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第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接,第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,第三子濾波電路可以包括第三電容c3;第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接,第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中,第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3,第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3,給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。與圖2相比較而言,圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3,可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中,輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施例中,第四子濾波電路的端可以與主次級線圈121的第二端耦接,第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路,lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路,也可以為多階匹配濾波電路。當lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時,其可以包括一個串聯(lián)電感以及一個到地電容;當lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時,其可以包括兩個串聯(lián)電感或更多串聯(lián)電感和一個到地電容或更多個到地電容。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術指標的要求。云南線性射頻功率放大器定制
本發(fā)明涉及通信技術領域,尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設備。背景技術:在無線通信中,用戶設備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中,用戶設備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier,pa)的性能會隨著工作頻率變化,難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb,663mhz~915mhz),中頻段(mb,1710mhz~2025mhz),高頻段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa,每個功率放大器支持一個頻段,需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬,pa很難在整個頻段內(nèi)實現(xiàn)高線性和高效率,在設計的過程中會存在線性度和效率和折中處理,同時頻段內(nèi)的不同頻點的性能也不同。無線通信對發(fā)射頻譜的雜散有嚴格的要求。當pa后連接的濾波器對諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組,nbiot前端模組),要求pa的匹配濾波電路同時具有很高的諧波抑制性能,因此不需要再在pa后增加濾波器。設計一種寬帶功率放大器,在功率頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)一致且良好的性能,成為寬帶pa的設計的重點和難點。山東U段射頻功率放大器電話多少在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中,都需要功率放大器將信號放大到足夠的功 率電平,以實現(xiàn)信號的發(fā)射。
本發(fā)明實施例的技術方案具有以下有益效果:增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設計,能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。附圖說明圖1是本發(fā)明實施例中的一種射頻功率放大器的電路結構圖;圖2是本發(fā)明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結構圖;圖3是本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖;圖4是本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖;圖5是本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖;圖6是本發(fā)明實施例中的再一種射頻功率放大器的電路結構圖;圖7是本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。具體實施方式如上所述,現(xiàn)有技術中,采用普通結構變壓器實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,只采用變壓器及其輸入輸出匹配電容。這種結構優(yōu)點是結構相對簡單,缺點是難以實現(xiàn)寬帶功率放大器。
其次是低端智能手機(35%)和奢華智能手機(13%)。25G基站,PA數(shù)倍增長,GaN大有可為5G基站,射頻PA需求大幅增長5G基站PA數(shù)量有望增長16倍。4G基站采用4T4R方案,按照三個扇區(qū),對應的PA需求量為12個,5G基站,預計64T64R將成為主流方案,對應的PA需求量高達192個,PA數(shù)量將大幅增長。5G基站射頻PA有望量價齊升。目前基站用功率放大器主要為基于硅的橫向擴散金屬氧化物半導體LDMOS技術,不過LDMOS技術適用于低頻段,在高頻應用領域存在局限性。對于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的運行頻率,RF功率在,預計5G基站GaN射頻PA將逐漸成為主導技術,而GaN價格高于LDMOS和GaAs。GaN具有優(yōu)異的高功率密度和高頻特性。提高功率放大器RF功率的簡單的方式就是增加電壓,這讓氮化鎵晶體管技術極具吸引力。如果我們對比不同半導體工藝技術,就會發(fā)現(xiàn)功率通常會如何隨著高工作電壓IC技術而提高。硅鍺(SiGe)技術采用相對較低的工作電壓(2V至3V),但其集成優(yōu)勢非常有吸引力。GaAs擁有微波頻率和5V至7V的工作電壓,多年來一直應用于功率放大器。硅基LDMOS技術的工作電壓為28V,已經(jīng)在電信領域使用了許多年,但其主要在4GHz以下頻率發(fā)揮作用。輸出匹配電路主要應具備損耗低,諧波抑制度高,改善駐波比,提高輸出功 率及改善非線性等功能。
本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路,尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術:射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求發(fā)射功率可調(diào),當pa之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時,就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中,對射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出,其動態(tài)范圍要達到35~40db,并出現(xiàn)負增益的需求模式。相關技術中通常通過反饋電路提供的負反饋來對增益進行調(diào)節(jié),但是反饋電路只能增加或減少增益,而不能實現(xiàn)負增益,無法滿足射頻功率放大器電路的負增益需求。技術實現(xiàn)要素:有鑒于此,本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。本申請實施例的技術方案是這樣實現(xiàn)的:本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路,應用于終端,包括:依次連接的可控衰減電路、輸入匹配電路、驅(qū)動放大電路、級間匹配電路、功率放大電路和輸出匹配電路,與所述驅(qū)動放大電路跨接的反饋電路;所述可控衰減電路,用于根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換;所述輸入匹配電路。微波功率放大器(PA)是微波通信系統(tǒng)、廣播電視發(fā)射、雷達、導航系統(tǒng)的部件之一。四川射頻功率放大器空載
射頻功率放大器是無線通信系統(tǒng)中非常重要的組件。云南線性射頻功率放大器定制
在本發(fā)明實施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p,功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進行放大處理,功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放大的差分信號,功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過放大的第二差分信號。差分信號input_p以及第二差分信號input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定,且差分信號input_p的放大倍數(shù)和對第二差分信號input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實施中,差分信號input_p以及第二差分信號input_n可以是對輸入至射頻功率放大器的輸入信號進行差分處理后得到的。具體的,對輸入信號進行差分處理的原理及過程可以參照現(xiàn)有技術,本發(fā)明實施例不做贅述。在具體實施率合成變壓器可以包括初級線圈11以及次級線圈。在本發(fā)明實施例中,初級線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接,輸入經(jīng)過放大的差分信號;初級線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接,輸入經(jīng)過放大的第二差分信號。在本發(fā)明實施例中,次級線圈可以包括主次級線圈121以及輔次級線圈122。主次級線圈121的端接地。云南線性射頻功率放大器定制
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