高溫當(dāng)TVS器件工作溫度超過其比較大允許工作溫度時，易發(fā)生短路失效且通常發(fā)生在pn結(jié)表面。這是因為，在高溫條件工作下，表面可動離子的數(shù)量**增加[5]，表面電流也隨之增大，表面功率密度和溫度比體內(nèi)高，使pn結(jié)邊緣結(jié)溫超過200℃，邊緣局部區(qū)域晶格遭受致命性的損壞。TVS在高溫反偏篩選中短路失效情況統(tǒng)計表明:高擊穿電壓(150V以上)TVS器件更容易發(fā)生短路失效。這是因為在相同額定功率的TVS系列中，在承受相同功率時，高擊穿電壓TVS芯片溫升更高。TVS 的比較大箝位電壓VC 應(yīng)小于被保護電路的損壞電壓。甘肅600W瞬態(tài)抑制二極管封裝

反向擊穿性PN結(jié)加反向電壓時，空間電荷區(qū)變寬，區(qū)中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結(jié)燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構(gòu)有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負(fù)的溫度系數(shù)，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數(shù)。雪崩擊穿：阻擋層中的載流子漂移速度隨內(nèi)部電場的增強而相應(yīng)加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產(chǎn)生自由電子—空穴對，新產(chǎn)生的載流子在強電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產(chǎn)生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應(yīng)，使阻擋層中的載流子數(shù)量急劇增加，像雪崩一樣。雪崩擊穿發(fā)生在摻雜濃度較低的PN結(jié)中，阻擋層寬，碰撞電離的機會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。吉林8000W瞬態(tài)抑制二極管將TVS 二極管加在信號及電源線上，能防止微處理器或單片機因瞬間的脈沖。

TVS的瞬態(tài)功率一般以8/20us或10/1000us的波形來衡量。8/20us是雷擊浪涌的一種波形通常以內(nèi)阻2歐姆的一個短路電流波形,上升前沿在8uS,峰值電流下降沿1/2處保持在20uS.即充電1KV輸出500A的電流波形.現(xiàn)在較多的已經(jīng)是組合波模式,即短路電流波形為8/20uS,開路電壓波形為1.2/50uS..10/1000uS也是一種浪涌波形,以現(xiàn)在執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)是短路電流波形與開路電壓波形都需要符合前沿時間10uS半值時間1000uS,內(nèi)阻10歐姆.即充電1KV輸出100A的電壓及電流波形。

TVS的封裝類型有：2）SMA/DO-214AC封裝：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封裝：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封裝：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封裝：P4KE系列（400W）；7）DO-15封裝：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；。。。。單向TVS一般適用于直流電路，雙向TVS一般適用于交流電路中。

TVS臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。TVS制造工藝過程中造成芯片臺面損傷的原因主要有兩個:1)芯片在酸蝕成型時，由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應(yīng)劇烈。2、燒焊過后進行堿腐蝕清洗時，腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺面缺陷或損傷的TVS器件經(jīng)過溫度循環(huán)和箝位沖擊等篩選試驗后，進行電參數(shù)測試時通常表現(xiàn)為短路或擊穿特性異常，從而被剔除。但輕微臺面損傷的TVS器件在篩選后電參數(shù)測試時不易被發(fā)現(xiàn)，可能被列為良品出廠。這些TVS器件在使用過程中經(jīng)受長時間熱、電、機械等應(yīng)力的作用后，臺面缺陷加劇，在缺陷處形成載流子產(chǎn)生-復(fù)合中心，使表面反向漏電流**增加。大的表面反向漏電流使pn結(jié)邊緣溫度升高，產(chǎn)生熱電綜合效應(yīng)，**終導(dǎo)致pn結(jié)邊緣半導(dǎo)體材料溫度過高燒毀。SMA/DO-214AC封裝的TVS一般有MAJ，P4SMA，TPSMAJ，SMA6J等系列。甘肅600W瞬態(tài)抑制二極管封裝

雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率，并把電壓箝制到預(yù)定水平。甘肅600W瞬態(tài)抑制二極管封裝

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