在ESD設(shè)計中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄。四Ｊ较缕骷墓暮苄?，因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來，缺點是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴重的是，對于高頻引腳而言，此方式會帶來較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。ESD靜電保護元件被廣泛應(yīng)用于各類通信接口。四川貼片ESD保護元件參數(shù)

靜電是物體表面過?；虿蛔愕撵o止電荷，是通過電子或離子的轉(zhuǎn)移而形成的。一般固體靜電電壓可以達到20萬伏以上，液體靜電電壓可以達到數(shù)萬伏以上，人體靜電電壓可以達到1萬伏以上。一般工業(yè)生產(chǎn)中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時間短的特點，設(shè)備或人體上的靜電位比較高可達數(shù)萬伏以至數(shù)千萬伏。靜電較之流電受環(huán)境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測量時復(fù)現(xiàn)性差、瞬態(tài)現(xiàn)象多。測量靜電是為靜電防護工程設(shè)計和改善產(chǎn)品自身抗靜電性能設(shè)計，提供數(shù)據(jù)和依據(jù)。四川貼片ESD保護元件參數(shù)ESD靜電保護元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結(jié)電容可以做到0.1pF以內(nèi)。

人體靜電電壓比較高可達約50kV以下，因為當(dāng)存在連續(xù)起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達幾千伏甚至幾萬伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。目前ESD靜電保護元件結(jié)電容可做到0.1pF以內(nèi)。

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2來評價電子設(shè)備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關(guān)心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設(shè)備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應(yīng)，直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產(chǎn)生的輻射場影響。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)雖幾經(jīng)修改，規(guī)范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關(guān)于ESD輻射場的明確規(guī)定，對ESD模擬器也*規(guī)定了放電電流的典型波形和4個關(guān)鍵點參數(shù)。通常被測設(shè)備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場影響的。許多學(xué)者在實際測試時發(fā)現(xiàn)，由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求的不同END模擬器所得測試結(jié)果并不相同。靜電保護元件可提供多種封裝形式。湖北貼片ESD保護元件電容

來明電子可提供多種類型的ESD靜電保護元件，并提供選型替代，國產(chǎn)化替代，具有較高的性價比。四川貼片ESD保護元件參數(shù)

ESD防護電路對高頻信號質(zhì)量的影響與改進。ESD防護電路的引入會影響電路的信號傳輸質(zhì)量，使信號的時延、頻響、電平等發(fā)生變化。在高頻電路中，防護電路引起電路參數(shù)的改變而影響電路的阻抗匹配，防護器件的導(dǎo)通特性也會引起信號的衰減、畸變、限幅等效應(yīng)。防護器件的結(jié)電容、箱位電壓(成導(dǎo)通電壓)是影響高頻信號質(zhì)量的關(guān)鍵因素。信號頻率高于1GHz時，直接采用TVS和開關(guān)二極管作ESD防護，其結(jié)電容很難滿足線路信號質(zhì)量的要求，此時需要采用降低防護電路并聯(lián)結(jié)電容的措施或采用LC高通濾波器結(jié)構(gòu)。四川貼片ESD保護元件參數(shù)

上海來明電子有限公司成立于2010-08-11，位于靈山路1000弄2號808，公司自成立以來通過規(guī)范化運營和高質(zhì)量服務(wù)，贏得了客戶及社會的一致認可和好評。本公司主要從事TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容領(lǐng)域內(nèi)的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產(chǎn)品的研究開發(fā)。擁有一支研發(fā)能力強、成果豐碩的技術(shù)隊伍。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長期合作的關(guān)系。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅守這一原則，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求，產(chǎn)品獲得市場及消費者的高度認可。上海來明電子有限公司以先進工藝為基礎(chǔ)、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動力，開發(fā)并推出多項具有競爭力的TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產(chǎn)品，確保了在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容市場的優(yōu)勢。