實(shí)際產(chǎn)品中，**常用的浪涌測(cè)試波形為1.2/50us和10/700us，如何將TVS承受浪涌功率從10/1000us波形下?lián)Q算到其他波形呢，這就需要看Spec中的另一個(gè)曲線圖：通過(guò)上圖可以查出，1.2/50us波形所對(duì)應(yīng)脈沖寬度50us，對(duì)應(yīng)峰值功率為2200W左右。那么這種情況下，反算脈沖峰值電流為2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在電源端口，在共模時(shí)，浪涌發(fā)生器內(nèi)阻為12歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在電源端口，在差模時(shí)，浪涌發(fā)生器內(nèi)阻為2歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非對(duì)稱信號(hào)端口，無(wú)論差模共模，浪涌發(fā)生器內(nèi)阻為42歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*42ohm=3786.9V。從上面我們可以看出，一個(gè)TVS所能承受的比較大浪涌電壓，不僅與自身的參數(shù)相關(guān)(比較大承受功率、鉗位電壓等)，也和其在電路的位置息息相關(guān)(浪涌發(fā)生器的內(nèi)阻值非常重要)。TVS的失效模式通常為短路失效模式。湖北2RTVS結(jié)電容

TVS的電路符號(hào)與普通穩(wěn)壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結(jié)雪崩器件。在瞬態(tài)峰值脈沖電流作用***過(guò)TVS的電流，由原來(lái)的反向漏電流ID上升到IR時(shí)，其兩極呈現(xiàn)的電壓由額定反向關(guān)斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現(xiàn)，流過(guò)TVS的電流達(dá)到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預(yù)定的比較大箝位電壓以下。而后，隨著脈沖電流按指數(shù)衰減，TVS兩極的電壓也不斷下降，***恢復(fù)到起始狀態(tài)。這就是TVS抑制可能出現(xiàn)的浪涌脈沖功率，保護(hù)電子元器件的整個(gè)過(guò)程。浙江兩端TVS參數(shù)TVS與MOV比，具有較低的鉗位電壓。

對(duì)于接口電路來(lái)說(shuō)，為了保護(hù)我們的內(nèi)部電路，都會(huì)在信號(hào)進(jìn)入到電路板的連接器處增加TVS，而TVS是由二極管構(gòu)成的，是二極管就會(huì)有結(jié)電容，結(jié)電容的大小會(huì)對(duì)信號(hào)造成一定的影響，特別是高速信號(hào)，而這里給出了建議的結(jié)電容大小，以使對(duì)信號(hào)的影響盡可能的降低，保證能正常的通信。以下對(duì)各接口的結(jié)電容建議：GPIO接口結(jié)電容＜30pF，pushbutton＜30pF，Audio＜10pF，USB2.0＜2.5pF，USB3.0＜0.5pF，USB3.1 gen2＜0.3pF，HDMI1.4＜0.7pF，HDMI2.0＜0.5pF，天線＜0.2pF。

過(guò)電應(yīng)力當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量超過(guò)TVS所能承受能量時(shí)會(huì)引起TVS器件過(guò)電應(yīng)力損傷，特別是當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量達(dá)到TVS所能承受能量的數(shù)倍時(shí)會(huì)直接導(dǎo)致TVS器件過(guò)電應(yīng)力燒毀，失效模式表現(xiàn)為短路。過(guò)電應(yīng)力短路失效的TVS芯片在掃描電鏡下觀察?？砂l(fā)現(xiàn)pn結(jié)表面邊緣的熔融區(qū)域或體內(nèi)硅片的上表面和下表面的黑斑。試驗(yàn)表明，發(fā)生在結(jié)表面邊緣過(guò)電應(yīng)力短路失效通常是由持續(xù)時(shí)間極短(ns級(jí))的高能量瞬態(tài)脈沖所致，例如:EMP、ESD產(chǎn)生的脈沖:體內(nèi)過(guò)電應(yīng)力失效通常是由持續(xù)時(shí)間稍長(zhǎng)(us級(jí)以上)高能量脈沖所致，例如:電快速瞬變，雷電產(chǎn)生的脈沖。如果高能量瞬態(tài)脈沖持續(xù)時(shí)間介于ns級(jí)和μs級(jí)之間，則短路可能發(fā)生在結(jié)邊緣表面，也可能發(fā)生在體內(nèi)。TVS的瞬態(tài)功率一般是在10/1000μs的波形下測(cè)量。

比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當(dāng)持續(xù)時(shí)間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過(guò)TVS時(shí)，在其兩極間出現(xiàn)的比較大峰值電壓為VC。它是串聯(lián)電阻上和因溫度系數(shù)兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結(jié)截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測(cè)得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C過(guò)大將使信號(hào)衰減。因此，C是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS的重要參數(shù)。。。。來(lái)明電子可根據(jù)客戶要求，為客戶定制各類TVS產(chǎn)品。重慶4532TVS原理

SMC封裝的TVS功率比較大可做到8kW。湖北2RTVS結(jié)電容

為進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進(jìn)新型TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的技術(shù)進(jìn)步與應(yīng)用水平提高，在 5G 商用爆發(fā)前夕，2019 中國(guó) 5G TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容重點(diǎn)展示關(guān)鍵元器件及設(shè)備，旨在助力TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業(yè)把握發(fā)展機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。電子元器件自主可控是指在研發(fā)、生產(chǎn)和保證等環(huán)節(jié)，主要依靠國(guó)內(nèi)科研生產(chǎn)力量，在預(yù)期和操控范圍內(nèi)，滿足信息系統(tǒng)建設(shè)和信息化發(fā)展需要的能力。電子元器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用，對(duì)電子產(chǎn)品和信息系統(tǒng)的功能性能影響至關(guān)重要，涉及到工藝、合物半導(dǎo)體、微納系統(tǒng)芯片集成、器件驗(yàn)證、可靠性等。根據(jù)近幾年的數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)已然成為世界極大的電子元器件市場(chǎng)，每年的進(jìn)口額高達(dá)2300多億美元，超過(guò)石油進(jìn)口金額。但是根本的痛點(diǎn)仍然沒(méi)有得到解決——眾多的有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)，資歷不深缺少金錢，缺乏人才，渠道和供應(yīng)鏈也是缺少，而其中困惱還是忠實(shí)用戶的數(shù)量。目前汽車行業(yè)、醫(yī)治、航空、通信等領(lǐng)域無(wú)一不刺激著電子元器件。就拿近期的熱門話題“5G”來(lái)說(shuō)，新的領(lǐng)域需要新的技術(shù)填充?！?G”所需要的元器件開(kāi)發(fā)有限責(zé)任公司（自然）要求相信也是會(huì)更高，制造工藝更難。湖北2RTVS結(jié)電容

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