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負(fù)的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問(wèn)題**少化。本發(fā)明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時(shí)，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良(參照?qǐng)D2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照?qǐng)D3)的發(fā)生**少化。因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無(wú)氟，無(wú)硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā)，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產(chǎn)品特點(diǎn)：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H，常溫可穩(wěn)定120H；無(wú)暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結(jié)構(gòu)不同膜厚度的機(jī)種。蝕刻液，專業(yè)配方，穩(wěn)定可靠...

上述硅烷系偶聯(lián)劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯(lián)劑的反應(yīng)位點(diǎn)(activesite)的數(shù)量除以上述硅烷系偶聯(lián)劑的水解(hydrolysis)形態(tài)的分子量之后乘以。以下，通過(guò)實(shí)施例更加詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。但是，以下的實(shí)施例用于更加具體地說(shuō)明本發(fā)明，本發(fā)明的范圍并不受以下實(shí)施例的限定。實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物的制造參照以下表1(重量％)，制造實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物。[表1]參照以下表2和圖5，利用實(shí)施例和比較例的蝕刻液組合物，對(duì)于包含作為氧化物膜sio2和作為上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、總厚度的膜進(jìn)行如下處理。在160℃用硅烷系偶聯(lián)劑％對(duì)上述膜處理10,000秒的...

本實(shí)用新型涉及資源回收再利用領(lǐng)域，特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術(shù)：線路板生產(chǎn)工業(yè)中，會(huì)對(duì)已經(jīng)使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進(jìn)行回收利用，在回收過(guò)程中，廢液在加熱器中通過(guò)蒸汽進(jìn)行換熱，換熱完的廢液在高溫狀態(tài)下進(jìn)入分離器，會(huì)在分離器中發(fā)生閃蒸，閃蒸產(chǎn)生的二次蒸汽中，攜帶有大小不等的液滴，現(xiàn)有技術(shù)因缺乏有效的分離氣液的手段，含有銅的液體隨著蒸汽被排走，導(dǎo)致了產(chǎn)品發(fā)生損失。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)氣液分離率低的問(wèn)題，提供一種含銅蝕刻液氣液分離裝置。一種含銅蝕刻液氣液分離裝置，包括分離器及加熱器，所述分離器設(shè)有液體入口、蒸汽出口及濾液出口，所述液體入口用于將加熱器產(chǎn)生...

如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔的孔徑小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔為千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列方式。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔為直通孔或斜錐孔等其中的一種態(tài)樣或兩者的混合。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二擋板具有一下表面，當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí)，***壁面與下表面的***夾角不同于第二壁面與下表面的第二夾角。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí)，宣泄孔的上孔徑與下孔徑不相等。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)宣泄孔為斜錐孔態(tài)樣時(shí)，宣泄孔的上孔徑小于下孔徑。如上所述的擋液板結(jié)構(gòu)，其中...

負(fù)的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問(wèn)題**少化。本發(fā)明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時(shí)，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良(參照?qǐng)D2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照?qǐng)D3)的發(fā)生**少化。因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物...

所述液位計(jì)7安裝于所述分離器的外表面。液位計(jì)7安裝在方便工作人員查看的位置，有利于提高工作人員工作的效率。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述液位開關(guān)9為控制閥，設(shè)置于所述濾液出口2處?？刂崎y為內(nèi)螺紋截止閥，通過(guò)旋轉(zhuǎn)操縱盤實(shí)現(xiàn)閥門的開關(guān)，這種閥結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，維修方便，工作行程小，啟閉時(shí)間短，使用壽命長(zhǎng)。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，所述分離器的側(cè)壁上設(shè)有多個(gè)視鏡10。分離器側(cè)壁上設(shè)置的視鏡10可以幫助工作人員輔助判斷液位計(jì)7的工作狀況。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述加熱器11為盤管式加熱器。盤管式加熱器的受熱更加均勻，加熱效率更高。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述分離器底部為錐體形狀。分離器底...

伸縮桿12下端固定安裝有圓環(huán)塊13，圓環(huán)塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設(shè)置，電解池4內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計(jì)為5°，進(jìn)液管8的形狀設(shè)計(jì)為l型，且進(jìn)液管8貫穿分隔板2設(shè)置在進(jìn)液漏斗6與伸縮管9之間，圓環(huán)塊13通過(guò)伸縮桿12活動(dòng)安裝在噴頭10上方，且噴頭10通過(guò)伸縮管9活動(dòng)安裝在電解池4上方，通過(guò)設(shè)置有伸縮管9與伸縮桿12，能夠在蝕刻液通過(guò)進(jìn)液管8流入到電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過(guò)圓環(huán)塊13配合伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對(duì)電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)...

