深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...
因此,線811表示波導(dǎo)801的光學(xué)損耗與波導(dǎo)半徑之間的關(guān)系,線812表示波導(dǎo)802的光學(xué)損耗與波導(dǎo)半徑之間的關(guān)系,線813表示波導(dǎo)803的光學(xué)損耗與波導(dǎo)半徑之間的關(guān)系。在一些實(shí)施例中,光學(xué)損耗可以被定義為參考功率與實(shí)際功率之間的測(cè)量的、感知的或計(jì)算的差...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造?;魻杺鞲衅骰魻杺鞲衅魇且环N磁傳感器。用它可以檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化,可在各種與磁場(chǎng)有關(guān)的場(chǎng)合中使...
用UGN3501T還可以十分方便地組成如圖2所示的鉗形電流表。將霍爾元件置于鉗形冷軋硅鋼片的空隙中,當(dāng)有電流流過導(dǎo)線時(shí),就會(huì)在鉗形圓環(huán)中產(chǎn)生磁場(chǎng),其大小正比于流過導(dǎo)線電流的安匝數(shù)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳...
世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。高反層109由高折射率薄膜與低折射率薄膜交替疊加組成;2)利用等離子刻蝕機(jī)在高反層109上以干法刻蝕開設(shè)刻蝕孔,并刻蝕掉...
結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易于實(shí)現(xiàn),不改變?cè)性O(shè)備的主要結(jié)構(gòu),只增加少量部件和對(duì)控制程序的改造,改造費(fèi)用增加很少,以很少的設(shè)備投資,既減少了產(chǎn)品生產(chǎn)過程中氮?dú)馐褂贸杀?,又提高了系統(tǒng)的可靠性;本真空焊接系統(tǒng)通過電磁鐵和磁環(huán)進(jìn)行磁性連接,可有效提升石英玻璃罩與下固定板之間的...
采用單個(gè)光耦合器220可以通過允許減小殼體尺寸“d”(例如,與光耦合器220的位置相對(duì))來減小邊框?qū)挾取皐”和殼體尺寸“d”中的至少一個(gè),因?yàn)楫?dāng)采用單個(gè)光耦合器220時(shí)在該位置沒有容納光耦合器。因此,應(yīng)當(dāng)理解,關(guān)于光耦合器220和光源225描述的特征可...
其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),分布在中國(guó)、印...
下面的是采用索尼CX20106接收芯片組合的接收頭電路圖1CX20106接收頭內(nèi)部電路圖:紅外線遙控接收芯片CX20106可以完成對(duì)搖控信號(hào)的前置放大、限幅放大、帶通濾波、峰值檢波和波形整形,只需加上簡(jiǎn)單的外圍電路即可完成對(duì)已調(diào)波的解調(diào),原理如圖1所示...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...
半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直于薄片,如圖所示。當(dāng)有電流I流過薄片時(shí),在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)EH,這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng),該電動(dòng)勢(shì)稱為霍爾電勢(shì),上述半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件。原理簡(jiǎn)述如下:激勵(lì)電流I從a、b端流入,磁場(chǎng)B...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...
這樣的線路起到了光電控制作用。圖⑥(b)是暗通的光控線路,與圖⑥。a)相比電路中2CU與R-2-的位置對(duì)調(diào)了。當(dāng)有光照時(shí)2CU內(nèi)阻變小。它兩端的壓降減小,這樣使BG-1-截止,BG-2-也截止,繼電器觸點(diǎn)不吸合,當(dāng)無(wú)光照時(shí)2CU的內(nèi)阻增大。它兩端的壓降...
Bop與BRP之間的滯后使開關(guān)動(dòng)作更為可靠。另外還有一種“鎖鍵型”(或稱“鎖存型”)開關(guān)型霍爾傳感器,其特性如圖5所示。當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度超過動(dòng)作點(diǎn)Bop時(shí)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該...
