在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié)、ADC分時(shí)搜集多路傳感器信號(hào)等等。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在用到的過(guò)程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的根基參數(shù)。在開(kāi)始介紹基石的參數(shù)之前，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）含有電荷泵的NFET。三種架構(gòu)各有特色，詳實(shí)的介紹，可以參閱《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的。圖1MOSFET開(kāi)關(guān)構(gòu)造另外，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造，S和D是對(duì)稱的，所以在功用上是可以對(duì)調(diào)的，也因此，開(kāi)關(guān)是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí)，對(duì)于NMOS而言，S級(jí)的電壓越高。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，期待為您服務(wù)！四川集成電路八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹

輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端b傳輸至信號(hào)輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路100在電源電壓掉電時(shí)可能具有信號(hào)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。以模擬開(kāi)關(guān)101為例，開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管，如果電源電壓掉電時(shí)信號(hào)輸入端a的輸入信號(hào)的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r(shí)，開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管將正向?qū)ǎ纬尚盘?hào)輸入端a到電源電壓vcc的漏電流。如果電源電壓掉電時(shí)該輸入信號(hào)的電壓大于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓大于晶體管的導(dǎo)通閾值，開(kāi)關(guān)管mp1將導(dǎo)通，形成信號(hào)輸入端a到信號(hào)輸出端y之間的通路，造成信號(hào)的泄露。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。如圖2所示，模擬開(kāi)關(guān)電路200包括模擬開(kāi)關(guān)201和掉電保護(hù)電路202。掉電保護(hù)電路202包括晶體管m1至m4以及電阻r1和電阻r2。晶體管m1的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接，源極與電阻r1連接，電阻r1的另一端連接至信號(hào)輸入端a。晶體管m1的柵極與電阻r2的一端連接，電阻r2的另一端連接至電源電壓vcc。晶體管m2和晶體管m3依次串聯(lián)連接在晶體管m1和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn)與地之間。晶體管m4的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接，源極與晶體管m1和電阻r2的中間節(jié)點(diǎn)連接。安徽編程八路模擬開(kāi)關(guān)板怎么用上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板，期待您的光臨！

CD4066中文資料：CD4066是四雙向模擬開(kāi)關(guān)，主要當(dāng)做模擬或數(shù)字信號(hào)的多路傳輸。引出端排列與CC4016一致，但具備較為低的導(dǎo)通阻抗。另外，導(dǎo)通阻抗在整個(gè)輸入信號(hào)范圍內(nèi)基本不變。CD4066由四個(gè)互相單獨(dú)的雙向開(kāi)關(guān)構(gòu)成，每個(gè)開(kāi)關(guān)有一個(gè)控制信號(hào)，開(kāi)關(guān)中的p和n器件在支配信號(hào)功用下同時(shí)開(kāi)關(guān)。這種構(gòu)造掃除了開(kāi)關(guān)晶體管閾值電壓隨輸入信號(hào)的變化，因此在整個(gè)工作信號(hào)范圍內(nèi)導(dǎo)通阻抗比起低。與單通道開(kāi)關(guān)相比之下，兼具輸入信號(hào)峰值電壓范圍等于電源電壓以及在輸入信號(hào)范圍內(nèi)導(dǎo)通阻抗較為平穩(wěn)等優(yōu)點(diǎn)。但若應(yīng)用于采保電路，仍引薦CD4016。當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)的電源電壓使用雙電源時(shí)，例如=﹢5V，=﹣5V（均對(duì)地0V而言），則輸入電壓對(duì)稱于0V的正、負(fù)信號(hào)電壓（﹢5V～﹣5V）均能傳輸。這時(shí)要求操縱信號(hào)C=“1”為+5V，C=“0”為-5V，否則只能傳輸正極性的信號(hào)電壓。CD4066引腳功能圖內(nèi)部方框圖AbsoluteMaximumRatings*****大額定值：SupplyVoltage電源電壓(VDD)?InputVoltage輸入電壓(VIN)?StorageTemperatureRange儲(chǔ)存溫度范圍(TS)?65℃to+150℃PowerDissipation功耗(PD)Dual-In-Line普通雙列封裝700mWSmallOutline小外形封裝500mWLeadTemperature焊接溫度(TL)Soldering,10seconds)。

掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?，開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端，使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓vgs小于晶體管的導(dǎo)通閾值vtp，保證當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源端掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的，掉電保護(hù)電路402包括晶體管m1、晶體管m2、晶體管m3以及晶體管m8，晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接，晶體管m8的漏極與信號(hào)輸入端b連接，晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接，晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc，并且晶體管m1至m3以及晶體管m8的柵極、漏極和襯底彼此連接，分別連接成二極管結(jié)構(gòu)。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，期待您的光臨！

用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，并將所述參考電壓提供至所述至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的供電端和所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底，其中，所述掉電保護(hù)電路包括多個(gè)***晶體管，所述多個(gè)***晶體管的漏極分別與所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端連接，所述多個(gè)***晶體管的源極彼此連接以輸出所述參考電壓。推薦地，所述掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊，用于在所述電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓。推薦地，所述***晶體管的柵極、漏極和襯底彼此連接，以構(gòu)成二極管結(jié)構(gòu)。推薦地，所述參考電壓等于所述至少一個(gè)信號(hào)輸入端、所述信號(hào)輸出端以及所述電源端中電位更高者與所述***晶體管的導(dǎo)通閾值的電壓差。推薦地，所述電壓上拉模塊包括：連接于所述多個(gè)***晶體管的源極和地之間的第二晶體管和電阻，所述第二晶體管的柵極用于接收所述電源電壓；以及第三晶體管，源極用于接收所述電源電壓，柵極與所述第二晶體管和所述電阻的中間節(jié)點(diǎn)連接，漏極和襯底與所述p型開(kāi)關(guān)管的襯底以及所述驅(qū)動(dòng)電路的供電端連接。推薦地，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)電路都包括第四晶體管和第五晶體管。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，有想法的可以來(lái)電咨詢！湖北雙電源八路模擬開(kāi)關(guān)板成本價(jià)

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2).特征圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容致使的。有時(shí)，也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容，展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容，或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候，從S1到OUTPUT的阻抗是RON，因?yàn)镾2是斷開(kāi)的，從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加，寄生電容CSD的阻抗變得更低，并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則，寄生電容CSS隨頻率的增加也會(huì)將一部分輸入信號(hào)直接耦合到斷開(kāi)的通道S2?？s減雜散電容的電路板布置技術(shù)也會(huì)有助于通道間的串?dāng)_疑問(wèn)。5.關(guān)斷隔離Offisolation(1).概念關(guān)斷隔離概念為當(dāng)在關(guān)閉通道的源極引腳上強(qiáng)加已知信號(hào)時(shí)在多路復(fù)用器輸出引腳上引入的電壓。圖24關(guān)斷隔離示意圖(2).特色圖25簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及關(guān)斷隔離隨信號(hào)頻率的變化像串?dāng)_一樣，關(guān)斷隔離也是一種與頻率相關(guān)的現(xiàn)象，由于模擬開(kāi)關(guān)或多路復(fù)用器的OFF狀況寄生電容CSD而時(shí)有發(fā)生。而開(kāi)關(guān)在截止?fàn)顩r的寄生電容又取決多個(gè)因素。四川集成電路八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹

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