單位為分貝)，再根據(jù)鏈路預(yù)算lb確定終端的發(fā)射功率(transmittingpower，pt)(單位為分貝瓦或者分貝毫瓦)。終端在與基站通信后，確定天線的發(fā)射功率pt，根據(jù)天線的發(fā)射功率pt和天線的增益確定射頻功率放大器電路的輸出功率，根據(jù)射頻功率放大器電路的輸出功率確定射頻功率放大器電路的輸入功率和增益，通過(guò)微控制器對(duì)射頻功率放大器電路的輸入功率進(jìn)行調(diào)節(jié)，并根據(jù)增益確定射頻功率放大器電路中的模式控制信號(hào)，使其終的輸出功率滿足要求。其中，路徑損耗pl的計(jì)算參見(jiàn)公式(1)：pl＝20log10(f)+20log10(d)–c(1)；其中，f為信號(hào)頻率，單位為mhz；d為基站和終端之間的距離；c為經(jīng)驗(yàn)值，一般取28。在一些實(shí)施例中，如欲計(jì)算出戶外空曠環(huán)境中距離為d＝1200米，頻率為f＝915mhz和f＝，則可根據(jù)公式(1)推導(dǎo)出f＝915mhz時(shí)的pl為：20log10(915)+20log10(1200)–28＝，還可推導(dǎo)出f＝：20log10(2400)+20log10(1200)–28＝。如果發(fā)送器與目標(biāo)接收機(jī)之間的路徑損耗pl大于鏈路預(yù)算lb，那么就會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)丟失，無(wú)法實(shí)現(xiàn)通信，因此，鏈路預(yù)算lb需要大于等于路徑損耗pl，據(jù)此可以得到鏈路預(yù)算值。終端的發(fā)射功率pt由式(2)計(jì)算得到：lb＝pt+gt+gr-rs(2)；其中，gt為終端的天線增益，單位為分貝。交調(diào)失真有不同頻率的兩個(gè)或更多的輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)功率放大器而產(chǎn)生的 混合分量由于功率放大器的非線性造成的。江西高頻射頻功率放大器價(jià)格

    寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級(jí)聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級(jí)聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)插損較大。在本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)增加輔次級(jí)線圈可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì)，能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種射頻功率放大器，參照?qǐng)D1。在本發(fā)明實(shí)施例中，射頻功率放大器可以包括：功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實(shí)施率放大單元可以包括兩個(gè)輸入端以及兩個(gè)輸出端。湖北應(yīng)用射頻功率放大器技術(shù)GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一被譽(yù)為第5代半導(dǎo)體在微電應(yīng)用領(lǐng)域存 在的應(yīng)用.

    用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào)；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例中，通過(guò)射頻功率放大器電路中的可控衰減電路、反饋電路、驅(qū)動(dòng)放大電路、功率放大電路等電路對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行處理，實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能有效的降低硬件成本。附圖說(shuō)明圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為本發(fā)明實(shí)施例提供的相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的組成結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的示意圖；圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖5b為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路和輸入匹配電路的示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的反饋電路的示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的偏置電路的示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的等效示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的可控衰減電路的的示意圖。

    70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，即VMOS管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管，它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效功率器件，具有耐壓高，工作電流大，輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VMOSFET）的溝道長(zhǎng)度是由外延層的厚度來(lái)控制的，因此適合于MOS器件的短溝道化，從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段，也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達(dá)1kW的功率，在VHF頻段提供幾百瓦的功率，可由12V,28V或50V電源供電，有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴(kuò)散MOS（LDMOS）橫向雙擴(kuò)散MOS晶體管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：這是為了減短溝道長(zhǎng)度的一種橫向?qū)щ奙OSFET，通過(guò)兩次擴(kuò)散而制作的器件稱為L(zhǎng)DMOS，在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。與晶體管相比，LDMOS在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、散熱性能等方面優(yōu)勢(shì)很明顯，由于更容易與CMOS工藝兼容而被采用。LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管的駐波比，能在較高的反射功率下運(yùn)行而不被破壞；它較能承受輸入信號(hào)的過(guò)激勵(lì)，具有較高的瞬時(shí)峰值功率。功率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。