在該程序中,需要完成當(dāng)前行駛里程數(shù)和總額的累加操作,并將結(jié)果存入里程和總額寄存器中?;魻栯娏鱾鞲衅髟谧冾l器中的應(yīng)用在有電流流過的導(dǎo)線周圍會(huì)感生出磁場(chǎng),再用霍爾器件檢測(cè)由電流感生的磁場(chǎng),即可測(cè)出產(chǎn)生這個(gè)磁場(chǎng)的電流的量值。由此就可以構(gòu)成霍爾電流、電壓傳感器...
就是硅光電二極管的反向工作電壓必須大于10伏的原因所在。2.硅光電二極管的光電流、暗電流隨溫度的變化均有變化。在環(huán)境溫度0℃以上,反向工作電壓不變的條件下,環(huán)境溫度變化(25~30)℃時(shí),硅光電二極管的暗電流將變化10倍,光電流變化10%左右,所以在要...
具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述,所述是對(duì)本發(fā)明的解釋而不是限定。參見圖1~圖4,一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,包括背面設(shè)有背面電極108的襯底107;襯底107正面依次設(shè)有高反層(109、外延層101、注入層、氧化硅層、氮化硅層...
在該程序中,需要完成當(dāng)前行駛里程數(shù)和總額的累加操作,并將結(jié)果存入里程和總額寄存器中?;魻栯娏鱾鞲衅髟谧冾l器中的應(yīng)用在有電流流過的導(dǎo)線周圍會(huì)感生出磁場(chǎng),再用霍爾器件檢測(cè)由電流感生的磁場(chǎng),即可測(cè)出產(chǎn)生這個(gè)磁場(chǎng)的電流的量值。由此就可以構(gòu)成霍爾電流、電壓傳感器...
傳感體同時(shí)作為密封元件起作用并且防止在空間與第二空間之間的壓力補(bǔ)償。傳感體在其緊固區(qū)段的區(qū)域中在其面朝支承體的一側(cè)上可以具有至少部分環(huán)繞的形狀鎖合元件。支承體在其面朝傳感體的緊固區(qū)段的一側(cè)上具有凹深部,該凹深部構(gòu)造成與傳感體的形狀鎖合元件互補(bǔ)。傳感體可...
且附圖被結(jié)合到本說明書中并構(gòu)成本說明說的一部分。附圖示出了本公開的各種實(shí)施例,并且與說明書一起用于說明其原理和操作。附圖說明當(dāng)參考附圖閱讀時(shí),可以進(jìn)一步理解本公開的這些和其他特征、實(shí)施例和***:圖1示出了根據(jù)本公開的實(shí)施例的示例性電子顯示器的示意性平...
該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半...
本實(shí)用新型提供了一種高壓二極管硅疊中頻真空焊接系統(tǒng),包括石英玻璃罩1,石英玻璃罩1的頂部通過上密封圈2與上固定板3的底端固定連接,上固定板3頂端的中部固定設(shè)有plc控制器4,對(duì)真空電磁閥9、微型真空泵10、氮?dú)怆姶砰y11和氮?dú)獬錃獗?2進(jìn)行控制,石英玻...
該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。有時(shí)在管殼上靠近“+”極引線那邊點(diǎn)上色點(diǎn)作為標(biāo)記。也有用管帽邊沿上突起一點(diǎn)作為參考點(diǎn)來分清“+”、“-”極(見圖⑤(a))。2CU-3-型管子二條引線中較長(zhǎng)一根是“+”極。2CU型硅光電二...
本發(fā)明屬于光電催化技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種sr摻雜batio3/znte光陰極材料的制備方法,可以實(shí)現(xiàn)znte光生載流子的定向分離,并加速界面co2還原反應(yīng)的活性。背景技術(shù):能源危機(jī)和溫室效應(yīng)是人類目前急需解決的關(guān)鍵科學(xué)難題,以太陽(yáng)能驅(qū)動(dòng)的co2還原為解...