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壓敏電阻是大家都會(huì)經(jīng)常用的一款電阻器，那么對(duì)于壓敏電阻發(fā)展歷史你們有所了解嗎？為此小編跟大家科普一下這方面的知識(shí)。一起進(jìn)入本文的主題吧！1929～1930年，美國(guó)和德國(guó)幾乎同時(shí)用碳化硅壓敏材料制成高壓避雷器。40年代末，蘇聯(lián)制成低壓碳化硅壓敏電阻器。1968年日本研制出氧化鋅壓敏材料。這種材料具有比其他材料更為優(yōu)異的電氣性能，至今仍獲得廣泛應(yīng)用。其他金屬氧化物(Fe2O3、tiO等)壓敏電阻器也得到發(fā)展。目前壓敏電阻在各類電源設(shè)備被使用。 Y型腳壓敏電阻MOV電路壓敏電阻器標(biāo)稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值。

貼片壓敏電阻體積小，節(jié)省空間大TVS二極管靜電容量小，需要并聯(lián)插入MLCC一起使用，這樣就占用二個(gè)元件的面積，而貼片壓敏電阻靜電容量大，和TVS二極管、MLCC體積差不多，但只需要一個(gè)貼片壓敏電阻就可以代替TVS二極管和MLCC這兩個(gè)產(chǎn)品，節(jié)省空間。2、音頻失真小TVS二極管有極性，的電流-電壓特性(IV曲線)急劇升高，導(dǎo)致音頻信號(hào)失真，而貼片壓敏電阻無極性，其電流-電壓特性IV曲線)升高幅度慢，更容易保持高音質(zhì)。3、通過靜電容量抑制噪音在智能手機(jī)的音頻線路中，音頻編解碼器及D級(jí)放大器等會(huì)產(chǎn)生噪音，對(duì)內(nèi)部造成干擾，導(dǎo)致接收靈敏度劣化。MLCC的靜電容量范圍較廣，為數(shù)pF～數(shù)F，TVS二極管的靜電容量范圍為數(shù)pF～數(shù)10pF，貼片壓敏電阻的靜電容量范圍為數(shù)pF～數(shù)百pF，音頻線路發(fā)射的電子噪音以數(shù)100MHz～數(shù)GHz的頻帶居多，抑制這些頻帶的噪音，選擇靜電容量為數(shù)pF～數(shù)100pF的貼片壓敏電阻更為有效。

壓敏電阻的優(yōu)點(diǎn)：壓敏電阻可以根據(jù)需求制作成各種尺寸規(guī)格，有貼片型和插件型，也有塑封型壓敏電阻。插件型直徑尺寸有：5mm、7mm、10mm、14mm、20mm、25mm、32mm、34mm、40mm、53mm等。***的可變電阻電壓范圍：18V-1800V。多種浪涌承受能力：標(biāo)準(zhǔn)、高浪涌、超高浪涌大電流處理和能量吸收能力。單體通流量可達(dá)到70KA甚至更高?？旆磻?yīng)時(shí)間低泄露電流多種引線形式：直、彎和其他特殊引線類型。多種包裝形式：散裝、卷裝包裝、卷包裝。高功率型：是指用于吸收周期出現(xiàn)的連續(xù)脈沖群的壓敏電阻器，例如并接在開關(guān)電源變換器上的壓敏電阻。

在壓敏電阻器的應(yīng)用過程中，當(dāng)其出現(xiàn)性能劣化時(shí)，常見的劣化模式有兩種，第一種是開路模式，第二種是短路模式。開路模式主要發(fā)生在MOV流過遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出自身承受的浪涌電流時(shí)，通常表現(xiàn)為壓敏電阻本體炸裂，但這種模式不會(huì)引起燃燒現(xiàn)象。短路模式大體上可分為老化失效和暫態(tài)過電壓破壞兩種類型。首先我們來看壓敏電阻器的老化失效問題。這一問題主要指的是電阻體的低阻線性逐步加劇，此時(shí)漏電流將會(huì)惡性增加且集中注入薄弱點(diǎn)，導(dǎo)致薄弱點(diǎn)材料融化，形成一千歐左右的短路孔后，電源繼續(xù)推動(dòng)一個(gè)較大的電流灌入短路點(diǎn)，形成高熱而起火。貼片壓敏電阻一般有0402,0603,0805,1206,1210,1812，2220 3220。Y型腳壓敏電阻MOV電路

當(dāng)加在壓敏電阻上的電壓低于它的閾值時(shí)，流過它的電流極小，它相當(dāng)于一個(gè)阻值無窮大的電阻。高能壓敏電阻MOV型號(hào)

壓敏電阻導(dǎo)電機(jī)理：晶界由晶粒的邊界線和晶間相共同組成,也稱晶界相。多晶陶瓷的晶界是氣體和離子遷移的快速通道，也是摻雜物聚集的地方。從微觀結(jié)構(gòu)看ZnO晶界層組分和結(jié)構(gòu)的變化常會(huì)引起氧化物晶體的能帶畸變，這是在晶界處產(chǎn)生肖特基勢(shì)壘的根本原因,從而使ZnO壓敏電阻具有非線性電特性。同時(shí)，與氧的平衡壓相對(duì)應(yīng)，晶粒邊界部分發(fā)生氧化或還原其空間電荷分布發(fā)生變化。具有自發(fā)介電極化的晶粒界面電荷在平衡狀態(tài)下因獲得離子或電子而中和,這些缺陷將影響ZnO壓敏電阻的穩(wěn)定性。因此，晶界的性質(zhì)對(duì)ZnO電阻的性能起決定性的使用ZnO壓敏電阻器的壓敏電壓和能量吸收能力以及老化性能等可以通過對(duì)晶界的控制而得到改善和提高。高能壓敏電阻MOV型號(hào)

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