鋁板面蝕刻用：酸、堿都行。（鋁板是兩性材料，既能與酸反應(yīng)，又能與堿反應(yīng)，所以腐蝕液有的用堿性材料腐蝕，有的用酸性材料腐蝕，一般情況下，以酸性材料腐蝕的為多，堿性材料可以洗白。下好料的鋁板用棗木碳研磨，去掉油膩、劃痕，磨出啞光表面。然后用絲網(wǎng)版印上紋樣，油墨型號(hào)為80-39、80-59、80-49等。這種耐腐蝕油墨細(xì)膩，印出的紋樣質(zhì)量高。印完紋樣后放進(jìn)電爐內(nèi)烘干，然后用即時(shí)貼封住后面，用膠帶封邊，進(jìn)入腐蝕工藝。鋁板的腐蝕液配方如下：三氯化鐵50%硫酸銅50%水適量，波美度15～20°之間，鋁板腐蝕時(shí)應(yīng)平放，在腐蝕的過(guò)程中紋樣上溢出赭紅色的滓渣，應(yīng)隨時(shí)用毛刷去掉，鋁面上冒出大量泡泡，滓渣隨泡泡浮起...

本實(shí)用新型涉及資源回收再利用領(lǐng)域，特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術(shù)：線路板生產(chǎn)工業(yè)中，會(huì)對(duì)已經(jīng)使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進(jìn)行回收利用，在回收過(guò)程中，廢液在加熱器中通過(guò)蒸汽進(jìn)行換熱，換熱完的廢液在高溫狀態(tài)下進(jìn)入分離器，會(huì)在分離器中發(fā)生閃蒸，閃蒸產(chǎn)生的二次蒸汽中，攜帶有大小不等的液滴，現(xiàn)有技術(shù)因缺乏有效的分離氣液的手段，含有銅的液體隨著蒸汽被排走，導(dǎo)致了產(chǎn)品發(fā)生損失。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)氣液分離率低的問(wèn)題，提供一種含銅蝕刻液氣液分離裝置。一種含銅蝕刻液氣液分離裝置，包括分離器及加熱器，所述分離器設(shè)有液體入口、蒸汽出口及濾液出口，所述液體入口用于將加熱器產(chǎn)生...

下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。圖1是實(shí)施例一中公開的儲(chǔ)存罐與拖車的安裝結(jié)構(gòu)圖；圖2是實(shí)施例二中公開的儲(chǔ)存罐與拖車的安裝結(jié)構(gòu)圖；圖3是實(shí)施例三中公開的儲(chǔ)存罐與拖車的安裝結(jié)構(gòu)圖；圖4是實(shí)施例四中公開的儲(chǔ)存罐與拖車的安裝結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。實(shí)施例一鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備，包括混合罐、過(guò)濾器和數(shù)個(gè)小型的儲(chǔ)存罐，混合罐通過(guò)液管與過(guò)濾器連接，過(guò)濾器的出液口處安裝有氣動(dòng)升降式出液管，每個(gè)儲(chǔ)存罐的進(jìn)液口和出液口中安裝有一只單向液動(dòng)閥，過(guò)濾器的出液管自動(dòng)下行插入儲(chǔ)存罐的進(jìn)液口中，將過(guò)濾后的鋁蝕刻液注入儲(chǔ)...

所述有機(jī)硫化合物具有作為還原劑及絡(luò)合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物，例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N'-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無(wú)特別限制，推薦為碳數(shù)1至4的烷基。這些硫酮系化合物中，推薦使用選自由作為還原劑或絡(luò)合劑的效果及水溶性優(yōu)異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物，例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷...

ITO蝕刻液的分類：已經(jīng)使用的蝕刻液類型有六種類型：酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過(guò)硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅，工藝體系，根據(jù)添加不同的氧化劑又可細(xì)分為氯化銅+空氣體系、氯化銅+氯酸鈉體系、氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝，在生產(chǎn)過(guò)程中通過(guò)補(bǔ)加鹽酸+空氣、鹽酸加氯酸鈉、鹽酸+雙氧水和少量的添加劑來(lái)實(shí)現(xiàn)線路板板的連續(xù)蝕刻生產(chǎn)。ITO蝕刻液由氟化銨、草酸、硫酸鈉、氫氟酸、硫酸、硫酸銨、甘油、水組成。江蘇TIO去膜液生產(chǎn)商ITO顯影劑就是一種納米導(dǎo)光性能的材料合成的。蝕刻液公司的聯(lián)系方式。廣東市面上哪家蝕刻液商家 因此存在開發(fā)蝕刻液組合物時(shí)會(huì)過(guò)度耗費(fèi)時(shí)間和費(fèi)用的問(wèn)題。美...

