PA)用量翻倍增長:PA是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一,它直接決定了手機(jī)無線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量,甚至待機(jī)時(shí)間,是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。手機(jī)里面PA的數(shù)量隨著2G、3G、4G、5G逐漸增加。以PA模組為例,4G多模多頻手機(jī)所需的PA芯片為5-7顆,預(yù)測5G手機(jī)內(nèi)的PA芯片將達(dá)到16顆之多。5G手機(jī)功率放大器(PA)單機(jī)價(jià)值量有望達(dá)到:同時(shí),PA的單價(jià)也有提高,2G手機(jī)用PA平均單價(jià)為,3G手機(jī)用PA上升到,而全模4G手機(jī)PA的消耗則高達(dá),預(yù)計(jì)5G手機(jī)PA價(jià)值量達(dá)到。載波聚合與MassivieMIMO對(duì)PA的要求大幅增加。一般情況下,2G只需非常簡單的發(fā)射模塊,3G需要有3G的功率放大器,4G要求更多濾波器和雙工器載波器,載波聚合則需要有與前端配合的多工器,上行載波器的功率放大器又必須重新設(shè)計(jì)來滿足線性化的要求。5G無線通信前端將用到幾十甚至上百個(gè)通道,要求網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或者器件供應(yīng)商能夠提供全集成化的解決方案,這增加了產(chǎn)品設(shè)計(jì)的復(fù)雜度,無論對(duì)器件解決方案還是設(shè)備解決方案提供商都提出了很大技術(shù)挑戰(zhàn)。GaAs射頻器件仍將主導(dǎo)手機(jī)市場5G時(shí)代,GaAs材料適用于移動(dòng)終端。GaAs材料的電子遷移率是Si的6倍,具有直接帶隙,故其器件相對(duì)Si器件具有高頻、高速的性能。由于功率放大器的源和負(fù)載都是50歐姆,輸入匹配電路和輸出匹配 電路主要是對(duì)一端是50歐姆。四川射頻功率放大器設(shè)備
第六電容的第二端連接第二開關(guān)的端,第二開關(guān)的第二端連接第五電阻的端,第五電阻的第二端連接第五電容的端,第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端;其中,第二開關(guān),用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以降低反饋深度,實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式;還用于響應(yīng)第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以增加反饋深度,實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式。需要說明的是,假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時(shí)的放大系數(shù)為a,反饋電路的反饋系數(shù)為f,則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數(shù)af=a/(1+af),隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低,反饋系數(shù)f變大,反饋深度增加,放大系數(shù)af變小,有利于射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。其中,第四電阻的阻值大于第五電阻的阻值。第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以降低反饋深度,從而使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式;第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以增加反饋深度,從而使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。在一些實(shí)施例中,反饋電路還可如圖6所示。上海使用射頻功率放大器服務(wù)電話在射頻/微波 IC中一般用方形螺旋電感。
用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào);所述輸出匹配電路,用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例中,通過射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動(dòng)放大電路、功率放大電路等電路對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行處理,實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換,電路結(jié)構(gòu)簡單,能有效的降低硬件成本。附圖說明圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖;圖1b為本發(fā)明實(shí)施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖;圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖;圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的示意圖;圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖;圖5b為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖;圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的反饋電路的示意圖;圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的偏置電路的示意圖;圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的等效示意圖;圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的的示意圖。
控制信號(hào)vgg通過電阻與開關(guān)連接,同時(shí)通過備用電阻與備用開關(guān)連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同,二者都是作為上拉電阻給開關(guān)供電。備用開關(guān)的參數(shù)與開關(guān)的參數(shù)相同,開關(guān)和備用開關(guān)的寄生電阻皆為單開關(guān)的寄生電阻值ron的一半,因此雙開關(guān)的整體寄生電阻值與單開關(guān)的寄生電阻值相同。開關(guān)和備用開關(guān)的控制邏輯相同:非負(fù)增益模式下,開關(guān)和備用開關(guān)同時(shí)關(guān)斷;負(fù)增益模式下,開關(guān)和備用開關(guān)同時(shí)打開,不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中,開關(guān)和備用開關(guān)均為n型mos管,其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管,也可以是平面結(jié)構(gòu)mos管??梢?,在本申請(qǐng)實(shí)施例中,因?yàn)槭褂昧睡B管設(shè)計(jì),將開關(guān)和備用開關(guān)疊加,使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升,相對(duì)于單mos管,能在大電流下更好的保護(hù)開關(guān)和備用開關(guān),使其不被損壞。在一個(gè)可能的示例中,輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l(wèi)2,第二電感的端連接第二電阻的第二端,第二電感的第二端連接電容的端,電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中,假設(shè)輸入端的輸入阻抗zin=r0-jx0,可控衰減電路的等效阻抗為z20=r20+jx20,輸入匹配電路的等效阻抗為z30=r30+jx30,為了實(shí)現(xiàn)z20和zin的共軛匹配。功放中使用電感器一般有直線電感、折線電感、單環(huán)電感和螺旋電感等。
本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果:增加輔次級(jí)線圈可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì),能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。附圖說明圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖;圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的另一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖;圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖;圖4是本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖;圖5是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖;圖6是本發(fā)明實(shí)施例中的再一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖;圖7是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式如上所述,現(xiàn)有技術(shù)中,采用普通結(jié)構(gòu)變壓器實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)相對(duì)簡單,缺點(diǎn)是難以實(shí)現(xiàn)寬帶功率放大器。功率放大器按照工作狀態(tài)分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。重慶射頻功率放大器標(biāo)準(zhǔn)
隨著無線通信/雷達(dá)通信系統(tǒng)的發(fā)展對(duì)固態(tài)功率放大器提出了新 的要求:大功率輸出、高效率、高線性度、高頻率.四川射頻功率放大器設(shè)備
Microsemi的產(chǎn)品包括元器件和集成電路解決方案等,可通過改善性能和可靠性、優(yōu)化電池、減小尺寸和保護(hù)電路而增強(qiáng)客戶的設(shè)計(jì)能力。Microsemi公司所服務(wù)的主要市場包括植入式醫(yī)療機(jī)構(gòu)、防御/航空和衛(wèi)星、筆記本電腦、監(jiān)視器和液晶電視、汽車和移動(dòng)通信等應(yīng)用領(lǐng)域。Microsemi在發(fā)展過程中收購了多家公司,包括熟知的Actel,Zarlink,Vitesee。Microsemi的WiFiPA產(chǎn)品線型號(hào)較多,也多次出現(xiàn)在Atheros早期的參考設(shè)計(jì)中,近期的參考設(shè)計(jì)就很少出現(xiàn)了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果沒記錯(cuò)的話,LX5511+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96低功率版本參考設(shè)計(jì)中。四川射頻功率放大器設(shè)備
能訊通信科技(深圳)有限公司致力于電子元器件,是一家生產(chǎn)型公司。能訊通信致力于為客戶提供良好的射頻功放,寬帶射頻功率放大器,射頻功放整機(jī),無人機(jī)干擾功放,一切以用戶需求為中心,深受廣大客戶的歡迎。公司注重以質(zhì)量為中心,以服務(wù)為理念,秉持誠信為本的理念,打造電子元器件良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn),為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。