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加在功率晶體管上的伏安乘積是很小的(在導通時,電壓低,電流大;關斷時,電壓高,電流?。?功率器件上的伏安乘積就是功率半導體器件上所產(chǎn)生的損耗。開關電源伯特圖與線性電源相比,PWM開關電源更為有效的工作過程是通過“斬波”,即把輸入的直流電壓斬成幅值等于輸入電壓幅值的脈沖電壓來實現(xiàn)的。脈沖的占空比由開關電源的控制器來調(diào)節(jié)。一旦輸入電壓被斬成交流方波,其幅值就可以通過變壓器來升高或降低。通過增加變壓器的二次繞組數(shù)就可以增加輸出的電壓值。***這些交流波形經(jīng)過整流濾波后就得到直流輸出電壓。功耗小、效率高:功率晶體管工作在開關狀態(tài),所以晶體管上的功耗小。建鄴區(qū)開關電源
軟開關DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關管,在開通或關斷過程中,或是加于其上的電壓為零,即零電壓開關(Zero-Voltage-Switching,ZVS),或是通過開關管的電流為零,即零電流開關(Zero-Current·Switching,ZCS)。這種軟開關方式可以***地減小開關損耗,以及開關過程中激起的振蕩,使開關頻率可以大幅度提高,為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件。功率場效應管(MOSFET)是應用較多的開關器件,它有較高的開關速度,但同時也有較大的寄生電容。它關斷時,在外電壓的作用下, 其寄生電容充滿電,如果在其開通前不將這一部分電荷放掉,則將消耗于器件內(nèi)部山西制作開關電源3、直流:開關電源輸出的是直流而不是交流 。
1、體積小、重量輕:由于沒有工頻變壓器,所以體積和重量只有線性電源的20~30%。2、功耗小、效率高:功率晶體管工作在開關狀態(tài),所以晶體管上的功耗小,轉(zhuǎn)化效率高,一般為60~70%,而線性電電源只有30~40%。 [1]3、結構簡單、可靠性高:維修方便,電流紋波率可以很容易的做到比較低??刂破鞯闹饕康氖潜3州敵鲭妷悍€(wěn)定,其工作過程與線性形式的控制器很類似。也就是說控制器的功能塊、電壓參考和誤差放大器,可以設計成與線性調(diào)節(jié)器相同。他們的不同之處在于,誤差放大器的輸出(誤差電壓)在驅(qū)動功率管之前要經(jīng)過一個電壓/脈沖寬度轉(zhuǎn)換單元。
式DC/DC轉(zhuǎn)換器在實現(xiàn)輸出與輸入電氣隔離時,通常采用變壓器來實現(xiàn),由于變壓器具有變壓的功能,所以有利于擴大轉(zhuǎn)換器的輸出應用范圍,也便于實現(xiàn)不同電壓的多路輸出,或相同電壓的多種輸出。在功率開關管的電壓和電流定額相同時,轉(zhuǎn)換器的輸出功率通常與所用開關管的數(shù)量成正比。所以開關管數(shù)越多,DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸出功率越大,四管式比兩管式輸出功率大一倍,單管式輸出功率只有四管式的1/4。非隔離式轉(zhuǎn)換器與隔離式轉(zhuǎn)換器的組合,可以得到單個轉(zhuǎn)換器所不具備的一些特性。頻率固定、脈沖寬度可變模式,頻率、脈沖寬度可變模式。
以及開關過程中激起的振蕩,使開關頻率可以大幅度提高,為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件。功率場效應管(MOSFET)是應用較多的開關器件,它有較高的開關速度,但同時也有較大的寄生電容。它關斷時,在外電壓的作用下, 其寄生電容充滿電,如果在其開通前不將這一部分電荷放掉,則將消耗于器件內(nèi)部,這就是容性開通損耗。為了減小或消除這種損耗,功率場效應管宜采用零電壓開通方式(ZVS)。絕緣柵雙極性晶體管(Insulated Gate Bipolar tansistor,IGBT)是一種復合開關器件開關電源一般有三種工作模式:頻率、脈沖寬度固定模式。哪里開關電源設計
走出有色的產(chǎn)學研聯(lián)合發(fā)展之路,為我國國民經(jīng)濟的高速發(fā)展做出貢獻。建鄴區(qū)開關電源
同時在開關過程中還會激起電路分布電感和寄生 電容的振蕩,帶來附加損耗,因此,硬開關DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關頻率不能太高。軟開關DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關管,在開通或關斷過程中,或是加于其上的電壓為零,即零電壓開關(Zero-Voltage-Switching,ZVS),或是通過開關管的電流為零,即零電流開關(Zero-Current·Switching,ZCS)。這種軟開關方式可以***地減小開關損耗,以及開關過程中激起的振蕩,使開關頻率可以大幅度提高,為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件。功率場效應管(MOSFET)是應用較多的開關器件,它有較高的開關速度建鄴區(qū)開關電源
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