所述液體入口1處設(shè)有減壓閥12，所述蒸汽出口5處設(shè)有真空泵13、除霧組件3及除沫組件4，所述除霧組件3用于過(guò)濾分離器中閃蒸的蒸汽中的含銅液體，所述除沫組件4用于將經(jīng)除霧組件3除霧的氣體進(jìn)行除沫。含銅蝕刻液在加熱器11中進(jìn)行加熱，達(dá)到閃蒸要求的溫度，輸送至分離器，通過(guò)減壓閥12減壓，真空泵13對(duì)分離器內(nèi)抽氣，使分離器內(nèi)處于低壓狀態(tài)，含銅蝕刻液在分離器內(nèi)發(fā)生閃蒸，閃蒸產(chǎn)生大量蒸汽，蒸汽中攜帶著大小不等的液滴，大液滴中含有銅，通過(guò)除霧組件3和除沫組件4對(duì)蒸汽進(jìn)行分離過(guò)濾，也可以防止大液滴從蒸汽出口5飛出，減少產(chǎn)品損失。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，所述除霧組件3為設(shè)有多個(gè)平行且曲折的通道的折流...

更推薦滿足。參照?qǐng)D4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒(méi)有消耗費(fèi)用和時(shí)間的實(shí)際的實(shí)驗(yàn)過(guò)程，也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護(hù)對(duì)...

本實(shí)用新型涉及一種鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備。背景技術(shù)：鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備主要包括混合罐、過(guò)濾器和儲(chǔ)存罐，將蝕刻液中的各組份在混合罐混合均勻，由過(guò)濾器濾去雜質(zhì)后投入儲(chǔ)存罐中暫存，然后分裝銷售。以往，鋁蝕刻液的分裝由人工操作，隨著自動(dòng)化技術(shù)的興起，全自動(dòng)灌裝線在鋁蝕刻液生產(chǎn)企業(yè)得到廣泛應(yīng)用，但是，我司的鋁蝕刻液生產(chǎn)車間面積較小，無(wú)法放置自動(dòng)灌裝線，所以需要對(duì)現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行改造，以實(shí)現(xiàn)鋁蝕刻液的全自動(dòng)灌裝。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型提出了一種鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。為達(dá)前述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案如下：鋁蝕刻液生產(chǎn)設(shè)備，包括混合罐、過(guò)濾器、數(shù)個(gè)儲(chǔ)存罐、數(shù)輛液壓升降式拖...

etchingamount)的相互關(guān)系的圖表。具體實(shí)施方式本發(fā)明人確認(rèn)了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿足特定參數(shù)值時(shí)能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優(yōu)異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。本發(fā)明中，蝕刻對(duì)象膜可以為氮化物膜，保護(hù)對(duì)象膜可以為氧化物膜。此外，本發(fā)明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。<蝕刻液組合物>具體而言，本發(fā)明可以包含磷酸、...

圖7：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)運(yùn)作局部放大圖。圖8：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖9：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其一較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖10：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其二較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖11：本實(shí)用新型蝕刻設(shè)備其三較佳實(shí)施例的擋液板結(jié)構(gòu)結(jié)合風(fēng)刀裝置示意圖。圖12：本實(shí)用新型擋液板結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的宣泄孔的表面張力局部放大圖。圖13：本實(shí)用新型蝕刻方法的步驟流程圖。圖號(hào)說(shuō)明：傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)a擋液板結(jié)構(gòu)b風(fēng)刀c氣體本實(shí)用新型1蝕刻設(shè)備10擋液板結(jié)構(gòu)11***擋板12第二擋板121宣泄孔1211**...

近年來(lái)，oled顯示器廣泛應(yīng)用于手機(jī)和平板顯示。金屬銀以優(yōu)異的電導(dǎo)率和載流子遷移率被廣泛應(yīng)用于oled顯示器的陽(yáng)極布線(ito/ag/ito)結(jié)構(gòu)中。為了對(duì)此進(jìn)行蝕刻，目前主要使用基于磷酸、硝酸、醋酸和硝酸鹽的濕蝕刻液(cna)。這樣的體系雖然能有效去除金屬銀，但在實(shí)際使用過(guò)程中仍會(huì)存在少量的銀殘留或銀再吸附沉積問(wèn)題。4.本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于如何解決現(xiàn)有的銀蝕刻液在使用過(guò)程中存在少量的銀殘留、銀再吸附沉積問(wèn)題。5.本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)解決上述技術(shù)問(wèn)題的：6.一種銀蝕刻液組合物，其成分由質(zhì)量占比為40-60％磷酸、2-10％硝酸、％有機(jī)酸、％硝酸鹽、％含氮元素有機(jī)物、其...

