無(wú)源晶振是有2個(gè)引腳的無(wú)極性元件需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身無(wú)法振蕩起來(lái)無(wú)源晶振需要用DSP片內(nèi)的振蕩器，在datasheet上有建議的連接方法。無(wú)源晶振沒(méi)有電壓的問(wèn)題，信號(hào)電平是可變的，也就是說(shuō)是根據(jù)起振電路來(lái)決定的，同樣的晶振可以適用于多種電壓，可用于多種不同時(shí)鐘信號(hào)電壓要求的DSP，而且價(jià)格通常也較低，因此對(duì)于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合于產(chǎn)品線(xiàn)豐富批量大的生產(chǎn)者。無(wú)源晶振相對(duì)于晶振而言其缺陷是信號(hào)質(zhì)量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。使用時(shí)建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。晶振具有壓電效應(yīng)，即在晶片兩極外加電壓后晶體會(huì)產(chǎn)生變形，如外力使晶片變形，兩極上金屬片又會(huì)產(chǎn)生電壓。遼寧圓柱形晶振可調(diào)性

石英諧振器的模態(tài)譜，包括基模，三階泛音，5階泛音和一些亂真信號(hào)響應(yīng)，即寄生模。在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇**強(qiáng)的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時(shí)候，當(dāng)溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導(dǎo)致了“活動(dòng)性下降”。在活動(dòng)性下降時(shí)，寄生模的激勵(lì)引起諧振器的額外能量的消耗，導(dǎo)致Q值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當(dāng)阻抗增加到相當(dāng)大的時(shí)候，振蕩器就會(huì)停止，即振蕩器失效。當(dāng)溫度改變遠(yuǎn)離活動(dòng)性下降的溫度時(shí)，振蕩器又會(huì)重新工作。寄生模能有適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系（即應(yīng)用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模**小化。陜西普通型晶振負(fù)載具有年產(chǎn)各類(lèi)晶振2億只的能力。是目前國(guó)內(nèi)產(chǎn)量比較大的音叉諧振器生產(chǎn)廠家之一。

判斷反饋電路的類(lèi)型，因?yàn)樾盘?hào)是反饋到VT1發(fā)射極，現(xiàn)假設(shè)VT1發(fā)射極電壓瞬時(shí)極性為“+”，集電極電壓極性為“+”（發(fā)射極與集電極是同相關(guān)系，當(dāng)發(fā)射極電壓上升時(shí)集電極電壓也上升），VT2的基極電壓極性為“+”，發(fā)射極電壓極性也為“+”，該極性的電壓通過(guò)X1反饋到VT1的發(fā)射極，反饋電壓極性與假設(shè)的電壓極性相同，故該反饋為正反饋。接通電源后，三極管VT1、VT2導(dǎo)通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號(hào)，石英晶體X1對(duì)其中的f0信號(hào)阻抗很小，f0信號(hào)經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號(hào)經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過(guò)X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進(jìn)行，VT2輸出的f0信號(hào)幅度越來(lái)越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來(lái)越小，當(dāng)放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時(shí)，輸出f0信號(hào)幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號(hào)。

晶振是電子電路中**常用的電子元件之一，一般用字母“X”、“G”或“Z”表示，單位為Hz。晶振常與主板、南橋、聲卡等電路連接使用。晶振可比喻為各板卡的“心跳”發(fā)生器，如果主卡的“心跳”出現(xiàn)問(wèn)題，必定會(huì)使其他各電路出現(xiàn)故障。并聯(lián)型晶體振蕩器。并聯(lián)型晶體振蕩器如圖5所示。三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路；C3為交流旁路電容，對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路；X1為石英晶體，在電路中相當(dāng)于電感。從交流等效圖可以看出，該電路是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器，C1、C2、X1構(gòu)成選頻電路，其選頻頻率主要由X1決定，頻率接近fp。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線(xiàn)連接的集成電路內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。

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有源晶振是用石英晶體組成的，石英晶片之所以能當(dāng)為振蕩器使用，是基于它的壓電效應(yīng)。遼寧圓柱形晶振可調(diào)性

晶體振蕩器具有正逆壓電效應(yīng)這一物理特性，可以產(chǎn)生非常微弱的周期性振蕩信號(hào)，信號(hào)再經(jīng)過(guò)放大、濾波等環(huán)節(jié)后即可作為信號(hào)源使用。 。晶振的主要參數(shù)晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱(chēng)頻率、負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等，這些參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。因此，在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?，如通信網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶振。不過(guò)，，由于性能越高的晶振價(jià)格也越貴，所以購(gòu)買(mǎi)時(shí)選擇符合要求的晶振即可。遼寧圓柱形晶振可調(diào)性

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