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陜西15000W瞬態(tài)抑制二極管選型

來源: 發(fā)布時間:2023-07-01

齊納擊穿:齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度很高的PN結(jié)內(nèi)。由于摻雜濃度很高,PN結(jié)很窄,這樣即使施加較小的反向電壓(5V以下),結(jié)層中的電場卻很強(可達2.5×105V/m左右)。在強電場作用下,會強行促使PN結(jié)內(nèi)原子的價電子從共價鍵中拉出來,形成"電子一空穴對",從而產(chǎn)生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下,形成很大的反向電流,出現(xiàn)了擊穿。顯然,齊納擊穿的物理本質(zhì)是場致電離。采取適當?shù)膿诫s工藝,將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8~1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5~8V之間兩種擊穿可能同時發(fā)生。當瞬態(tài)脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應(yīng)力損傷。陜西15000W瞬態(tài)抑制二極管選型

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箝位時間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時間。對單極性TVS一般是1×10-12秒;對雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種,按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如:各種交流電壓保護器、4~200mA電流環(huán)保器、數(shù)據(jù)線保護器、同軸電纜保護器、電話機保護器等。若按封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列(適用多線保護)、貼片式、組件式和大功率模塊式等。

瞬態(tài)電壓抑制二極管(Transient Voltage Suppressor)簡稱TVS廣泛應(yīng)用于計算機系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流 器、家用電器、儀器儀表(電度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數(shù)字照相機的保護、共模/差模保護、RF 耦合/IC 驅(qū)動接收保護、電機電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速 器、工控回路、繼電器、天線,防雷模塊,USB接口,HDMI接口,接觸器噪音的抑制等各個領(lǐng)域。SOD-123封裝的TVS一般有SMF,TPSMF,SMF4L等。

PN結(jié)構(gòu)成了幾乎所有半導體功率器件的基礎(chǔ),常用的半導體功率器件如DMOS,IGBT,SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結(jié)的擊穿電壓,因此,PN結(jié)反向阻斷特性的優(yōu)劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結(jié)兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認為除superjunction之外平行平面結(jié)的擊穿電壓在所有平面結(jié)中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在PN結(jié)的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結(jié)的擊穿電壓,使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產(chǎn)生了一系列的結(jié)終端技術(shù)來消除或減弱球面結(jié)或柱面結(jié)的曲率效應(yīng),使實際制造出的PN結(jié)的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結(jié)擊穿電壓。當瞬態(tài)脈沖能量超過 TVS 所能承受能量時會引起 TVS 器件過電應(yīng)力損傷。吉林3000W瞬態(tài)抑制二極管原理

TVS若按封裝及內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS 陣列。陜西15000W瞬態(tài)抑制二極管選型

干擾脈沖過去后,TVS又轉(zhuǎn)入反向截止狀態(tài)。由于在反向?qū)〞r,其箝位電壓低于電路中其它器件的最高耐壓,因此起到了對其它元器件的保護作用。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦,其箝位時間<1ns。TVS在其散熱及功率承受范圍內(nèi)可反復應(yīng)用于電路的過壓保護。TVS根據(jù)極性可分為單向和雙向TVS。單向TVS一般適用于直流電路,雙向TVS一般適用于交流電路中。由于TVS起保護作用響應(yīng)速度快、使用壽命長、封裝多樣化,鉗位電壓低,因此在瞬變電壓防護領(lǐng)域有著非常多方面的應(yīng)用。陜西15000W瞬態(tài)抑制二極管選型

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