納米銀膏在SiC、GaN 三代半導(dǎo)體功率器件，大功率激光器、MOSFET 及 IGBT 器件，電網(wǎng)的逆變轉(zhuǎn)換器，新能源汽車電源模塊，半導(dǎo)體集成電路，光電 器件以及其它需要高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的領(lǐng)域具有比較廣的應(yīng)用前景浙江納米銀膏封裝材料