晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時開關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護電路302可在電源電壓掉電時將開關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開關(guān)管mp1的導通閾值vtp(本實施例的pmos管的導通閾值vtp為)，因此當電源電壓掉電時開關(guān)管mp1可以一直處于截止狀態(tài)，進一步解決了電源電壓掉電時開關(guān)管mp1的誤導通造成的信號泄露問題。在上述實施例中以單通道的模擬開關(guān)電路對本發(fā)明的掉電保護電路進行了說明。需要說明的是，本發(fā)明實施例的掉電保護電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實施例的另一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖，圖4中的模擬開關(guān)電路400例如為單刀雙擲開關(guān)，包括模擬開關(guān)401、掉電保護電路402、驅(qū)動電路403、模擬開關(guān)404、以及驅(qū)動電路405。模擬開關(guān)401包括開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1，開關(guān)管mp1為pmos管，開關(guān)管mn1為nmos管。開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號輸出端y，開關(guān)管mp1的襯底與掉電保護電路402連接，開關(guān)管mn1的襯底接地。八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，有需要可以聯(lián)系我司哦！合肥智能八路模擬開關(guān)板哪家好

    Note7)VDD=15VIINInputCurrent輸入電流VDD?VSS=15VVDD≥VIS≥VSSVDD≥VC≥VSS??10?5??μA10?5ACElectricalCharacteristics交流電氣屬性：Symbol符號Parameter參數(shù)Conditions條件**小典型**大Units單位tPHL,tPLHPropagationDelayTimeSignalInputtoSignalOutput信號輸入到信號輸出傳遞延遲時間VC=VDD,CL=50pF,(Figure1)RL=200kVDD=5V2555nsVDD=10V1535VDD=15V1025tPZH,tPZLPropagationDelayTimeControlInputtoSignalOutputHighImpedancetoLogicalLevelRL=Ω,CL=50pF,(Figure2,Figure3)VDD=5V125nsVDD=10V60VDD=15V50tPHZ,tPLZPropagationDelayTimeControlInputtoSignalOutputLogicalLeveltoHighImpedanceSineWaveDistortionFrequencyResponse-Switch“ON”(Frequencyat?3dB)RL=Ω,CL=50pFVDD=5V125nsVDD=10V60VDD=15V50VC=VDD=5V,VSS=?5VRL=10kΩ,VIS=5Vp-p,f=1kHz,(Figure4)%VC=VDD=5V,VSS=?5V,RL=1kΩ,VIS=5Vp-p,20Log10VOS/VOS(1kHz)?dB,(Figure4)40MHzFeedthrough—Switch“OFF”(Frequencyat?50dB)CrosstalkBetweenAnyTwoSwitches(Frequencyat?50dB)Crosstalk;ControlInputtoSignalOutputMaximumControlInputVDD=?Ω,VIS=?50dB,(Figure4)VDD=VC(A)=。江蘇集成電路八路模擬開關(guān)板配件八路模擬開關(guān)板，就選上海金樽自動化控制科技有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！

    2).特征圖23簡化的MUX內(nèi)部的開關(guān)模型及通道間串擾隨信號頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容致使的。有時，也會由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容，展現(xiàn)為串擾。CSS表示兩個輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號的兩個輸入走線之間的電容，或者是多路復用器的兩個輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時候，從S1到OUTPUT的阻抗是RON，因為S2是斷開的，從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強加到S1的輸入信號的頻率增加，寄生電容CSD的阻抗變得更低，并在S2引入了一部分S1的輸入信號。相同的法則，寄生電容CSS隨頻率的增加也會將一部分輸入信號直接耦合到斷開的通道S2。縮減雜散電容的電路板布置技術(shù)也會有助于通道間的串擾疑問。5.關(guān)斷隔離Offisolation(1).概念關(guān)斷隔離概念為當在關(guān)閉通道的源極引腳上強加已知信號時在多路復用器輸出引腳上引入的電壓。圖24關(guān)斷隔離示意圖(2).特色圖25簡化的MUX內(nèi)部的開關(guān)模型及關(guān)斷隔離隨信號頻率的變化像串擾一樣，關(guān)斷隔離也是一種與頻率相關(guān)的現(xiàn)象，由于模擬開關(guān)或多路復用器的OFF狀況寄生電容CSD而時有發(fā)生。而開關(guān)在截止狀況的寄生電容又取決多個因素。

