納米銀膏——?jiǎng)?chuàng)新科技帶領(lǐng)行業(yè)革新 隨著電子科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，電子元器件向高功率、小型化發(fā)展. 在封裝領(lǐng)域，隨著功率半導(dǎo)體的興起，尤其是第三代半導(dǎo)體材料如 SiC和 GaN出現(xiàn)，功率器件具有高擊穿電壓、高飽和載流子遷移率、高熱穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率和高溫服役場(chǎng)合等特點(diǎn)；因此對(duì)封裝材料提出了低溫連接、高溫服役、優(yōu)良的熱疲勞抗性、高導(dǎo)電導(dǎo)熱性的要求； 納米銀膏采用納米級(jí)銀顆?；蚣{米級(jí)與微米級(jí)銀顆?；旌闲问?，同時(shí)添加有機(jī)成分組成。其內(nèi)部的銀顆粒粒徑較小使得燒結(jié)過程不經(jīng)過液相線，燒結(jié)溫度<250℃遠(yuǎn)低于金屬銀的熔點(diǎn)（Tm=961℃ ） ，可以實(shí)現(xiàn)其低溫連接、高溫服役，因此得到了國(guó)內(nèi)外比較廣關(guān)注； 南京芯興電子科技有限公司專注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝材料研發(fā)生產(chǎn)，并成功推出納米銀膏產(chǎn)品，具有低溫?zé)Y(jié)（200℃-250℃），高溫服役（>500℃）,高導(dǎo)熱率（>220W）；高粘接強(qiáng)度（>70MPa）,SiC、GaN 三代半導(dǎo)體功率器件，大功率激光器、MOSFET及IGBT 器件，電網(wǎng)的逆變轉(zhuǎn)換器，新能源汽車電源模塊，半導(dǎo)體集成電路，光電器件以及其它需要高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的領(lǐng)域納米銀膏是一款高導(dǎo)熱電子封裝焊料。湖北功率器件封裝用納米銀膏封裝材料

納米銀膏燒結(jié)原理 納米銀燒結(jié)是一種基于銀離子的擴(kuò)散融合過程， 其驅(qū)動(dòng)力是總表面能的降低，以及界面能的降低，銀顆粒尺寸越小其表面能越高，燒結(jié)驅(qū)動(dòng)力越大，還可以通過外部施加的壓力來增強(qiáng)此驅(qū)動(dòng)力。銀燒結(jié)主要有3個(gè)階段：初始階段以表面原子擴(kuò)散為特征，燒結(jié)頸是在顆粒之間相互以點(diǎn)或者面接觸形成的，此階段對(duì)致密化的貢獻(xiàn)在2%左右；中間階段以致密化為特征，發(fā)生在形成單獨(dú)孔隙之前，此階段致密化達(dá)到90%左右；階段是形成單獨(dú)孔隙后的燒結(jié)，此階段小孔隙逐漸消失，大孔隙逐漸變小，形成組織致密的燒結(jié)銀。上海有壓納米銀膏源頭工廠納米銀膏燒結(jié)后可以形成致密的導(dǎo)電銀層，降低串聯(lián)電阻，提高電流擴(kuò)展能力，從而增強(qiáng)LED的光電轉(zhuǎn)換效率。

納米銀膏在功率器件應(yīng)用上的發(fā)展趨勢(shì)及未來展望 在當(dāng)今的電子設(shè)備領(lǐng)域，功率器件作為組件，對(duì)于設(shè)備的性能和穩(wěn)定性起到至關(guān)重要的作用。納米銀膏，作為一種先進(jìn)的材料解決方案，正逐漸在功率器件制造中發(fā)揮關(guān)鍵作用。 一、納米銀膏在功率器件中的應(yīng)用現(xiàn)狀 納米銀膏由于高導(dǎo)熱導(dǎo)電性能及高可靠性，已成為功率器件制造中的重要材料。目前，納米銀膏已比較廣應(yīng)用于各類功率器件中，如航空航天和雷達(dá)的微波射頻器件、通信網(wǎng)絡(luò)基站、大型服務(wù)器以及新能源汽車電源模塊為的半導(dǎo)體器件等。 二、納米銀膏在功率器件中的發(fā)展趨勢(shì)及方向 在封裝領(lǐng)域，隨著功率半導(dǎo)體的興起，尤其是第三代半導(dǎo)體材料如 SiC 和 GaN 出現(xiàn)，功率器件具有高擊穿電壓、高飽和載流子遷移率、高熱穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率和高溫服役場(chǎng)合等特點(diǎn).；因此，對(duì)封裝材料提出了低溫連接、高溫服役、優(yōu)良的熱疲勞抗性、高導(dǎo)電導(dǎo)熱性的要求；未來納米銀膏，更加注重提升導(dǎo)熱導(dǎo)電、耐高溫性，以滿足更高功率和更高效能功率器件的需求。

