顯然，所描述的實施例是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。本申請實施例的移動終端可以為手機、平板電腦、筆記本電腦等設備。以下分別進行詳細說明。需說明的是，以下實施例的描述順序不作為對實施例推薦順序的限定。一種移動終端射頻功率放大器檢測方法，包括：預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值，計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。如圖1所示，該方法的具體流程可以如下：101、預設射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如，移動終端在連接一個頻段時，需要啟動該頻段所對應的射頻功率放大器。根據(jù)移動終端所切換的頻段，預設該頻段對應的射頻功率放大器的配置狀態(tài)。丙類狀態(tài)：在信號周期內(nèi)存在工作電流的時間不到半個周期即導通角0 小于18度，丙類功放的優(yōu)點是效率非常高。遼寧短波射頻功率放大器哪家好

    LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調(diào)電平到飽和區(qū)，不像雙極型晶體管那樣互調(diào)電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執(zhí)行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數(shù)是負數(shù)，因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點，LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率，晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地，消除了產(chǎn)生負反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響，因此是一個非常穩(wěn)定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高功率基站發(fā)射機中的優(yōu)先。LDMOS晶體管也被應用于在80MHz到1GHz的頻率范圍內(nèi)的許多EMC功率放大器中。在GHz輸出功率超過100W的LDMOS器件已經(jīng)存在，半導體制造商正在開發(fā)頻率范圍更高的，可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化鎵金屬半導體場效應晶體管（GaAsMESFET）砷化鎵（galliumarsenide），化學式GaAs，是一種重要的半導體材料。屬于Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體，具有高電子遷移率(是硅的5到6倍)，寬的禁帶寬度（硅是），噪聲低等特點，GaAs比同樣的Si元件更適合工作在高頻高功率的場合。江蘇高頻射頻功率放大器哪家好微波功率放大器(PA)是微波通信系統(tǒng)、廣播電視發(fā)射、雷達、導航系統(tǒng)的部件之一。

    圖3中的自適應動態(tài)偏置電路的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設置有兩個主體電路，每個主體電路包括激勵放大器和功率放大器，激勵放大器和功率放大器通過匹配網(wǎng)絡連接。主體電路中的c04和c05構(gòu)成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡；第二主體電路中的c11和c12構(gòu)成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡。主體電路中的激勵放大器與變壓器t01的副邊連接，第二主體電路中的激勵放大器與第二變壓器t03的副邊連接。變壓器t01的原邊和第二變壓器t03的原邊連接，變壓器t01的原邊與第二變壓器t02的原邊之間還連接有電容c01。變壓器t01、第二變壓器t02和電容c01構(gòu)成一個匹配網(wǎng)絡。變壓器t01的副邊連接有電容c02，第二變壓器t03的副邊連接有電容c09。變壓器t01的原邊連接射頻輸入端rfin，第二變壓器t03的原邊接地。變壓器t01原邊與第二變壓器t03原邊的公共端連接自適應動態(tài)偏置電路的輸入端rfin_h。主體電路中的功率放大器與第三變壓器t02的原邊連接，第二主體電路中的功率放大器與第四變壓器t04的原邊連接。第三變壓器t02的副邊與第四變壓器t04的副邊連接，第三變壓器t02副邊和第四變壓器t04副邊之間還連接有電容c16。

    vgs是指柵源電壓，vth是指閾值電壓。開關(guān)關(guān)斷的寄生電容：coff＝fom/ron。其中fom為半導體工藝商提供的開關(guān)ron與coff乘積，單位為fs(飛秒)。另，w/l較大，發(fā)生esd時有利于能提供直接的低阻抗電流泄放通道。用兩個sw疊加，相對單sw，能在esd大電流下保護sw的mos管不被損壞。當可控衰減電路的sw使用了疊管設計，兩個開關(guān)sw1和sw2的控制邏輯是一樣的：(1)非負增益模式下，sw1和sw2同時關(guān)斷；(2)負增益模式下，sw1和sw2同時打開。本申請實施例中的sw1和sw2在應用中可以采用絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以是bulkcmos管(平面結(jié)構(gòu)mos管)。下面提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu)，如圖5a所示，圖5a中l(wèi)2、c1和r2構(gòu)成驅(qū)動放大級電路之前的輸入匹配電路，可以將輸入端口的阻抗匹配到適合射頻功率放大器電路的輸入阻抗位置，這是由于驅(qū)動放大級電路需要某種特定阻抗范圍，輸出功率才能實現(xiàn)所需的效率，增益等性能?？煽厮p電路的并聯(lián)到地支路的sw1和r1，在它們之前的電感l(wèi)1用于對并聯(lián)到地支路的寄生電容的匹配補償。在高增益模式下，這種射頻功率放大器電路輸入的匹配結(jié)構(gòu)簡潔，輸入端口匹配良好，因此輸入端的回波損耗好。功率放大器因此要盡量采用典型可 靠的電路、合理分配增益、減少放大器的級數(shù)，以降低故障概率。

    第四mos管的漏級與第五mos管的源級連接，第四mos管的源級接地，第五mos管的柵級連接第九電容的端，第九電容的第二端接地。其中，第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一樣，第二mos管t2與第四mos管t4的器件尺寸之比為2:5。在一個可能的示例中，輸出匹配電路106包括：第四電感l(wèi)4、第五電感l(wèi)5、第十電容c10和第十一電容c11，其中：第四電感的端和第五電感的端連接第五mos管的漏級，第四電感的第二端連接第二電壓信號，第十電容的端連接第二電壓信號，第十電容的第二端接地，第五電感的第二端連接第十一電容的端，第十一電容的第二端接地，第十一電容兩端的電壓為輸出電壓。在一個可能的示例中，射頻功率放大器電路還包括：偏置電路，用于響應于微處理器發(fā)出的第三控制信號，增加自身的漏級電流和自身的柵級電壓，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應于第四控制信號，降低自身的漏級電流和自身的柵級電壓，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式；第二偏置電路，用于響應于微處理器發(fā)出的第五控制信號，增加自身的漏級電流和自身的柵級電壓，實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應于第六控制信號，降低自身的漏級電流和自身的柵級電壓。輸出匹配電路主要應具備損耗低，諧波抑制度高，改善駐波比，提高輸出功 率及改善非線性等功能。廣西L波段射頻功率放大器經(jīng)驗豐富

微波功率放大器工作處于非線性狀態(tài)放大過程中會產(chǎn)生的諧波分量，輸入、輸出匹配網(wǎng)絡除起到阻抗變換作用外。遼寧短波射頻功率放大器哪家好

    并對漏級供電電壓vcc進行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：在信號的輸入端設計可變衰減電路，在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負增益的同時，對非負增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強了對輸入端口的靜電保護，電路結(jié)構(gòu)簡單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法，應用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進入工作模式；可控衰減電路，根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；輸入匹配電路，使可控衰減電路和驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配；驅(qū)動放大電路，放大輸入匹配電路輸出的信號；反饋電路，調(diào)節(jié)射頻功率放大器電路的增益；級間匹配電路，使驅(qū)動放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配；功率放大電路，放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路，使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中。遼寧短波射頻功率放大器哪家好

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