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PN 結(jié)構(gòu)成了幾乎所有半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ),常用的半導(dǎo)體功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結(jié)的擊穿電壓,因此,PN 結(jié)反向阻斷特性的優(yōu)劣直接決定了半導(dǎo)體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結(jié)兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認(rèn)為除 super junction 之外平行平面結(jié)的擊穿電壓在所有平面結(jié)中具有比較高的擊穿電壓。實(shí)際的功率半導(dǎo)體器件的制造過程一般會(huì)在 PN 結(jié)的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結(jié)的擊穿電壓,使功率半導(dǎo)體器件的擊穿電壓降低。由此產(chǎn)生了一系列的結(jié)終端技術(shù)來消除或減弱球面結(jié)或柱面結(jié)的曲率效應(yīng),使實(shí)際制造出的 PN 結(jié)的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結(jié)擊穿電壓。TVS可以通過串聯(lián)的方式減小TVS的結(jié)電容。陶瓷TVS
常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路,瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發(fā)生短路失效,釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞,這是TVS生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況通過對(duì)TVS篩選和使用短路失效樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征 結(jié)合器件結(jié)構(gòu),材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時(shí)所受的應(yīng)力等,采用理論分析和試驗(yàn)證明等方法分析導(dǎo)致TVS器件短路失效的原因,分析結(jié)果表明引發(fā)TVS短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素包括粘結(jié)界面空洞、臺(tái)面缺陷,表面強(qiáng)耗盡層或強(qiáng)積累層、芯片裂紋和雜質(zhì)擴(kuò)散不均勻等,使用因素包括過電應(yīng)力、高溫和長(zhǎng)時(shí)間使用耗損等。上海2RTVS原理雙向TVS具有雙向?qū)ΨQ的伏安特性曲線,可用于交變電路浪涌保護(hù)。
TVS瞬態(tài)抑制二極管失效模式:1:當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量大于TVS所能承受能量時(shí)會(huì)引起TVS器件過電應(yīng)力損傷,特別是當(dāng)瞬態(tài)能量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出TVS所能承受的數(shù)倍時(shí)會(huì)直接導(dǎo)致TVS過電應(yīng)力燒毀。失效模式為短路。2:當(dāng)電路中通過的電流太大,可能會(huì)造成TVS炸裂,失效模式為開路。這種情況通常為設(shè)計(jì)時(shí)考慮不周全,TVS通流量過小造成的。3:電性能退化當(dāng)TVS經(jīng)過成千上萬次的標(biāo)準(zhǔn)脈沖沖擊后失效,失效模式為短路。這種模式因長(zhǎng)時(shí)間工作結(jié)溫持續(xù)增大導(dǎo)致(器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化、散熱能力下降)過熱燒毀。
5、對(duì)于數(shù)據(jù)接口電路的保護(hù),還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件。6、根據(jù)用途選用TVS的極性及封裝結(jié)構(gòu)。交流電路選用雙極性TVS較為合理;多線保護(hù)選用TVS陣列更為有利。7、溫度考慮。瞬態(tài)電壓抑制器可以在-55~+150℃之間工作。如果需要TVS在一個(gè)變化的溫度工作,由于其反向漏電流ID是隨增加而增大;功耗隨TVS結(jié)溫增加而下降,從+25℃到+175℃,大約線性下降50%雨擊穿電壓VBR隨溫度的增加按一定的系數(shù)增加。因此,必須查閱有關(guān)產(chǎn)品資料,考慮溫度變化對(duì)其特性的影響。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA進(jìn)行浪涌保護(hù)。
引發(fā) TVS 短路的**典型的原因是管芯與內(nèi)引線組件、底座銅片燒結(jié)不良,在燒結(jié)界面出現(xiàn)大面積空洞,空洞可能是由于焊料不均勻或粘結(jié)界面各層材料玷污、氧化使焊料沾潤(rùn)不良,造成燒焊時(shí)焊料與芯片或金屬電極沒有良好的熔合焊接引起的。空洞面積較大時(shí),電流在燒結(jié)點(diǎn)附近匯聚,管芯散熱困難,造成熱電應(yīng)力集中,產(chǎn)生局部熱點(diǎn),嚴(yán)重時(shí)引起熱奔,使器件燒毀。對(duì)這些燒毀的器件。進(jìn)行解剖分析,可以看到有芯片局部較深的熔融:空洞面積較小時(shí),可加速焊料熱疲勞,使焊料層會(huì)產(chǎn)生疲勞龜裂,引起器件熱阻增大,**終導(dǎo)致器件。過熱燒毀。TVS的結(jié)電容與TVS的工作電壓成反比,工作電壓越低,結(jié)電容也越大。江蘇3RTVS參數(shù)
TVS可以通過并聯(lián)的方式增大功率。陶瓷TVS
TVS 臺(tái)面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工藝過程中造成芯片臺(tái)面損傷的原因主要有兩個(gè):1)芯片在酸蝕成型時(shí),由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應(yīng)劇烈。2、燒焊過后進(jìn)行堿腐蝕清洗時(shí),腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺(tái)面缺陷或損傷的TVS 器件經(jīng)過溫度循環(huán)和箝位沖擊等篩選試驗(yàn)后,進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試時(shí)通常表現(xiàn)為短路或擊穿特性異常,從而被剔除。但輕微臺(tái)面損傷的TVS 器件在篩選后電參數(shù)測(cè)試時(shí)不易被發(fā)現(xiàn),可能被列為良品出廠。這些TVS 器件在使用過程中經(jīng)受長(zhǎng)時(shí)間熱、電、機(jī)械等應(yīng)力的作用后,臺(tái)面缺陷加劇,在缺陷處形成載流子產(chǎn)生-復(fù)合中心,使表面反向漏電流**增加。大的表面反向漏電流使pn 結(jié)邊緣溫度升高,產(chǎn)生熱電綜合效應(yīng),**終導(dǎo)致pn結(jié)邊緣半導(dǎo)體材料溫度過高燒毀。陶瓷TVS
上海來明電子有限公司成立于2010-08-11,同時(shí)啟動(dòng)了以晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬為主的TVS、ESD、MOV,放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容產(chǎn)業(yè)布局。旗下晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位,品牌價(jià)值持續(xù)增長(zhǎng),有望成為行業(yè)中的佼佼者。同時(shí),企業(yè)針對(duì)用戶,在TVS、ESD、MOV,放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容等幾大領(lǐng)域,提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品,進(jìn)一步為全國更多單位和企業(yè)提供更具針對(duì)性的電子元器件服務(wù)。值得一提的是,來明電子致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案,在有效降低用戶成本的同時(shí),更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬的應(yīng)用潛能。