穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。正負極識別從外形上看，金屬封裝穩(wěn)壓二極管管體的正極一端為平面形，負極一端為半圓面形。塑封穩(wěn)壓二極管管體上印有彩色標記的一端為負極，另一端為正極。對標志不清楚的穩(wěn)壓二極管，也可以用萬用表判別其極性，測量的方法與普通二極管相同，即用萬用表R×1k檔，將兩表筆分別接穩(wěn)壓二極管的兩個電極，測出一個結(jié)果后，再對調(diào)兩表筆進行測量。在兩次測量結(jié)果中，阻值較小那一次，黑表筆接的是穩(wěn)壓二極管的正極，紅表筆接的是穩(wěn)壓二極管的負極。這里指的是指針式萬用表。數(shù)字萬用表由于測量電阻檔所用電池與紅黑表筆連接極性問題，測量二極管正負極結(jié)果與使用指針萬用表結(jié)果相反，即測量結(jié)果較小那一次，黑筆接的是穩(wěn)壓二極管的負極，紅表筆接的是穩(wěn)壓二極管的正極。硅電壓開關二極管是一種新型半導體器件，有單向電壓開關二極管和雙向電壓開關二極管之分。山東高壓二極管參數(shù)

整流橋一般帶有足夠大的電感性負載，因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。一般整流橋應用時,常在其負載端接有平波電抗器,故可將其負載視為恒流源。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。由于一般整流橋應用時,常在其負載端接有平波電抗器，故可將其負載視為恒流源。另外根據(jù)EMI測量標準，為減小電網(wǎng)阻抗對測量結(jié)果的影響，需要在整流橋的電網(wǎng)輸入端接入線性阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(LISN)。測試所用的LISN的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其主要作用是：①減小電網(wǎng)阻抗對測量結(jié)果的影響；②隔離來自電網(wǎng)端的干擾。由于LISN的隔離作用，可以把電網(wǎng)端視作一*有基波電勢和內(nèi)阻抗的電源。 黑龍江快恢復二極管特性紅外發(fā)光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。

穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。[1]此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。

高壓二極管的工作原理是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，把交流電變成脈動直流電。高壓整流二極管電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。另外，整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù)，是選項用整流二極管的主要依據(jù)。高壓二極管具有體積小,耐壓高,速度快,穩(wěn)定性好的特點高壓二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，把交流電變成脈動直流電。高壓二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。 鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。

    肖特基二極管又稱SBD,是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的。肖特基二極管不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，肖特基二極管也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中*有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。 二極管是電路中基本的電子元器件。江西快恢復二極管符號

二極管特性曲線靜態(tài)工作點附近電壓的變化與相應電流的變化量之比為動態(tài)電阻。山東高壓二極管參數(shù)

高壓SBD圖2肖特基二極管長期以來，在輸出12V～24V的SMPS中，次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V～48V的SMPS中，只有選用200V～400V的FRED。設計者迫切需要介于100V～200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來，美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機，先后開發(fā)出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結(jié)構(gòu)上增加了PN結(jié)工藝，形成肖特基勢壘與PN結(jié)相結(jié)合的混合結(jié)構(gòu)，如圖2所示。采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N－區(qū)電阻率、外延層厚度和P+區(qū)的擴散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結(jié)的導通門限電壓為，而肖特基勢壘的結(jié)電壓*約，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。山東高壓二極管參數(shù)

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