所述硫醚系化合物推薦為選自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。本發(fā)明的蝕刻液推薦進(jìn)一步含有α-羥基羧酸和/或其鹽。所述α-羥基羧酸推薦為選自由酒石酸、蘋果酸、檸檬酸、乳酸及甘油酸所組成的群組中的至少一種。推薦為，所述酸的濃度為20重量％至70重量％，所述有機(jī)硫化合物的濃度為％至10重量％。另外，所述α-羥基羧酸和/或其鹽的濃度推薦為％至5重量％。另外，本發(fā)明涉及一種使用所述蝕刻液在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻方法。發(fā)明的效果本發(fā)明的蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦。另外，本發(fā)明的蝕刻液實(shí)質(zhì)上不含氫氟酸及過(guò)氧化氫，因此毒性低，保存穩(wěn)定性優(yōu)異。具體實(shí)施方式...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學(xué)品產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于平板顯示、LED制造及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。隨著新技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場(chǎng)上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎(chǔ)上我司自主進(jìn)行了無(wú)氟，無(wú)硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā)，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產(chǎn)品特點(diǎn)：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H，常溫可穩(wěn)定120H；無(wú)暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結(jié)構(gòu)不同膜厚度的機(jī)種。BOE蝕刻液廠家直銷價(jià)格。...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過(guò)氧化氫系銅刻蝕液。過(guò)氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過(guò)硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長(zhǎng)的特點(diǎn)。大部分過(guò)氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過(guò)氧化氫組分、參與溶解的無(wú)機(jī)酸/有機(jī)酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個(gè)部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng)，體系中又含有過(guò)氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過(guò)程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素...

目前的平面顯示裝置，尤其是有機(jī)電激發(fā)光顯示器，多使用鉻金屬作為導(dǎo)線的材料。但是因?yàn)殂t金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導(dǎo)線的材料。以往曾經(jīng)有提議以銀作為平面顯示裝置的導(dǎo)線材料，但是因?yàn)闊o(wú)適當(dāng)穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有***的運(yùn)用。近幾年為提高平面顯示裝置的效能，研究者仍專注于如何降低導(dǎo)線材料的電阻值。銀合金目前被視為適當(dāng)?shù)膶?dǎo)線材料，因其阻值低于其他的金屬。此外，含銀量超過(guò)80％以上的銀合金，雖然阻值未若銀金屬一般低，但是其阻值遠(yuǎn)低于鉻金屬。然而由于銀合金未具有適當(dāng)?shù)奈g刻液，所以并沒(méi)有廣泛應(yīng)用于晶片或面板的黃光制程。發(fā)明人爰因于此，本于積極發(fā)明的精神，亟思一...

也很難保證拖車在地磅頂部不移動(dòng)。在地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊40，卡塊與平臺(tái)之間形成一插槽，在地磅的頂部設(shè)置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動(dòng)夾緊機(jī)構(gòu)，壓緊塊位于插槽中，氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車的邊緣沿插槽插入后，氣缸帶動(dòng)壓緊塊下行將拖車緊緊壓在地磅的頂部。實(shí)施例二本實(shí)施例基于實(shí)施例一。如圖2所示，在拖車的頂部設(shè)置有一圈圍設(shè)在儲(chǔ)存罐外部的護(hù)欄70，以防止其它物品碰撞儲(chǔ)存罐。實(shí)施例三本實(shí)施例基于實(shí)施例一。如圖3所示，在拖車的頂部設(shè)置有一集液盒，儲(chǔ)存罐安裝在集液盒80中，過(guò)濾器的出液管及灌裝頭的快速接頭從儲(chǔ)存罐中拔出時(shí)滴落的鋁蝕刻液，由集液盒進(jìn)行收集。實(shí)施例四本實(shí)施例基于實(shí)施例一。...

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提供高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機(jī)，所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿，所述裝置主體的后面一側(cè)底部固定連接有電源線，所述裝置主體的一側(cè)中間部位固定連接有控制器，所述裝置主體的內(nèi)部底端一側(cè)固定連接有單片機(jī)，所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲(chǔ)罐，所述裝置主體的頂部一側(cè)固定連接有磷酸儲(chǔ)罐，所述磷酸儲(chǔ)罐的底部固定連接有攪拌倉(cāng)，所述攪拌倉(cāng)的內(nèi)部頂部固定連接有攪拌電機(jī)，所述攪...

