在高頻高速信號電路中,電路的特征阻抗較低,分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質(zhì)量會產(chǎn)生較大的影響,這要求設(shè)計的ESD防護電路具有很小的寄生參數(shù),對信號質(zhì)量和阻抗匹配產(chǎn)生**小的影響,即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路,同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能,阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力,但是射頻器件和高速數(shù)字IC內(nèi)部的I/0端口一般無法直接設(shè)計ESD防護電路,因為防護電路的寄生參數(shù)(主要是結(jié)電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地。廣東低電容ESD保護元件參數(shù)
MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的,均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一,所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通,MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式,即柵接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和柵接電源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的,均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一,所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通,MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式,即柵接地的NMOS(Gate-Grounded NMOS,GG-NMOS)和柵接電源的PMOS(Gate-VDD PMOS,GD-PMOS)。江蘇SIM卡ESD保護元件原理單位面積的ESD防護能力大致如下:SCR>MOS>Diode(反向擊穿)。
靜電放電ESD接觸放電就是是電荷集中到一點然后通過可接觸的導(dǎo)體直接轉(zhuǎn)移到測試產(chǎn)品里面,這個是有預(yù)期的,一般打在控制板附近,固控制板的螺絲、可接觸的引腳上面。ESD空氣放電是電荷集中到***頭頂端保持5秒,通過慢慢靠近被測試產(chǎn)品不能導(dǎo)電的部分看電荷能不能擊穿絕緣部分,或者通過縫隙擊穿空氣進去。這個觸發(fā)是360度隨機的。這樣的方式可以找到產(chǎn)品的不足之處。一般擊打屏幕縫隙、按鍵縫隙、還有嵌入式的引腳端口等不能直接接觸到導(dǎo)體的地方。
在JS-001-2012及MIL-STD-883H中,帶電的人體都用100皮法(pF)電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中,電容會充電到數(shù)千伏(常見的是2kV、4kV、6kV及8kV),再借由電阻串聯(lián)到被測器件進行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流,及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件,如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產(chǎn)生的放電稱為人體-金屬ESD模型,與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5~7倍。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變小。常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。
在ESD設(shè)計中,Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況,在VDD相對于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時,Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流,從而保護內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過雪崩擊穿釋放ESD電流,在大電流下器件的功耗很大,因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低,器件的微分電阻也較大;而在VDD相對于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時,該Diode為正偏并釋放ESD電流,由于二極管的正向?qū)妷汉苄?,此模式下器件的功耗很小,因此其抗ESD能力非常強。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大,因此目前在使用二極管作ESD保護器件時往往會采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力,如此一來,缺點是非常明顯的,它增大了ESD器件的面積占用,更為嚴(yán)重的是,對于高頻引腳而言,此方式會帶來較大的寄生電容,使引腳的頻率特性變差。靜電保護元件可提供多種封裝形式。河南BNC接口ESD保護元件電容
IEC61000-4-2是系統(tǒng)級靜電測試常用的測試標(biāo)準(zhǔn)。廣東低電容ESD保護元件參數(shù)
公司從事TVS、ESD、MOV,放電管、保險絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容,本公司擁有專業(yè)的品質(zhì)管理人員。專業(yè)經(jīng)營范圍涉及:一般項目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動工具、機電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售,電子元器件的制造。加工(以上限分支機構(gòu)經(jīng)營)。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外。憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動) 許可項目: 貨物進出口;技術(shù)進出口:進出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動,具體經(jīng)營項目以相關(guān)部門批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))等,為了加強自身競爭優(yōu)勢,引進了先進的生產(chǎn)設(shè)備,是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及代理于一體,實行多元化的創(chuàng)新經(jīng)營方式。在采購TVS、ESD、MOV,放電管、保險絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容時,不但需要靈活的業(yè)務(wù)能力,也需要掌握電子元器件的分類、型號識別、用途等專業(yè)基礎(chǔ)知識,才能為企業(yè)提供更專業(yè)的采購建議。隨著科技的發(fā)展,TVS、ESD、MOV,放電管、保險絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容的需求也越來越旺盛,導(dǎo)致部分電子元器件c產(chǎn)品供不應(yīng)求。汽車電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動通信、智慧家庭、5G、消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域成為中國電子元器件市場發(fā)展的源源不斷的動力,帶動了電子元器件的市場需求,也加快電子元器件更迭換代的速度,從下游需求層面來看,電子元器件市場的發(fā)展前景極為可觀。近幾年順應(yīng)國家信息化企業(yè)上云、新舊動能轉(zhuǎn)換、互聯(lián)網(wǎng)+、經(jīng)濟政策等號召,通過大數(shù)據(jù)管理,充分考慮到企業(yè)的當(dāng)前需求及未來管理的需要不斷迭代,在各電子元器件行業(yè)內(nèi)取得不俗成績。企業(yè)在結(jié)合現(xiàn)實提供出解決方案同時,也融入世界管理先進管理理念,幫助企業(yè)建立以客戶為中心的經(jīng)營理念、組織模式、業(yè)務(wù)規(guī)則及評估體系,進而形成一套整體的科學(xué)管控體系。從而更進一步提高企業(yè)管理水平及綜合競爭力。廣東低電容ESD保護元件參數(shù)
上海來明電子有限公司是一家從事TVS、ESD、MOV,放電管、保險絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及售后的貿(mào)易型企業(yè)。公司坐落在靈山路1000弄2號808,成立于2010-08-11。公司通過創(chuàng)新型可持續(xù)發(fā)展為重心理念,以客戶滿意為重要標(biāo)準(zhǔn)。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬目前推出了TVS、ESD、MOV,放電管、保險絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容等多款產(chǎn)品,已經(jīng)和行業(yè)內(nèi)多家企業(yè)建立合作伙伴關(guān)系,目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于多個領(lǐng)域。我們堅持技術(shù)創(chuàng)新,把握市場關(guān)鍵需求,以重心技術(shù)能力,助力電子元器件發(fā)展。上海來明電子有限公司研發(fā)團隊不斷緊跟TVS、ESD、MOV,放電管、保險絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容行業(yè)發(fā)展趨勢,研發(fā)與改進新的產(chǎn)品,從而保證公司在新技術(shù)研發(fā)方面不斷提升,確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和要求。上海來明電子有限公司以市場為導(dǎo)向,以創(chuàng)新為動力。不斷提升管理水平及TVS、ESD、MOV,放電管、保險絲、繼電器,二三極管MOS管、晶振,NTC,PPTC,電容產(chǎn)品質(zhì)量。本公司以良好的商品品質(zhì)、誠信的經(jīng)營理念期待您的到來!