納米銀膏在金屬陶瓷封裝中具有許多優(yōu)勢(shì)。首先，納米銀膏具有良好的導(dǎo)電性能和熱導(dǎo)性能，能夠有效降低封裝體的電阻和熱阻，提高器件的散熱效果。其次，納米銀膏具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和抗疲勞性能，能夠有效抵抗因溫度變化引起的應(yīng)力，延長(zhǎng)器件的使用壽命。此外，納米銀膏還具有良好的耐腐蝕性和抗氧化性，能夠較長(zhǎng)的工作窗口期保持穩(wěn)定的性能。 與金錫焊料相比，納米銀膏在陶瓷封裝中的應(yīng)用具有明顯的優(yōu)勢(shì)。首先，納米銀膏的成本更低，能夠有效降低封裝工藝的成本。其次，納米銀膏的熔點(diǎn)較低，能夠?qū)崿F(xiàn)低溫焊接，減少對(duì)器件的熱損傷。此外，納米銀膏的潤(rùn)濕性更好，能夠提高焊接接頭的可靠性和穩(wěn)定性。綜上所述，納米銀膏在陶瓷封裝中具有比較廣的應(yīng)用前景，是未來焊接材料領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。納米銀膏都能夠?yàn)樾履芷囯娫茨K、大功率LED器等功率器件提供更高效、穩(wěn)定的熱管理解決方案。

納米銀膏：帶領(lǐng)未來材料趨勢(shì)，開啟創(chuàng)新應(yīng)用新時(shí)代 納米銀膏是由納米銀顆粒和有機(jī)溶劑制備而成的膏狀材料。它具有優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱、等性能，被比較廣應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、、新能源等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展，納米銀膏的應(yīng)用前景將更加廣闊。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，納米銀膏因其優(yōu)異的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能而備受關(guān)注；它可以替代傳統(tǒng)的軟釬焊料，提高器件的散熱性能和使用壽命，是功率半導(dǎo)體封裝用的理想材料。 此外，納米銀膏在、新能源等領(lǐng)域也有著不可替代的作用。納米銀膏因高粘接強(qiáng)度，高導(dǎo)熱率，高可靠性且相對(duì)于金錫焊料更低的成本，比較廣應(yīng)用于陶瓷管殼封裝；在新能源汽車，納米銀膏比較廣應(yīng)用于電驅(qū)電控中碳化硅模塊（Typk形式等）和水冷散熱基板的焊接，大幅提高散熱性能，從而提高產(chǎn)品性能。 作為納米銀膏領(lǐng)域的行家，我們緊跟市場(chǎng)趨勢(shì)，為客戶提供定制化的解決方案。我們不斷優(yōu)化產(chǎn)品配方與制備工藝，以提高產(chǎn)品的性能與可靠性。 展望未來，隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵的興起，納米銀膏將會(huì)應(yīng)用更加比較廣。作為行業(yè)，我們將繼續(xù)加大研發(fā)投入，為客戶提供更品質(zhì)高、更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品與服務(wù)。通過不同的制備工藝，納米銀膏可被制成無壓納米銀膏和有壓納米銀膏，滿足不同行業(yè)客戶需求。河北高質(zhì)量納米銀膏廠家直銷

納米銀膏具有更低的電阻率，能夠有效降低器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，提高器件的效率和壽命。湖北功率器件封裝用納米銀膏封裝材料

納米銀膏在SIC/GaN功率器件上應(yīng)用背景 功率器件發(fā)展迅速并被比較廣運(yùn)用，其設(shè)計(jì)與制造朝著高頻開關(guān)速率、高功率密度、高結(jié)溫等方向發(fā)展，尤其是第三代半導(dǎo)體SiC/GaN材料的出現(xiàn)，相對(duì)于傳統(tǒng)的Si基材料，第三代半導(dǎo)體有著高結(jié)溫 、低導(dǎo)通電阻、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高開關(guān)頻率等性能優(yōu)勢(shì)。在常規(guī)封裝的功率開關(guān)器件中，芯片底部的互連一般采用釬焊工藝，考慮到無鉛化的要求，所選擇的焊料熔點(diǎn)都低于250 ℃，如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等，因此不能充分發(fā)揮SiC/GaN芯片的高耐溫性能。此外，焊料在界面處極易產(chǎn)生脆硬的金屬間化合物，給產(chǎn)品的可靠性帶來了新的挑戰(zhàn)。目前，納米銀燒結(jié)技術(shù)是一種有效解決方案，銀因其熔點(diǎn)高達(dá)961 ℃，將其作為連接材料能極大提高器件封裝結(jié)構(gòu)的溫度耐受性，且納米銀的燒結(jié)溫度卻低于250℃，使用遠(yuǎn)低于熔點(diǎn)的燒結(jié)溫度就能得到較為致密的組織結(jié)構(gòu)，燒結(jié)后的銀層耐熱溫度高，連接強(qiáng)度高，導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能良好湖北功率器件封裝用納米銀膏封裝材料