    容許音頻放大器和開關(guān)先加電，而主通道開關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時間（參見10ms）后，耦合電容器的兩端均充電至等電位，然后開啟主通道，根本并未浪涌電流。因為此時電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開關(guān)十分適于通過單個USB連接器（D+/D針）與聽筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真（THD）對于音頻通道十分關(guān)鍵。另外，由于開關(guān)置于在交流耦合電容器之后，因此須要處置低THD時較大的反向信號擺幅。該開關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過裝置“有線”連通高速USB信號。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當前市場趨向轉(zhuǎn)移到單個USB充電器/數(shù)據(jù)端口，特別應(yīng)用的USB開關(guān)已成為具充電器檢測機能的手機設(shè)計中的常用配置。圖2是此類交換機應(yīng)用程序的示例。基于兩個主要緣故，在此設(shè)計中需低導通電容開關(guān)。首先，由于基帶處理器和高速當手機進入高速模式時，USB控制器輸出在連接器側(cè)共享相同的D+/D-引腳USB模式（例如音樂下載或閃存功用），須要減低基帶/。全速控制器的輸出電容。D+/D-線上的任何附加電容都會毀損Hi-Speed的眼圖USB信號。其次，在高速USB模式下，須要切斷D+/D-線上的剩余走線。上海金樽自動化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開關(guān)板，竭誠為您服務(wù)。

    控制p型開關(guān)管的襯底電位，使得電源電壓掉電時p型開關(guān)管的寄生二極管不會導通。掉電保護電路還用于在電源電壓掉電時將該參考電壓提供至模擬開關(guān)電路的驅(qū)動電路的供電端，控制p型開關(guān)管的柵極電位，保證電源電壓掉電時p型開關(guān)管不會誤導通，有效解決了電源電壓掉電時的信號泄露問題，電路結(jié)構(gòu)簡單實用，工作性能穩(wěn)定可靠，適用范圍***。進一步的，本發(fā)明實施例的掉電保護電路還包括電壓上拉模塊，電壓上拉模塊可在電源電壓正常時將所述參考電壓上拉至電源電壓，保證模擬開關(guān)電路可正常工作。附圖說明通過以下參照附圖對本發(fā)明實施例的描述，本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點將更為清楚。圖1示出傳統(tǒng)的模擬開關(guān)電路的電路示意圖；圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明實施例的一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明實施例的另一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖。具體實施方式以下將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明。在各個附圖中，相同的元件采用類似的附圖標記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個部分沒有按比例繪制。此外，在圖中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本發(fā)明的許多特定的細節(jié)。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開關(guān)板的公司，歡迎您的來電！四川單片機八路模擬開關(guān)板修理

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    MUX輸出就會需一定的時間來平穩(wěn)。對于一個N-bit的ADC：K實際上是**RC電路中，電壓抵達目標誤差以內(nèi)時所需的時間常數(shù)的數(shù)目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個仿真來說明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象，在Vout端加入一個電容C1，可以明白為增加了CD，也可以明白為負載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對輸出影響的仿真示例電路當C1=50pF時，整個回路的時間常數(shù)較大，需更長時間平穩(wěn)，所以在開關(guān)導通20uS之后，輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當C1=10pF時，整個回路的時間常數(shù)較小，需較短時間安定，所以在開關(guān)導通20uS之內(nèi)，輸出電壓平穩(wěn)到了信號源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因為在開關(guān)導通的通道上，缺失損耗這部分電荷的通道，所以當這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時，會在輸出產(chǎn)生一個電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下：當在EN端有一個階躍信號時，這個階躍電壓會通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ，CD和CL。所以，當流入的電荷越小時。合肥智能八路模擬開關(guān)板哪家好

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