    比如橫豎屏切換、相關(guān)游戲、磁力計(jì)姿態(tài)校準(zhǔn))、振動(dòng)識(shí)別相關(guān)功能(比如計(jì)步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計(jì)、濕度計(jì)、溫度計(jì)、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚(yáng)聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可將接收到的音頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換后的電信號(hào)，傳輸?shù)綋P(yáng)聲器，由揚(yáng)聲器轉(zhuǎn)換為聲音信號(hào)輸出；另一方面，傳聲器將收集的聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，由音頻電路406接收后轉(zhuǎn)換為音頻數(shù)據(jù)，再將音頻數(shù)據(jù)輸出處理器408處理后，經(jīng)rf電路401以發(fā)送給比如另一終端，或者將音頻數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)器402以便進(jìn)一步處理。音頻電路406還可能包括耳塞插孔，以提供外設(shè)耳機(jī)與終端的通信。wifi屬于短距離無(wú)線傳輸技術(shù)，移動(dòng)終端通過(guò)wifi模塊407可以幫助用戶收發(fā)電子郵件、瀏覽網(wǎng)頁(yè)和訪問(wèn)流式媒體等，它為用戶提供了無(wú)線的寬帶互聯(lián)網(wǎng)訪問(wèn)。雖然圖4示出了wifi模塊407，但是可以理解的是，其并不屬于移動(dòng)終端的必須構(gòu)成，完全可以根據(jù)需要在不改變發(fā)明的本質(zhì)的范圍內(nèi)而省略。處理器408是移動(dòng)終端的控制中心，利用各種接口和線路連接整個(gè)手機(jī)的各個(gè)部分，通過(guò)運(yùn)行或執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器402內(nèi)的軟件程序和/或模塊，以及調(diào)用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器402內(nèi)的數(shù)據(jù)。由于功率放大器的源和負(fù)載都是50歐姆，輸入匹配電路和輸出匹配 電路主要是對(duì)一端是50歐姆。重慶V段射頻功率放大器系列

輸出匹配電路主要應(yīng)具備損耗低，諧波抑制度高，改善駐波比，提高輸出功 率及改善非線性等功能。江西高頻射頻功率放大器價(jià)格

    微控制器控制第五一開(kāi)關(guān)導(dǎo)通、第五二開(kāi)關(guān)關(guān)斷，此時(shí)可實(shí)現(xiàn)低增益；微控制器控制第五一開(kāi)關(guān)和第五二開(kāi)關(guān)均導(dǎo)通，此時(shí)反饋電路的等效電阻小，可實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一些實(shí)施例中，當(dāng)射頻放大器電路的高增益為30db左右，低增益為15db左右，負(fù)增益為-10db左右時(shí)，可設(shè)置第五三電阻的阻值為5kω，第五一電阻的電阻為1kω，第五二電阻的電阻為100ω。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例對(duì)反饋電路的具體形式不做限定?？梢?jiàn)，通過(guò)控制反饋電路中第二開(kāi)關(guān)的通斷，可以改變射頻功率放大器電路的增益大小，實(shí)現(xiàn)增益的大范圍調(diào)節(jié)。在一個(gè)可能的示例中，級(jí)間匹配電路104包括：第三電感l(wèi)3、第七電容c7和第八電容c8，其中：第三電感的端連接第三mos管的漏級(jí)，第三電感的第二端連接第二電壓信號(hào)和第七電容的一端，第七電容的端連接第二電壓信號(hào)，第七電容的第二端接地，第八電容的端連接第三mos管的漏級(jí)。其中，第二電壓信號(hào)為vcc。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，考慮到級(jí)間匹配電路的復(fù)雜性，將級(jí)間匹配電路簡(jiǎn)化為用第三電感、第七電容和第八電容表示。在一個(gè)可能的示例率放大電路105包括：第四mos管t4、第五mos管t5和第九電容c9，其中：第四mos管的柵級(jí)與第八電容的第二端連接。江西高頻射頻功率放大器價(jià)格

能訊通信科技（深圳）有限公司主要經(jīng)營(yíng)范圍是電子元器件，擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場(chǎng)口碑。公司業(yè)務(wù)分為射頻功放，寬帶射頻功率放大器，射頻功放整機(jī)，無(wú)人機(jī)干擾功放等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn)，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。能訊通信憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來(lái)的聲譽(yù)和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。