由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來(lái)實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過(guò)一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來(lái)的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來(lái)實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過(guò)一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來(lái)的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。ESD靜電放電常見(jiàn)放電模型有：分別是HBM，MM, CDE。青海耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件電容

MOV具有ns級(jí)的快速響應(yīng)，但是結(jié)電容一般在數(shù)十pF以上;GDT具有pF級(jí)以下的結(jié)電容，但是響應(yīng)時(shí)間在數(shù)百ns以上;TSS的響應(yīng)速度很快，可達(dá)ps級(jí)，其結(jié)電容一般也在數(shù)十pF以上;TVS的響應(yīng)速度很快，可達(dá)ps級(jí)，其結(jié)電容目前比較低可以做到兒個(gè)pF;快速開(kāi)關(guān)二極管的響應(yīng)速度與TVS相同，其結(jié)電容可達(dá)到1pF以下?？梢?jiàn)，MOV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護(hù);TVS可以直接使用在數(shù)百M(fèi)Hz的信號(hào)接口進(jìn)行ESD防護(hù)，當(dāng)用于GHz以上的信號(hào)接口必須采用降低結(jié)電容的措施:低容值的快速開(kāi)關(guān)二極管可以直接或采用降低結(jié)電容的優(yōu)化措施后用于數(shù)GHz的信號(hào)接口。上海RS485接口ESD保護(hù)元件參數(shù)ESD靜電保護(hù)元件的浪涌防護(hù)等級(jí)可用IPP這個(gè)參數(shù)來(lái)表示。

常見(jiàn)的ESD靜電放電模式有四種，分別是人體放電模型、機(jī)器放電模型、帶電器件模型、感應(yīng)放電模型：1.HBM，人體放電模型，即帶電人體對(duì)器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：人體——器件——地。2．MM，機(jī)器模型，即帶電設(shè)備對(duì)器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：機(jī)器——器件——地。3．CDM，帶電器件模型，即帶電器件直接對(duì)敵放電。放電途徑為：器件——地。4．FICDM,感應(yīng)放電模型，即器件感應(yīng)帶電后放電。途經(jīng)：電場(chǎng)——器件帶電——地。

ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號(hào)接口時(shí)，產(chǎn)品的組裝、測(cè)試和用戶使用過(guò)程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長(zhǎng)久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場(chǎng)上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計(jì)和制造通信產(chǎn)品時(shí)除了加強(qiáng)產(chǎn)品制造過(guò)程的ESD控制外，還要加強(qiáng)產(chǎn)品的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，尤其是高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。ESD靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式。

MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時(shí)導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。靜電放電可達(dá)到高達(dá)幾十千伏的放電電壓。低電容ESD保護(hù)元件選型

單位面積的ESD防護(hù)能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。青海耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件電容

人體靜電電壓比較高可達(dá)約50kV以下，因?yàn)楫?dāng)存在連續(xù)起電過(guò)程時(shí)，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動(dòng)產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達(dá)幾千伏甚至幾萬(wàn)伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對(duì)外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負(fù)電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無(wú)法流失，就會(huì)聚集起來(lái)。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。青海耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件電容

上海來(lái)明電子有限公司坐落在靈山路1000弄2號(hào)808，是一家專業(yè)的一般項(xiàng)目: 電子產(chǎn)品、電子元器件、電動(dòng)工具、機(jī)電設(shè)備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設(shè)施)、音響設(shè)備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng))。(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外。憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) 許可項(xiàng)目: 貨物進(jìn)出口;技術(shù)進(jìn)出口:進(jìn)出口代理。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以相關(guān)部門批準(zhǔn)文件或許可證件為準(zhǔn))公司。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。上海來(lái)明電子有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。公司力求給客戶提供全數(shù)良好服務(wù)，我們相信誠(chéng)實(shí)正直、開(kāi)拓進(jìn)取地為公司發(fā)展做正確的事情，將為公司和個(gè)人帶來(lái)共同的利益和進(jìn)步。經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展，已成為TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業(yè)出名企業(yè)。