激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機(jī)理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程，一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷，稱之為自發(fā)輻射；二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發(fā)輻射，即使是兩個(gè)同時(shí)從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子，它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當(dāng)位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發(fā)生的輻射就是受激輻射，它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣。任何的受激發(fā)光系統(tǒng)，即有受激輻射，也有受激吸收，只有受激輻射占優(yōu)勢，才能把外來光放大而發(fā)出激光。而一般光源中都是受激吸收占優(yōu)勢，只有粒子的平衡態(tài)被打破，使高能態(tài)的粒子數(shù)大于低能態(tài)的粒子數(shù)（這樣情況稱為粒子數(shù)反轉(zhuǎn)），才能發(fā)出激光。激光束鎖定穩(wěn)定性高，出廠前便已完成校正鎖模，出廠后無需再次校正，避免了因激光束偏離而導(dǎo)致的操作誤差。北京Laser激光破膜XYRCOS

發(fā)展上世紀(jì)60年代發(fā)明的一種光源，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結(jié)GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結(jié)激光二極管，1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光二極管。此后，激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時(shí)以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進(jìn)展，因而推動(dòng)了光纖通信和其他應(yīng)用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的遠(yuǎn)紅外波長激光二極管。上海激光破膜發(fā)育生物學(xué)利用激光破膜儀對早期胚胎進(jìn)行精細(xì)操作，有助于深入研究胚胎發(fā)育過程中的細(xì)胞命運(yùn)決定等機(jī)制。

簡介播報(bào)編輯體細(xì)胞核移植（Somatic Cell nuclear transfer）:又稱體細(xì)胞克隆，作為動(dòng)物細(xì)胞工程技術(shù)的常用技術(shù)手段，即把體細(xì)胞核移入去核卵母細(xì)胞中，使其發(fā)生再程序化并發(fā)育為新的胚胎，這個(gè)胚胎**終發(fā)育為動(dòng)物個(gè)體。用核移植方法獲得的動(dòng)物稱為克隆動(dòng)物。由于體細(xì)胞高度分化，恢復(fù)全能性困難，體細(xì)胞核移植的原理即是細(xì)胞核的全能性。操作過程播報(bào)編輯細(xì)胞核的采集和卵母細(xì)胞的準(zhǔn)備從供體身體的某一部位上取體細(xì)胞，并通過體細(xì)胞培養(yǎng)技術(shù)對該體細(xì)胞進(jìn)行增殖。采集卵母細(xì)胞，體外培養(yǎng)到減數(shù)第二次分裂中期，通過顯微操作去除卵母細(xì)胞中的核，由于減二中期細(xì)胞核的位置靠近***極體，用微型吸管可以一并吸出細(xì)胞核和***極體。細(xì)胞促融將供體細(xì)胞注入去核卵母細(xì)胞通過電刺激使兩細(xì)胞融合，供體細(xì)胞進(jìn)入受體卵母細(xì)胞內(nèi)構(gòu)建重組胚胎，通過物理或化學(xué)方法（如電脈沖、鈣離子載體、乙醇、蛋白酶合成抑制劑等）***受體細(xì)胞，使其完成細(xì)胞分裂和發(fā)育進(jìn)程。植入**母體體外完成早期胚胎培養(yǎng)后，將胚胎移植入**母體內(nèi)，使其繼續(xù)發(fā)育為新個(gè)體。

產(chǎn)生激光的三個(gè)條件是：實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)、滿足閾值條件和諧振條件。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，在半導(dǎo)體中就是要把價(jià)帶內(nèi)的電子抽運(yùn)到導(dǎo)帶。為了獲得粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，通常采用重?fù)诫s的P型和N型材料構(gòu)成PN結(jié)，這樣，在外加電壓作用下，在結(jié)區(qū)附近就出現(xiàn)了粒子數(shù)反轉(zhuǎn)—在高費(fèi)米能級EFC以下導(dǎo)帶中貯存著電子，而在低費(fèi)米能級EFV以上的價(jià)帶中貯存著空穴。實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)是產(chǎn)生激光的必要條件，但不是充分條件。要產(chǎn)生激光，還要有損耗極小的諧振腔，諧振腔的主要部分是兩個(gè)互相平行的反射鏡，***物質(zhì)所發(fā)出的受激輻射光在兩個(gè)反射鏡之間來回反射，不斷引起新的受激輻射，使其不斷被放大。只有受激輻射放大的增益大于激光器內(nèi)的各種損耗，即滿足一定的閾值條件：P1P2exp（2G - 2A) ≥ 1（P1、P2是兩個(gè)反射鏡的反射率，G是***介質(zhì)的增益系數(shù)，A是介質(zhì)的損耗系數(shù)，exp為常數(shù)），才能輸出穩(wěn)定的激光。在受精卵發(fā)育第三天取出一個(gè)卵裂球進(jìn)行DNA檢測也是常用的PGD檢測方法。

試管嬰兒技術(shù)給不孕夫婦帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術(shù)成功迎來自己的寶寶?？茖W(xué)研究表明，健康的胚胎是成功懷孕的關(guān)鍵。然而，通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常，胚胎染色體異常的風(fēng)險(xiǎn)隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是妊娠失敗和自然流產(chǎn)的主要原因。

健康的胚胎是試管嬰兒成功的第一步。因此，植入前遺傳學(xué)篩查越來越受到重視，PGD/PGS應(yīng)運(yùn)而生。那么，染色體異常會導(dǎo)致哪些遺傳病，基因檢測是如何進(jìn)行的呢？染色體問題有多嚴(yán)重？首先需要注意的是，能夠順利出生的健康寶寶，其實(shí)只是冰山一角。大部分染色體異常的胚胎無法植入、流產(chǎn)或停止，導(dǎo)致自然淘汰。99%的流產(chǎn)是由胎兒引起的，而不是母親。在卵子受精階段，染色體異常的百分比為45%。成功植入胚胎的染色體異常率為25%。在妊娠早期，染色體異常率為15%。研究表明，40歲以上染色體異常的百分比為60%，43歲以上則高達(dá)85%。這就證明了即使43歲以上的卵子發(fā)育成囊胚，染色體異常的比例其實(shí)很高，這是不可避免的，這也是高齡產(chǎn)婦流產(chǎn)率高的原因。 儀器通常配備自動(dòng)化系統(tǒng)和直觀的操作界面，操作人員能夠很快上手以便完成各種操作任務(wù)。香港連續(xù)多脈沖激光破膜內(nèi)細(xì)胞團(tuán)分離

實(shí)時(shí)同步成像，可以獲取圖像和影像，通過拍攝的圖像可以進(jìn)行胚胎量測、分析和評價(jià)。北京Laser激光破膜XYRCOS

檢測方法播報(bào)編輯（1）阻值測量法：拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴(yán)重老化，不能再使用了。（2）電流測量法：用萬用表測量激光二極管驅(qū)動(dòng)電路中負(fù)載電阻兩端的電壓降，再根據(jù)歐姆定律估算出流過該管的電流值，當(dāng)電流超過100mA時(shí)，若調(diào)節(jié)激光功率電位器，而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴(yán)重老化。若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學(xué)諧振腔已損壞。北京Laser激光破膜XYRCOS