高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感，并要求防護(hù)器件有ns級(jí)的響應(yīng)速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會(huì)有更加理想的ESD防護(hù)效果。ESD防護(hù)電路的防護(hù)能力與選用的防護(hù)器件、被保護(hù)器件的ESD敏感度、電路結(jié)構(gòu)形式、布線等因素密切相關(guān)，一般無(wú)法直接確定一個(gè)防護(hù)電路單元的防護(hù)能力，必須把防護(hù)電路單元和被保護(hù)的具體電路作為一個(gè)整體并按照標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試，以確定一個(gè)實(shí)際電路的防護(hù)效果。通過(guò)串聯(lián)的方式可以有效降低ESD防護(hù)電路的電容。河南SIM卡ESD保護(hù)元件參數(shù)

降低防護(hù)器件結(jié)電容的設(shè)計(jì)方法當(dāng)防護(hù)器件的并聯(lián)結(jié)電容較大時(shí)，將對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生“衰耗”作用，此時(shí)需要改進(jìn)防護(hù)電路的設(shè)計(jì)，降低結(jié)電容對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。常用的設(shè)計(jì)方法有;A二極管偏置法二極管結(jié)電容隨反向偏升高而降低，對(duì)防護(hù)一極管施加話當(dāng)?shù)姆聪蚱珘嚎蛇m用更高頻率電路。B.二極管串聯(lián)法一-兩個(gè)相同防護(hù)二極管串聯(lián)可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當(dāng)防護(hù)二極管的結(jié)電容太大，可以對(duì)防護(hù)器件并聯(lián)小電感，使之和二極管結(jié)電容并聯(lián)諧振在工作信號(hào)頻率點(diǎn)，這時(shí)保護(hù)電路對(duì)工作頻率呈高阻抗，從而減小對(duì)高頻電路四配的影響，并有利于加強(qiáng)防護(hù)。河南SIM卡ESD保護(hù)元件參數(shù)ESD防護(hù)主要采用“過(guò)壓防護(hù)”的原理，通過(guò)隔離電路、鉗位電路、衰減電路等方式降低ESD的沖擊電壓。

人體靜電防護(hù)編輯 播報(bào)人體是**普遍存在的靜電危害源。對(duì)于靜電來(lái)說(shuō)，人體是導(dǎo)體，所以可以對(duì)人體采取接地的措施。(1).使用防靜電地面/ 防靜電鞋/ 襪(靜電從腳導(dǎo)到大地)通過(guò)腳穿防靜電性地面、地墊、地毯，人員穿上防靜電鞋襪，形成組合接地。(2).佩戴防靜電腕帶并接地(靜電從手導(dǎo)到大地)通過(guò)手用以泄放人體的靜電。它由防靜電松緊帶、活動(dòng)按扣、彈簧軟線.保護(hù)電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內(nèi)層用防靜電紗線編織，外層用普通紗線編織。

靜電放電形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質(zhì)有關(guān)。靜電放電形式：電暈放電(1)電暈放電：是發(fā)生在帶電體前列或曲率半徑很小處附近的局部放電。電暈放電可能伴有輕微的嘶嘶聲和微弱的淡紫色光。電暈放電一般沒有引燃危險(xiǎn)。刷形放電和傳播型刷形放電(2)刷形放電和傳播型刷形放電:都是發(fā)生在絕緣體表面的有聲光的多分支放電。當(dāng)絕緣體背面緊貼有金屬導(dǎo)體時(shí)，絕緣體正面將出現(xiàn)傳播型刷形放電。同一絕緣體上可發(fā)生多次刷形放電或傳播型刷形放電。刷形放電有一定的引燃危險(xiǎn)；傳播型刷形放電的引燃危險(xiǎn)性大。(3)火花放電:是帶電體之間發(fā)生的通道單一的放電。火花放電有明亮的閃光和有短促的爆裂聲。其引燃危險(xiǎn)性很大。(4)雷型放電：是懸浮在空間的大范圍、高密度帶電粒子形成的閃電狀放電。其引燃危險(xiǎn)性很大。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案。

在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見的器件。圖2為Diode的一種典型應(yīng)用情況，在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生PositiveESDPulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過(guò)雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生NegativeESDPulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放ESD電流，由于二極管的正向?qū)妷汉苄。四Ｊ较缕骷墓暮苄?，因此其抗ESD能力非常強(qiáng)。由于Diode在正偏和反偏兩種狀態(tài)下的ESD能力差別非常大，因此目前在使用二極管作ESD保護(hù)器件時(shí)往往會(huì)采用非常大的器件面積提升二極管反偏狀態(tài)下的ESD能力，如此一來(lái)，缺點(diǎn)是非常明顯的，它增大了ESD器件的面積占用，更為嚴(yán)重的是，對(duì)于高頻引腳而言，此方式會(huì)帶來(lái)較大的寄生電容，使引腳的頻率特性變差。來(lái)明電子可提供多種類型的ESD靜電保護(hù)元件，并提供選型替代，國(guó)產(chǎn)化替代，具有較高的性價(jià)比。河南SIM卡ESD保護(hù)元件參數(shù)

ESD靜電保護(hù)元器件是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。河南SIM卡ESD保護(hù)元件參數(shù)

提高防護(hù)電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計(jì)方法由于低容值要求選用的防護(hù)器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號(hào)可能的**人峰值電壓時(shí)，防護(hù)器件將對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題，此時(shí)可以采用以下優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，提高防護(hù)器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對(duì)防護(hù)二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號(hào)峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過(guò)低容值防護(hù)二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護(hù)電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護(hù)二極管串聯(lián)電容后，高頻信號(hào)通過(guò)二極管對(duì)電容充電，電容充電后對(duì)二極管提供偏壓，提升二極管的正向?qū)姌?。河南SIM卡ESD保護(hù)元件參數(shù)

上海來(lái)明電子有限公司是國(guó)內(nèi)一家多年來(lái)專注從事TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的老牌企業(yè)。公司位于靈山路1000弄2號(hào)808，成立于2010-08-11。公司的產(chǎn)品營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)遍布國(guó)內(nèi)各大市場(chǎng)。公司業(yè)務(wù)不斷豐富，主要經(jīng)營(yíng)的業(yè)務(wù)包括：TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等多系列產(chǎn)品和服務(wù)。可以根據(jù)客戶需求開發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品，深受客戶的好評(píng)。晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)研發(fā)，產(chǎn)品在按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試完成后，通過(guò)質(zhì)檢部門檢測(cè)后推出。我們通過(guò)全新的管理模式和周到的服務(wù)，用心服務(wù)于客戶。上海來(lái)明電子有限公司以誠(chéng)信為原則，以安全、便利為基礎(chǔ)，以優(yōu)惠價(jià)格為TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的客戶提供貼心服務(wù)，努力贏得客戶的認(rèn)可和支持，歡迎新老客戶來(lái)我們公司參觀。