DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒(méi)有?對(duì)于一般信號(hào)而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問(wèn)題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒(méi)有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)椋贒DR中，信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對(duì)于DDR信號(hào)而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的，而且能量信號(hào)這個(gè)特性，會(huì)延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中，我們會(huì)在DDR2和DDR3的信號(hào)體制中，更加深刻地感覺(jué)到能量信號(hào)對(duì)于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然，除了能量的累積不能超過(guò)AC規(guī)范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過(guò)極限，否則，無(wú)需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3一致性測(cè)試是否包括高負(fù)載或長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行測(cè)試？上海DDR3測(cè)試一致性測(cè)試

那么在下面的仿真分析過(guò)程中，我們是不是可以就以這兩個(gè)圖中的時(shí)序要求作為衡量標(biāo)準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)呢?答案是否定的，因?yàn)殡m然這個(gè)時(shí)序是規(guī)范中定義的標(biāo)準(zhǔn)，但是在系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中，我們所使用的是Micron的產(chǎn)品，而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對(duì)Micron芯片的時(shí)序控制程度。所以雖然我們通過(guò)閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設(shè)計(jì)要求，但是具體實(shí)現(xiàn)的參數(shù)指標(biāo)要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)為準(zhǔn)。換句話說(shuō)，DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)，而我們?cè)O(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，既然使用了Micron的產(chǎn)品，那么系統(tǒng)的性能指標(biāo)分析就要以Micron的產(chǎn)品為準(zhǔn)。所以，接下來(lái)的任務(wù)就是我們要在Micron的DDR芯片手冊(cè)和作為控制器的FPGA數(shù)據(jù)手冊(cè)中，找到類似的DDR規(guī)范的設(shè)計(jì)要求和具體的設(shè)計(jì)參數(shù)。自動(dòng)化DDR3測(cè)試推薦貨源DDR3一致性測(cè)試是否適用于超頻內(nèi)存模塊？

可以通過(guò)AllegroSigritySI仿真軟件來(lái)仿真CLK信號(hào)。

(1)產(chǎn)品選擇：從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。

(2)在產(chǎn)品選擇界面選項(xiàng)中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當(dāng)前DDR_文件的同一目錄下，這樣，工具會(huì)自動(dòng)?xùn)苏业侥夸浵碌钠骷Ｐ汀?

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過(guò) Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過(guò)實(shí)例來(lái)介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動(dòng) Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個(gè).brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件，并自動(dòng)在PowerSI軟件界面中打開。 何時(shí)需要將DDR3內(nèi)存模塊更換為新的？

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作電壓為1.2V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為800?1600MHz； 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為1600?3200Mbps；數(shù)據(jù)命令和控制信號(hào)速率為800?1600Mbps。DDR4的時(shí) 鐘、地址、命令和控制信號(hào)使用Fly-by拓?fù)渥呔€；數(shù)據(jù)和選通信號(hào)依舊使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓 撲，并支持動(dòng)態(tài)ODT功能；也支持Write Leveling功能。

綜上所述，DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號(hào)都釆用對(duì)稱的樹形拓?fù)?；DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號(hào)也延用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)洹Ｉ?jí)到DDR2后，為了改進(jìn)信號(hào)質(zhì)量，在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號(hào)設(shè)計(jì)了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優(yōu)化時(shí)序提供了差分的選通信號(hào)。DDR3速率更快，時(shí)序裕量更小，選通信號(hào)只釆用差分信號(hào)。 DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試包括哪些內(nèi)容？上海DDR3測(cè)試一致性測(cè)試

DDR3一致性測(cè)試是否適用于雙通道或四通道內(nèi)存配置？上海DDR3測(cè)試一致性測(cè)試

常見的信號(hào)質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號(hào)質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說(shuō)信號(hào)幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號(hào) 端接使DDR信號(hào)質(zhì)量變差，通過(guò)仿真就可以找出合適端接，使信號(hào)質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號(hào)為例，通過(guò)一個(gè)實(shí)際案例說(shuō)明DDR3信號(hào)質(zhì)量仿真。

在本案例中客戶反映實(shí)測(cè)CLK信號(hào)質(zhì)量不好。CLK信號(hào)從CUP (U100)出來(lái)經(jīng)過(guò)4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號(hào)很 差，系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對(duì)時(shí)鐘信號(hào)做了終端上拉匹配后，可以正常工作。 上海DDR3測(cè)試一致性測(cè)試