制備裝置主體1的內(nèi)部中間部位活動(dòng)連接有高效攪拌裝置2，制備裝置主體1的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板4，制備裝置主體1的底端固定連接有裝置底座5，裝置底座5的內(nèi)部底部固定連接有成品罐6，裝置底座5的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐7，裝置底座5的頂端另一側(cè)固定連接有硝酸裝罐8，高效攪拌裝置2的內(nèi)部頂部中間部位活動(dòng)連接有旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤12，高效攪拌裝置2的內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)活動(dòng)連接有震蕩彈簧件14，震蕩彈簧件14的頂端固定連接有運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13，運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組13的頂端電性連接有控制面板15，高效攪拌裝置2的內(nèi)部中間部位固定連接有致密防腐桿16，致密防腐桿16的內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)貫穿連接有攪動(dòng)孔17，鹽酸裝罐7的內(nèi)...

伸縮桿12下端固定安裝有圓環(huán)塊13，圓環(huán)塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設(shè)置，電解池4內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計(jì)為5°，進(jìn)液管8的形狀設(shè)計(jì)為l型，且進(jìn)液管8貫穿分隔板2設(shè)置在進(jìn)液漏斗6與伸縮管9之間，圓環(huán)塊13通過(guò)伸縮桿12活動(dòng)安裝在噴頭10上方，且噴頭10通過(guò)伸縮管9活動(dòng)安裝在電解池4上方，通過(guò)設(shè)置有伸縮管9與伸縮桿12，能夠在蝕刻液通過(guò)進(jìn)液管8流入到電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過(guò)圓環(huán)塊13配合伸縮管9帶動(dòng)噴頭10向上移動(dòng)，進(jìn)而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對(duì)電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護(hù)...

過(guò)濾器的出液管自動(dòng)上行離開儲(chǔ)存罐，將裝滿的儲(chǔ)存罐從鋁蝕刻液生產(chǎn)車間移動(dòng)至自動(dòng)灌裝車間中，將灌裝頭的快速接頭插入儲(chǔ)存罐的出液口中便可將儲(chǔ)存罐內(nèi)的鋁蝕刻液分裝。本實(shí)用新型除上述技術(shù)方案外，還包括以下技術(shù)特征：進(jìn)一步的是，所述地磅的頂部平臺(tái)中設(shè)置有兩條卡塊，所述卡塊與平臺(tái)之間形成一插槽；所述氣動(dòng)夾緊機(jī)構(gòu)包括氣缸和壓緊塊，所述壓緊塊位于所述插槽中，所述氣缸的伸縮桿與所述壓緊塊固連。進(jìn)一步的是，所述拖車的頂部設(shè)置有一圈圍設(shè)在所述儲(chǔ)存罐外部的護(hù)欄。進(jìn)一步的是，所述拖車的頂部設(shè)置有一集液盒，所述儲(chǔ)存罐安裝在所述集液盒中。進(jìn)一步的是，所述拖車的頂部于所述儲(chǔ)存罐的旁側(cè)設(shè)置有集液腔室。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)...

其中輸送裝置借由至少一呈順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)的滾輪帶動(dòng)基板由噴灑裝置的下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀的下端部的方向移動(dòng)。如上所述的蝕刻方法，其中風(fēng)刀裝置分別借由一設(shè)置于該輸送裝置的上端部的***風(fēng)刀與一設(shè)置于該輸送裝置的下端部的第二風(fēng)刀朝向基板的上表面與下表面吹送氣體。借此，本實(shí)用新型所產(chǎn)生的技術(shù)效果：本實(shí)用新型的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備主要借由具有復(fù)數(shù)個(gè)宣泄孔的擋液板結(jié)構(gòu)搭配風(fēng)刀裝置的硬體設(shè)計(jì)，有效使風(fēng)刀裝置吹出的氣體得以經(jīng)由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板蝕刻不均等異?，F(xiàn)象，確實(shí)達(dá)到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導(dǎo)...

本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術(shù)：高精細(xì)芯片和顯示集成電路主要采用銅制程，其光刻工藝中形成銅膜層結(jié)構(gòu)所需用的銅刻蝕液中主要的為過(guò)氧化氫系銅刻蝕液。過(guò)氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系，過(guò)硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中，產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少，刻蝕效率高且使用壽命較長(zhǎng)的特點(diǎn)。大部分過(guò)氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過(guò)氧化氫組分、參與溶解的無(wú)機(jī)酸/有機(jī)酸組分，以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個(gè)部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應(yīng)為放熱反應(yīng)，體系中又含有過(guò)氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過(guò)程中需要保證生產(chǎn)安全。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素...