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重慶射頻功率放大器5w

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-10-29

 Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等,可通過(guò)改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強(qiáng)客戶的設(shè)計(jì)能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場(chǎng)包括植入式醫(yī)療機(jī)構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動(dòng)通信等應(yīng)用領(lǐng)域。Microsemi在發(fā)展過(guò)程中收購(gòu)了多家公司,包括熟知的Actel,Zarlink,Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號(hào)較多,也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設(shè)計(jì)中,近期的參考設(shè)計(jì)就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒(méi)記錯(cuò)的話,LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設(shè)計(jì)中。發(fā)射機(jī)的前級(jí)電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率很小,必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。重慶射頻功率放大器5w

   寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級(jí)聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級(jí)聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好,可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點(diǎn)插損較大。在本發(fā)明實(shí)施例中,通過(guò)增加輔次級(jí)線圈可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì),能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種射頻功率放大器,參照?qǐng)D1。在本發(fā)明實(shí)施例中,射頻功率放大器可以包括:功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實(shí)施率放大單元可以包括兩個(gè)輸入端以及兩個(gè)輸出端。安徽品質(zhì)射頻功率放大器制定射頻功率放大器地用于多種有線和無(wú)線應(yīng)用中,包括CATV,ISM,WLL,PCS,GSM,CDMA和WCDMA等各種頻段。

   在本發(fā)明實(shí)施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號(hào)input_p,功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號(hào)input_n。功率放大單元可以對(duì)輸入的差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n分別進(jìn)行放大處理,功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的差分信號(hào),功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過(guò)放大的第二差分信號(hào)。差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定,且差分信號(hào)input_p的放大倍數(shù)和對(duì)第二差分信號(hào)input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實(shí)施中,差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n可以是對(duì)輸入至射頻功率放大器的輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理后得到的。具體的,對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理的原理及過(guò)程可以參照現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明實(shí)施例不做贅述。在具體實(shí)施率合成變壓器可以包括初級(jí)線圈11以及次級(jí)線圈。在本發(fā)明實(shí)施例中,初級(jí)線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接,輸入經(jīng)過(guò)放大的差分信號(hào);初級(jí)線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接,輸入經(jīng)過(guò)放大的第二差分信號(hào)。在本發(fā)明實(shí)施例中,次級(jí)線圈可以包括主次級(jí)線圈121以及輔次級(jí)線圈122。主次級(jí)線圈121的端接地。

   當(dāng)?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時(shí),第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此,在具體應(yīng)用中,可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率,選擇相應(yīng)電容值的電容c1以及相應(yīng)電感值的電感l(wèi)1,以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配;和/或,選擇相應(yīng)電容值的第二電容c2以及相應(yīng)電感值的第二電感l(wèi)2,以實(shí)現(xiàn)諧振頻率的匹配。在具體實(shí)施中,電容c1可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容,通過(guò)調(diào)節(jié)電容c1的電容值,能夠進(jìn)一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。相應(yīng)地,第二電容c2也可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容,通過(guò)調(diào)節(jié)第二電容c2的電容值,能夠進(jìn)一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。在圖1與圖2中,子濾波電路的結(jié)構(gòu)與第二子濾波電路的結(jié)構(gòu)相同??梢岳斫獾氖牵訛V波電路的結(jié)構(gòu)也可以與第二子濾波電路的結(jié)構(gòu)不同。例如,子濾波電路包括電容c1,第二子濾波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2。又如,子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1,第二子濾波電路包括第二電容c2。在具體實(shí)施中,輸入端匹配濾波電路還可以包括寄生電容,寄生電容可以耦接在功率放大單元的輸出端與功率放大單元的第二輸出端之間。在具體實(shí)施中,輸出端匹配濾波電路可以包括第三子濾波電路。效率:功率放大器的效率除了取決于晶體管的工作狀態(tài)、電路結(jié)構(gòu)、負(fù)載等因素外,還與輸出匹配電路密切相關(guān)。

PA)用量翻倍增長(zhǎng):PA是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機(jī)無(wú)線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量,甚至待機(jī)時(shí)間,是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。手機(jī)里面PA的數(shù)量隨著2G、3G、4G、5G逐漸增加。以PA模組為例,4G多模多頻手機(jī)所需的PA芯片為5-7顆,預(yù)測(cè)5G手機(jī)內(nèi)的PA芯片將達(dá)到16顆之多。5G手機(jī)功率放大器(PA)單機(jī)價(jià)值量有望達(dá)到:同時(shí),PA的單價(jià)也有提高,2G手機(jī)用PA平均單價(jià)為,3G手機(jī)用PA上升到,而全模4G手機(jī)PA的消耗則高達(dá),預(yù)計(jì)5G手機(jī)PA價(jià)值量達(dá)到。載波聚合與MassivieMIMO對(duì)PA的要求大幅增加。一般情況下,2G只需非常簡(jiǎn)單的發(fā)射模塊,3G需要有3G的功率放大器,4G要求更多濾波器和雙工器載波器,載波聚合則需要有與前端配合的多工器,上行載波器的功率放大器又必須重新設(shè)計(jì)來(lái)滿足線性化的要求。5G無(wú)線通信前端將用到幾十甚至上百個(gè)通道,要求網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或者器件供應(yīng)商能夠提供全集成化的解決方案,這增加了產(chǎn)品設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,無(wú)論對(duì)器件解決方案還是設(shè)備解決方案提供商都提出了很大技術(shù)挑戰(zhàn)。GaAs射頻器件仍將主導(dǎo)手機(jī)市場(chǎng)5G時(shí)代,GaAs材料適用于移動(dòng)終端。GaAs材料的電子遷移率是Si的6倍,具有直接帶隙,故其器件相對(duì)Si器件具有高頻、高速的性能。寬帶放大器是指上限工作頻率與下限工作頻率之比甚大于1的放大電路。廣西應(yīng)用射頻功率放大器服務(wù)電話

輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。重慶射頻功率放大器5w

   第七電感l(wèi)7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實(shí)施中,射頻功率放大器還可以包括驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的輸入端可以接收輸入信號(hào),驅(qū)動(dòng)電路的輸出端可以輸出差分信號(hào)input_p,驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號(hào)input_n。驅(qū)動(dòng)電路可以起到將輸入信號(hào)進(jìn)行差分的操作,并對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng),提高輸入信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力。參照?qǐng)D7,給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。在圖7中,增加了驅(qū)動(dòng)電路。可以理解的是,在圖1~圖6中,也可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路來(lái)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行差分處理,得到差分信號(hào)input_p以及第二差分信號(hào)input_n。在具體實(shí)施中,匹配濾波電路還可以包括功率合成變壓器對(duì)應(yīng)的寄生電容,功率合成變壓器對(duì)應(yīng)的寄生電容包括初級(jí)線圈與次級(jí)線圈之間的寄生電容,該寄生電容可以參與功率合成和阻抗轉(zhuǎn)換。寬帶變壓器的阻抗變換主要受匝數(shù)比、耦合系數(shù)k值和寄生電感電容的影響,具有寬帶工作的特點(diǎn),相對(duì)于lc網(wǎng)絡(luò)的阻抗變換網(wǎng)絡(luò)更容易實(shí)現(xiàn)寬帶的阻抗變換,因此適用于寬帶功率放大器。應(yīng)用于高集成度射頻功率放大器的寬帶變壓器,因?yàn)槭軐?shí)現(xiàn)工藝的影響,往往k值比較小(k值較小會(huì)影響能量耦合,即信號(hào)轉(zhuǎn)換效率變低),寄生電感電容影響比較大。重慶射頻功率放大器5w

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